Найдено научных статей и публикаций: 99
41.
Влияние межкристаллитных потенциальных барьеров наформирование термоэлектродвижущей силы иэффекта пельтье вполикристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках
Рассмотрено влияние на термоэлектрические эффекты в поликристаллических сегнетоэлектриках локальных заряженных состояний на границах раздела кристаллитов. Показана зависимость дифференциальной термоэдс и коэффициента Пельтье от высоты межкристаллитных потенциальных барьеров. Установлена возможность аномального поведения термоэдс в области сегнетоэлектрической точки Кюри. PACS: 72.20.Pa, 44.05.+e, 65.40.-b
42.
Природа отрицательного дифференциального сопротивления неидеального барьера шоттки на основе арсенида индия
Теоретически и экспериментально исследованы процессы упругого туннелирования в МДП структурах с барьером Шоттки на основе p+-InAs. При гелиевых температурах получены вольт-амперные характеристики с участком отрицательного дифференциального сопротивления. На основе квазиклассического приближения получены аналитические выражения для коэффициента туннельного прохождения с конверсией носителей. Показано, что падающий участок ВАХ связан с участием в процессе туннелирования вышележащего уровня размерного квантования в n-канале. Полученные расчетные вольт-амперные характеристики хорошо согласуются с результатами эксперимента.
43.
Времена рассеяния частицы на одномерных потенциальных барьерах
В рамках пакетного анализа дано определение времен туннелирования для частиц, начальное состояние которых описывается волновыми пакетами общего вида. Показано, что "нефизичность" результатов, полученных ранее при численном моделировании движения волновых пакетов в одномерных структурах, обусловлена неправильной интерпретацией пакетного формализма. Времена туннелирования волновых пакетов, наблюдаемые в численном эксперименте, вовсе не являются временами туннелирования частиц.
44.
О барьере шоттки на контакте металла с карбидом кремния
Предлагается простая модель контакта металл-полупроводник. Предполагается, что барьер Шоттки формируется состояниями дефектов, локализованными на границе раздела. Проанализированы экспериментальные данные по системам <металл (Au, Cr, Mo и Al)>-<гексагональный карбид кремния (6H-SiC)>, где SiC имеет n-тип проводимости.
45.
Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов внеоднородном электрическом поле при 4.2K
Приводятся результаты экспериментального обнаружения и исследования механизма стимулирования пробоя барьера Шоттки на кремнии, фотовозбужденного в сильных электрических полях при T=4.2K. Исследовано влияние интенсивности фотовозбуждения, величины электрического поля, а также влияние времени их взаимной задержки на механизм пробоя барьера. На основе анализа результатов показано, что пробой барьера Шоттки связан с сужением ширины области пространственного заряда вследствие дрейфа экситонов в неоднородном электрическом поле и рекомбинации электронов на ионизированных примесных уровнях барьера.
46.
Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда сиспользованием реальных барьеров шоттки
Проанализированы особенности полевой зависимости фототока короткого замыкания реальных барьеров Шоттки на основе сильно легированного полупроводника в условиях осциллирующей зависимости коэффициента поглощения света alpha от напряженности поля в области пространственного заряда и энергии квантов (hnu>Eg). Получено аналитическое выражение для зависимости фототока от толщины области пространственного заряда W при условии alpha W<< 1. Предложена усовершенствованная методика определения длины диффузии неосновных носителей заряда из анализа зависимостей Ip(W) в спектральной области, удовлетворяющей условиям применимости полученных выражений. Проведены также некоторые усовершенствования метода выделения емкости области пространственного заряда из высокочастотной емкости реального барьера Шоттки. Метод опробован на структурах Аu--GaAs с Nd=(4.5· 1016/ 1· 1018)см-3. Независимая проверка метода определения L проведена на основе теоретического описания спектральной зависимости квантовой эффективности структуры.
47.
Красчету высоты барьера Шоттки наначальной стадии формирования контакта <карбид кремния>--<субмонослойная пленка металла>
В рамках обобщенной модели Андерсона--Халдейна для плотности состояний полупроводника рассчитано положение локальных и квазилокальных состояний металлических атомов (щелочные металлы, металлы IIIгруппы и группы меди), адсорбированный на поверхности 6H-SiC и их заполнение. Результаты расчетов сопоставляются с экспериментальными данными по барьерам Шоттки.
48.
Естественные неоднородности высоты барьера шоттки
Исследованы естественные неоднородности высоты барьера Шоттки, обусловленные дискретностью заряда примеси, случайно распределенной в обедненной области. В рамках модели параллельных диодов получено, что такие естественные флуктуации эффективной высоты барьера в переходе металл--полупроводник при уровнях легирования меньше или порядка 1018 см-3 в среднем не превышают kT при комнатной температуре.
49.
Туннелирование электронов между двумерными электронными системами вгетероструктуре содиночным легированным барьером
Исследовано туннелирование электронов в гетероструктуре с одиночным легированным барьером. Анализ экспериментальных данных показал, что все особенности в туннельной проводимости связаны с туннелированием электронов между двумерными электронными слоями, которые возникают по разные стороны барьера вследствие ионизации примесей в барьере. При этом транспорт электронов между двумерными электронными слоями и трехмерными контактными областями не вносит существенных искажений в измеряемые туннельные характеристики. В таких структурах отсутствует ток вдоль двумерного электронного газа, который обычно затрудняет исследования туннелирования между двумерными электронными системами в магнитных полях.
50.
Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au / n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs
Проводились вольтъемкостные исследования профиля распределения свободных носителей в однородно легированной матрице n-GaAs с барьером Шоттки на поверхности, содержащей слой самоорганизованных квантовых точек InAs. Установлено, что наблюдается аккумуляция электронов на глубине 0.54 мкм, совпадающей с геометрическим положением слоя квантовых точек. С понижением температуры измерения ниже 90 K в профиле появляется второй пик на глубине 0.61 мкм, который при дальнейшем понижении температуры становится доминирующим. Показано, что появление второго пика в профиле распределения свободных носителей не связано с перераспределением электронной плотности по глубине структуры и наблюдается в случае, когда темп термической эмиссии электронов из квантовых точек в зону проводимости GaAs становится значительно меньше угловой частоты измерительного сигнала емкости.