Приведены результаты исследований свойств УФ фотоприемников на основе селенида цинка. Рассмотрено влияние параметров диодной структуры, температуры и напряжения на основные характеристики и парамет-ры фотодетекторов.

Приводятся результаты теоретического анализа влияния различных факторов на эффективность возбуждения волн пространственного заряда (ВПЗ) в тонкопленочных полупроводниковых структурах одиночным полосковым барьером Шоттки (БШ). Показано, что для повышения эффективности преобразования СВЧ сигнала в ВПЗ целесообразно использовать БШ с малым значением контактной разности потенциалов, а ширина БШ и концентрация электронов в пленке должны быть оптимизируемыми параметрами.

Исследованы низкотемпературные (T=80 K) спектры экситонного отражения света кристаллов CdS в электрическом поле барьера Шоттки. Зарегистрировано аномальное штарковское смещение водородоподобного экситонного состояния в предынизационном пределе. Из анализа спектров, выполненного в рамках теории нелокального диэлектрического отклика в пространственно неоднородной среде, установлен характер распределения подбарьерного электрического поля.

Предложена обобщанная модель критического состояния в низкоразмерных сверхпроводниках, учитывающая эффекты объемного и краевого пиннинга магнитного потока. Описаны условия проникновения пирл-абрикосовских вихрей в сверхпроводник, а также метастабильные структуры потока в этих системах. Построена диаграмма различных вихревых состояний на полном цикле изменения внешнего магнитного поля. Работа частично поддержана Миннауки РФ (проект N 98-012), РФФИ (грант N 97-02-17437), а также Фондом поддержки перспективных исследований (INCAS; грант N 97-2-10).

Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния, факторизованными по неприводимым представлениям группы симметрии гетероструктуры, исследовано влияние реального микроскопического потенциала на характеристики резонансного туннелирования электронов из Gamma-долины GaAs через барьер AlAs толщиной в одну постоянную решетки. Переходные области между потенциалами компонент и барьерная область рассматриваются как составные части периода сверхрешетки Ga2Al2As4, чтобы обеспечить непрерывность кристаллического потенциала на границах сшивания волновых функций. Показано, что по сравнению с результатами модели с резкой границей при учете реального потенциала меняется число и положение Фано-резонансов, усиливается локализация электронной плотности в барьере резко увеличивается время туннелирования. Работа выполнена при поддержке программы Миннауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.12.99).

В редкоземельных ортоферритах TmFeO3 и DyFeO3 наблюдалась дифракция света на динамических деформациях, возбуждаемых при движении доменной границы в момент преодоления звукового барьера. Показано, что доменная граница в этот момент становится изогнутой по толщине пластинки образца. Определены время жизни возбуждений --- 20 ns и их размер --- 2·10-4 cm. Обнаружено изменение поляризации, сравнимое с вкладом от фарадеевского вращения для исследованных ортоферритов. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования РФ (грант в области фундаментального естествознания N 97-0-7.0-29).

Во втором порядке теории возмущений в континуальном пределе вычислена энергия потенциального рельефа и барьера Пайерлса топологического возбуждения --- кинка в модели Френкеля--Конторовой. Предлагается новый метод анализа проблемы в сильно дискретном пределе. Аналитические результаты сравниваются с численными расчетами. Работа выполнена при частичной поддержке проекта INTAS-99 (грант N 167) и программы МНОП (грант USU 082087).

Исследовано влияние поверхностного барьера на поведение поверхностного импеданса Z сверхпроводника второго рода. Рассмотрение проведено на примере пластины конечной толщины, находящейся в постоянном поле H0, перпендикулярном или параллельном плоскости пластины. Показано, что в перпендикулярной геометрии поверхностное сопротивление rhos=Re Z имеет максимум в условиях, при которых глубина проникновения переменного поля становится порядка толщины пластины (размерный эффект). При параллельной ориентации магнитного поля H0 влияние поверхностного барьера Бина--Ливингстона проявляется в уменьшении диссипативных потерь и в изменении полевой зависимости поверхностного сопротивления, которая в данном случае имеет гистерезисный характер. Впервые показано, что в условиях сохранения захваченного магнитного потока зависимость rhos(H0) является убывающей функцией, что приводит, в частности, к нетривиальному подавлению размерного эффекта. Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований (N 01-02-16593), Минпромнауки РФ (проект N 107-1 (00)) и Минобразования (N E 00-3.4-331), а также Международным центром перспективных исследований (Н. Новгород; грант N 99-02-3).

В рамках предложенной нами ранее простой модели проведены самосогласованные расчеты высоты барьера Шоттки для контактов Ag, Au, Pd, Pt, Ti, Ru, Ni, Cr, Al, Mg и Mn с различными политипами SiC. Показано, что вполне удовлетворительное согласие результатов расчета с экспериментом получено для контактов переходных металлов в предположении об определяющей роли кремниевых вакансий с энергией Ed=EV+2.1 eV. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16054б, INTAS N 01-0603 и NATO SiP N 978011.

Исследованы спектры рамановского рассеяния света сверхрешеток из слоев самоорганизующихся квантовых точек CdTe, разделенных узкими барьерами ZnTe в 10 и 5 монослоев. В области колебательных мод CdTe кроме полос ~ 120 и 140 cm-1, наблюдавшихся ранее в спектрах образцов с более широкими барьерами (25 и 12 монослоев), присутствовала также полоса ~ 147 cm-1. Эта полоса объясняется симметричной модой колебаний пары квантовых точек, в которой колeбания их дипольных моментов происходят навстречу друг другу. Подобного типа модой колебаний материала, окружающего квантовую точку (ZnTe), можно объяснить сдвиг полосы ~ 200 cm-1 вблизи LO моды ZnTe в низкочастотную сторону. Работа выполнена при поддержке PФФИ (проект N 03-02-7110). PACS: 78.30.Fs, 78.67.Hc, 63.22.+m