В приближении поверхностной молекулы рассмотрено взаимодействие уровней кремниевых и углеродных вакансий с состояниями металла. Показано, что определяющая роль кремниевых вакансий в формировании барьера Шоттки на контакте Cr--SiC объясняется высокой плотностью состояний на антисвязывающем уровне. PACS: 73.30.+y, 71.20.Nr

Новая технология термически стабильных омических контактов с диффузионными барьерами на основе аморфных фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx использована при разработке СВЧдиодов миллиметрового диапазона (более 100 ГГц) на основе GaAs, InP иSi. Повышение надежности GaAs, InP диодов Ганна, работающих на частоте 200 ГГц, стало возможным также и за счет использования в качестве исходных приборных структур эпитаксиальных слоев, полученных методами газофазной, молекулярно-пучковой и жидкофазной эпитаксии на пористые подложки AIIIBV. Диапазон работы лавинно-пролетных диодов на основеSi увеличен до350 ГГц. Для этого впервые была использована технология формирования активного элемента на кремниевой металлизированной мембране. PACS: 85.30.Mn, 85.30.Fg

Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480-720 K выращены гомогенные тонкие (0.6-1.5 мкм) пленки n-In2S3, на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2S3. Изучена температурная зависимость удельного сопротивления пленок n-типа проводимости и определена энергия активации донорных центров в них. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразованияeta(homega) полученных барьеров. Из анализа спектральных зависимостейeta(homega) сделан вывод о характере межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны в пленкахIn2S3. Сделан вывод о возможностях применения тонких пленок In2S3 в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 78.20.-e

Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn

Еременко Д.в., Кузнецов А.в., Трофимов В.н. Метастабильное состояние и краевой барьер плоского сверхпроводника в поперечном магнитном поле // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 153-155

Глебов В.б., Синцов А.е. Использование электроядерных установок для обеспечения защиты изготовленных ТВС с МОХ-топливом путем создания радиационного барьера при коротком облучении // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 88-89

Савин В.а. Наращивание инженерных систем и барьеров безопасности, ужесточение требований к качеству оборудования и персонала АЭС // Научная сессия МИФИ-2001. 8 Всероссийская научно-практическая конференция. Проблемы информационной безопасности в системе высшей школы, стр. 97-98

Глебов В.б., Крючков Э.ф., Апсэ В.а., Шмелев А.н. Формирование внутреннего радиационного барьера мох-топлива в целях защиты от неконтролируемого распространения // Научная сессия МИФИ-2002. Т.8 Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 136-137

Синицын И.в., Воробьева А.е., Дергунова Е.а., Ломаев В.м., Вождаев Л.и., Мареев К.а. Разработка и исследование Nb3Sn сверхповодников с различной конструкцией диффузионного барьера для магнитных систем // Научная сессия МИФИ-2004. Т.9 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Перспективные наукоемкие технологии. Физика, химия и компьютерная разработка материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-) материалы, стр. 76-78

В работе рассмотрен процесс дифракции электромагнитной волны на границе раздела вакуум-металл-полупроводник с возбуждением поверхностной волны. В рамках теории развит модовый метод расчета процесса взаимодействия излучения со структурой, позволяющий рассчитывать для фиксированного потока энергии возмущения потоки энергий возникающих в процессах дифракции.