Исследована вольт-амперная характеристика электронов в условиях динамического междолинного перехода в сильных E normal H полях в твердом растворе Ga1-xAlxAs при плавном уменьшении энергетического зазора Deltavarepsilon между нижней и верхними долинами. Показано, что статическая отрицательная дифференциальная проводимость особенно чувствительна к изменению магнитного поля H при малых величинах Deltavarepsilon. В этом случае увеличение H подавляет статическую отрицательную дифференциальную проводимость. Этим способом можно избавиться от низкочастотных осцилляций Ганна с одновременным сохранением динамической отрицательной дифференциальной проводимости, подавляющейся в субмиллиметровой области спектра.

Получено аппроксимационное выражение для времени релаксации импульса при квазиупругом рассеянии горячих электронов на акустических фононах в зависимости от энергии электронов и температуры решетки. В приближении электронной температуры вычислены подвижность и зависимость электрического поля примесного пробоя от степени компенсации. Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментом наn-Ge.

Теоретически показано, что в определенных условиях возможно создание мазера на эффекте циклотронного резонанса на основе материалов типа n-Ga1-xAlxAs. Рассматриваются низкие температуры и сильные скрещенные ( E normal H) поля, в которых электроны в нижней (легкой) долине зоны проводимости баллистическим образом пролетают ее, разогреваясь до энергии начала междолинного рассеянияvarepsilon0. Исследования проводились для состава твердого раствора 0

Исследовано влияние на холловскую концентрацию дырок и коэффициент термоэдс примесей различных элементов в SnTe, содержащем избыточный Te, и в некоторых составах твердых растворов на его основе в интервале температур 300--900 K. Изменение кинетических параметров трактуется на основе представлений о резонансных состояниях, связанных с катионными вакансиями и примесями, определяющими концентрацию дырок. Низкие значения коэффициента термоэдс в SnTe объясняются селективностью рассеяния носителей заряда с более вероятным переходом дырок на резонансные состояния и обратно. В изоморфных твердых растворах на основе SnTe за счет изменения энергетического положения резонансных состояний относительно краев зон и уровня Ферми удается изменить характер резонансного рассеяния и повысить коэффициент термоэдс до значений, оптимальных с точки зрения получения максимальной термоэлектрической эффективности. В твердных растворах халькогенидов элементов IV группы с содержанием SnTe около 40 мол% получены значения безразмерного параметра термоэлектрической эффективности ZT=1 при температурах выше 700 K.

Исследуется возможность хаотического поведения тока в частично компенсированном полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования. Рассматривается влияние случайных флуктуаций параметров или же переменных математической модели, а также влияние каких-либо периодических наводок на плотность тока в полупроводнике. В результате получены различные картины хаотических колебаний тока, в том числе переход в хаотический режим через удвоение периода, характерное для сценария Фейгенбаума.

Исследовалось влияние плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах Si n- и p-типа. Показано, что приложение электрического поля к образцу в процессе облучения влияет на зависимость varphi(eta) только в кристаллах Si n-типа, что объясняется зарядовым состоянием пар Френкеля в момент образования при низких энергиях облучения.

Явно вычислен коэффициент захвата на отталкивающих кулоновских центрах в приближении квазиупругого рассеяния в скрещенных сильном электрическом и магнитном полях. Учтено, что вероятность захвата наряду с зоммерфельдовским множителем должна экспоненциально зависеть от энергии протуннелировавшего сквозь барьер электрона. Определено критическое электрическое поле в зависимости от магнитного поля и механизмов рассеяния, выше которого необходим учет указанной экспоненты. Для полей ниже критического справедлива аппроксимация Бонч-Бруевича.

Приведены результаты исследований фотомеханического эффекта, проведенных на монокристаллическомSi единой методикой. Исследовались зависимости фотомеханического эффекта от спектрального состава и интенсивности света, остаточный фотомеханический эффект (сохранение размягчения кристалла в течение некоторого времени), влияние освещения на анизотропию микротвердости и температурная зависимость фотомеханического эффекта. Наоснове проведенных исследований и анализа литературных данных установлена корреляция между величинами фотомеханического эффекта и соответствующей концентрации возбужденных светом неравновесных носителей (такназываемых антисвязывающих квазичастиц), на основе которой предложен механизм, согласно которому уменьшение микротвердости в результате освещения в ковалентных кристаллах вызвано в основном ослаблением и изотропизацией химических связей антисвязывающими квазичастицами, образованными светом.

Приведены результаты исследования по влиянию типа и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в монокристаллическом кремнии. Показано, что с увеличением концентрации мелких примесей уменьшается как темновая микротвердость, так и величина фотомеханического эффекта. При этом влияние акцепторных примесей сравнительно больше, чем донорных. Полученные данные объясняются на основе механизма, согласно которому за уменьшение микротвердости в полупроводниках ответственны свободные носители тока (антисвязывающие квазичастицы), которые образуются в соответствующих энергетических зонах.

С помощью компьютерного моделирования исследованы нелинейные автоколебания при примесном пробое компенсированного полупроводника в классически сильном магнитном поле при условии закороченнойэдс Холла. Врезультате установлено, что в некотором интервале изменения сопротивления нагрузки (включенного последовательно с образцом) иэдс источника питания постоянного тока на фазовой диаграмме системы появляется двойной предельный цикл. Этот эффект в принципе дает возможность создать такой высокочастотный генератор, который в одних и тех же внешних условиях будет работать в разных амплитудных режимах.