Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Дубровский Ю.В., Новоселов К.С., Андерссон Т.Г.. Туннельные резонансы в структурах с двухступенчатым барьером // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Забенкин В.Н., Аксельрод Л.А., Воробьев А.А., Гордеев Г.П., Чурин С.А.. Распределение магнитного потока в сверхпроводниках II рода с большим размагничиванием и высоким краевым барьером // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Изменение с магнитным полем ширины пика аномального сопротивления в области аномалии при нулевом смещении для туннельных переходов n-GaAs/Me исследовано в диапазоне полей до 23 Тл при температурах 4.2 и 1.5 К. Полученные кривые не зависят от способа формирования поверхности полупроводниковой подложки (срез легированного монокристалла или эпитаксиально выращенный легированный слой), от сорта легирующей примеси (Te, Si) и металла (Au, Al). Сравнение с вычисленной зависимостью обменного потенциала от магнитного поля для электронов на нижайшем уровне Ландау поддерживает интерпретацию ширины пика аномального сопротивления как меры скачка обменно-корреляционного потенциала на поверхности вырожденного электронного газа. Эти результаты дают объяснение зависимости аномалии при нулевом смещении от магнитного поля и указывают на возможность прямых измерений обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки методом туннельной спектроскопии.

Исследованы электрические характеристики кремниевых диодов Шоттки, содержащих массивы квантовых точек Ge (КТ). Установлено, что введение плотных слоев КТ позволяет управлять высотой потенциального барьера вблизи контакта металл~-- полупроводник, что является следствием формирования планарного электростатического потенциала заряженных КТ. Обнаружены осцилляции фактора неидеальности барьеров Шоттки при изменении внешнего напряжения, обусловленные туннельным прохождением дырок через дискретные уровни в квантовых точках.

Используя магнитотуннельную спектроскопию, мы обнаружили спиновое расщепление основного состояния Si доноров, связанных с XD долиной в AlAs-барьере. Определены абсолютные значения эффективных величин продольного и поперечного g-факторов в AlAs-барьере, равные 1.82pm 0.15 и 1.11pm 0.12, соответственно.

Исследовано влияние СВЧ излучения в диапазоне частот от 1.2 до 10 ГГц на магнетосопротивление (МС) высокоподвижного двумерного электронного газа (2ДЭГ) в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами. Обнаружено, что под действием микроволнового поля в МС 2ДЭГ возникают осцилляции, периодичные по обратному магнитному полю (1/B). Установлено, что в исследуемом диапазоне частот период обнаруженных осцилляций зависит от мощности СВЧ излучения.

Измерена электропроводность кристаллов фуллерена С60 в условиях квази-энтропического нагружения размытой ударной волной до давления 30 ГПа при комнатной температуре. Обнаружено немонотонное поведение электропроводности образцов при увеличении давления: сначала электропроводность растет на много порядков, а затем быстро падает. Увеличение электропроводности объясняется уменьшением ширины запрещенной зоны под давлением, тогда как уменьшение электропроводности можно объяснить в предположении, что энергетический барьер для полимеризации С60 понижается с ростом давления примерно в той же мере, что и ширина запрещенной зоны. В результате, при высоких давлениях резко (более чем на 7 порядков) увеличивается скорость полимеризации С60.

Исследован магнетотранспорт высокоподвижного двумерного электронного газа (2ДЭГ) в одиночных GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения. В изучаемых селективно-легированных структурах в диапазоне температур от 10 до 25 К обнаружены осцилляции магнетосопротивления, периодичные по обратному магнитному полю, частота которых пропорциональна фермиевскому волновому вектору 2ДЭГ. Полученные экспериментальные результаты объясняются взаимодействием 2ДЭГ с псевдо-интерфейсными акустическими фононами.

This article is devoted to the analysis of economic essence of market accessibility problem, namely the barriers of entrance to a market, and to the evaluation of modern practice of overcoming those barriers. Barriers are regarded as factors providing economic, organizational, technical and other obstacles for business deployment at a new market. The article suggests a criteria system and classifies barriers, analyses those barriers and the conditions that make their impact on business performance significant, reveals the interdependence of proposed classifications and characterizes all classification groups 

Проведено теоретическое исследование реакций образования и распада дефектно-примесных комплексов в твердых телах, основанное на использовании обобщенного уравнения Лиувилля в фазовом пространстве. Использование этого уравнения (вместо обычно используемого уравнения диффузии) позволило получить для полной константы скорости реакции образования комплекса выражение, корректно учитывающее оба фактора, ограничивающие в общем случае скорость реакции --- диффузионную подвижность исходных компонентов и энергетический барьер реакции. Проведено сопоставление с теорией Вейта, основанной на диффузионном уравнении и учитывающей наличие энергетического барьера реакции посредством радиационного граничного условия на сфере реакции. Показано, что способ Вейта учета энергетического барьера приводит к систематическому и существенному занижению барьерно-ограниченной части полной константы скорости реакции. Обсуждены возможности обобщения развитой теории на случай реакций, в которых наряду с атомами и дефектами решетки участвуют также носители электрического заряда в полупроводниках --- электроны и дырки.