Найдено научных статей и публикаций: 116   
71.

О взрыве проволоки в воде     

Кортхонджия В.П. - Журнал Технической Физики , 2006
Показано, что при взрыве проволоки в воде, когда имеет место экзотермическая химическая реакция, из-за выделения большого количества тепла происходит термическая ионизация продуктов реакции. Создается плотная плазма, и в системе образуется энергия, равная или большая энергии, запасенной в конденсаторной батарее вначале. Этот эффект зависит от массы на единицу длины взрываемой в воде проволоки. Превышение энергии по сравнению с тем, что запасено в конденсаторной батарее, зависит от энергии, запасенной в конденсаторной батарее. PACS: 52.80.Qj
72.

Ядерные релаксации, обусловленные находящимися в двухуровневых системах парамагнитными примесями     

Буишвили Л.Л., Буишвили Т.Л., Захаров Л.Ж., Лепсверидзе Р.Л., Топчишвили Г.Л. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1997
Проведено сравнение скоростей двух типов ядерной спин-решеточной релаксации. Изучена также поперечная релаксация ядерных спинов, взаимодействующих с парамагнитными центрами, в предположении, что парамагнитные центры образуют туннельные двухуровневые системы. Рассчитана скорость поперечной релаксации и показано, что при определенных температурах скорость поперечной релаксации определяется двухуровневыми системами.
73.

Особенности деформации щелочно-галоидных кристаллов под действием сосредоточенной нагрузки     

Саралидзе З.К., Галусташвили М.В., Дрияев Д.Г. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1999
Исследованы параметры, характеризующие воздействие сосредоточенной нагрузки на кристаллы, подвергшиеся различной предварительной обработке, и возможные их связи с механическими характеристиками, проявляющимися при обычной (одномерной) деформации. Показано, что значительное превышение микротвердости над значениями пределов упругости и прочности кристаллов обусловлено не столько большими значениями деформации под индентором, сколько большим значением коэффициента деформационного упрочнения при деформировании сосредоточенной нагрузкой. Показано также, что упрочнения, вызванные одноосной деформацией и реакторным облучением, по-разному влияют на микротвердость кристаллов LiF.
74.

К механизму остаточного фотомеханического эффекта     

Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д., Кутивадзе Н.Г., Бибилашвили А.П., Бохочадзе З.Г. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2000
Приведены результаты исследования остаточного фотомагнитного эффекта (ФМЭ) при разных температурах методом микроиндетирования образца после выключения света в монокристаллическом n-Si. Показано, что уменьшение величины остаточного ФМЭ имеет экспоненциальный характер в зависимости как от времени, так и от температуры.
75.

Омеханизмах массопереноса при наноиндентировании     

Саралидзе З.К., Галусташвили М.В., Дриаев Д.Г. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2006
Рассмотрены микромеханизмы образования отпечатка при индентировании ионных кристаллов и сделан вывод, что участие в массопереносе межузельных атомов и динамических краудинов не может обеспечить погружение индентора с наблюдаемыми на опыте скоростями. PACS: 62.20.Fe, 62.20.Qp
76.

Исследование структуры Al--Ge3N4--Ge методом фото-вольт-фарадных характеристик     

Джанелидзе Р.Б., Джанелидзе М.Б., Кациашвили М.Р. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Представлены результаты исследования границы раздела германий--нитрид германия (Ge--Ge3N4) методом вольт-фарадных характеристик при облучении структуры фотонами разной энергии. Примененная методика позволила определить уровни ловушек в нитриде германия, глубина залегания этих уровней составляет 0.75, 0.89 и 3.0 эВ. При исследовании токопрохождения через структуру Ge--Ge3N4 найдено два уровня в Ge3N4 с глубиной залегания 0.75 и 0.87 эВ.
77.

Сфера марины шеиной (публикация автора на scipeople)      

Марина Шеина - Литпричал, Стихи.ру , 2010
Поэтическая лаборатория "СФЕРА ЮНЕСКО" предполагает сотворчество молодых дарований в рамках Scipeople от Союза писателей России МГО СПР. На первых этапах сотворчества в ЛПЛ "СФЕРА ЮНЕСКО" планируется знакомство участников проекта с поэтическим творчеством друг друга, редактированием и предварительными публикациями поэтических материалов в интернет ресурсах, с использованием ссылок и живописных художественных оформлений, с последующими публикациями в Scipeople и представлениями на научно-поэтических форумах и семинарах. Лучшие произведения участников ЛПЛ "СФЕРА ЮНЕСКО" будут предлагаться в научных интернет журналах, например, - "Знание. Понимание. Умение", а также, академических научно-литературных журналах. В качестве первой литературно-поэтической работы предлагается подборка поэтического материала "Сфера Марианны Эн", опубликованной на сайтах: http://www.litprichal.ru/work/67716/ http://www.litprichal.ru/work/67716/
78.

Прибор для измерения параметров ионного пучка круглого сечения, позволяющий оценивать эмиттанс пучка за импульс     

Вересов Л.П., Вересов О.Л., Скрипаль Л.П. - Журнал Технической Физики , 1997
Описан диагностический прибор для оценки эмиттанса пучка за импульс (длительностью от 1 мкс и выше вплоть до непрерывного режима) для ионных пучков круглого сечения с током от единиц до сотен миллиампер и энергией от 10 кэВ и выше.
79.

Влияние релаксации на форму нелинейного акустического импульса     

Адамашвили Г.Т. - Журнал Технической Физики , 1998
Рассмотрено влияние поперечной релаксации на нелинейную акустическую волну, которая формируется в условиях явления акустической самоиндуцированной прозрачности. С помощью теории возмущений, развитой на базе метода обратной задачи, получено явное аналитическое выражение для формы нелинейной акустической волны. Это позволит экспериментально изучить форму импульса АСИП при учете релаксационных эффектов, что дает возможность использовать эти результаты для построения новых видов акустоэлектронных устройств.
80.

Дифференциальная проводимость при поперечном убегании горячих электронов     

Качлишвили З.С., Метревели Н.К., Чумбуридзе Ф.Г. - Журнал Технической Физики , 2000
Исследуется дифференциальная проводимость в условиях поперечного убегания горячих электронов. Рассмотрены приближения квазиупругого рассеяния и электронной температуры в условиях равновесия и разогрева фононной подсистемы. Показано, что в обоих приближениях дифференциальная проводимость при поперечном убегании становится равной бесконечности, не меняя при этом знак. Разогрев фононов задерживает поперечное убегание.