Найдено научных статей и публикаций: 104   
21.

Использование твердофазного прямого сращивания кремния дляформирования структур солнечных элементов свертикальными p-n-переходами     

Воронков В.Б., Гук Е.Г., Козлов В.А., Шварц М.З., Шуман В.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Разработана технология многопереходных кремниевых солнечных элементов, основанная на ионной имплантации и твердофазном прямом сращивании p+-p-n+-структур. Внутренний квантовый выход таких структур близок к единице в интервале длин волн 350/900 нм.
22.

Моделирование процессов эпитаксии, сублимации иотжига втрехмерном приповерхностном слое кремния     

Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Разработана модель Монте-Карло эпитаксии, сублимации и отжига на поверхности (111) алмазоподобного кристалла. Модель допускает существование нависающих структур и позволяет рассматривать поведение трехмерного приповерхностного слоя сложной конфигурации объемом до 107 атомных мест. Спомощью разработанной модели проведены исследования начальной стадии эпитаксиального роста на гладкой и пористой поверхностях, отжига ступенчатых и пористых поверхностей, а также рассмотрено влияние барьеров Швебеля на формирование компaктных трехмерных островков при эпитаксии в качестве одного из возможных кинетических механизмов образования квантовых точек. Исследовано поведение моноатомных ступеней на поверхностях (111) алмазоподобных кристаллов в процессе сублимации.
23.

Влияние моновакансий на ширину террас при сублимации споверхности (111) алмазоподобного кристалла     

Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Спомощью трехмерной модели Монте-Карло исследовалось влияние моновакансий на диффузионный обмен между ступенями на поверхности (111) алмазоподобного кристалла впроцессе сублимации. Определялась критическая ширина террас Lcr (расстояние от края ступени до ближайших устойчивых вакансионных островков) взависимости от соотношения энергий образования адатома на гладкой террасеEn идесорбции адатома стеррасыEd при сохранении суммы этих энергий Esub=En+Ed, которая характеризует сублимацию вещества. На полученных зависимостях Lcr(En) имеется четко выраженный максимум. Предложена формула, хорошо описывающая зависимости Lcr(En) при различных величинахEsub. Экстраполяция зависимости Lcr(En) для значения Esub=4.2 эВ, характерного для кремния, позволила провести сравнение модельных результатов сэкспериментальными данными других авторов. Предложено объяснение трехкратного увеличения ширины террас, наблюдаемое экспериментально вобласти температур1500 K.
24.

Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка     

Андреев В.М., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Титков С.С., Хвостикова О.А., Шварц М.З. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Сочетанием методов газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и диффузии Zn из газовой фазы были получены Ge-фотоэлементы на основе GaAs/Ge-гетероструктуры, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода. Расчетное значение кпд Ge-фотоэлемента превышает5.5% при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Достигнутые значения фототока в Ge-фотоэлементе близки к значениям фототока, получаемым в GaAs-фотоэлементе при одинаковых условиях освещения солнечным излучением с воздушной массой AM0, что обеспечивает возможность создания высокоэффективных каскадных концентраторных солнечных элементов с \glqq верхним\grqq GaAs-элементом и \glqq нижним\grqq Ge-элементом.
25.

Термофотоэлектрические преобразователи теплового иконцентрированного солнечного излучения     

Хвостиков В.П., Хвостикова О.А., Газарян П.Ю., Шварц М.З., Румянцев В.Д., Андреев В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Показана перспективность термоэлектрического способа преобразования тепловой и солнечной энергии при использованиии высокоэффективных узкозонных фотопреобразователей. Методами жидкофазной эпитаксии, газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, диффузии цинка из газовой фазы получены термофотоэлектрические преобразователи на основе структур GaSb и GaAs/Ge, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода. Это позволило получить термофотоэлементы на основе указанных структур с эффективностями соответственно25 и16% при температуре излучения черного тела T=1473 K и при условии100%-го возврата \glqq тепловых\grqq фотонов к эмиттеру.
26.

Причины устойчивости трехбислойных островков иступеней наповерхностиSi (111)     

Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Рейзвих И.А., Романюк К.Н., Тийс С.А., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Начальные стадии роста слоевGe иSi на сингулярной поверхностиSi(111) демонстрируют необычную морфологию ростовой поверхности при осаждении с низкой скоростью: образование треугольных островков высотой до трех атомных слоев. Спомощью моделирования по методу Монте-Карло показано, что дополнительный барьер 0.5-0.6 эВ для встраивания атомов на димеризованные связи на краях треугольных островков приводит к ускоренному росту островков в высоту и к изменению ориентации треугольников. Предложена гипотеза, объясняющая начальный рост многослойных островков и ограничение их высоты тремя бислоями влиянием краевых димеров, ориентация которых изменяется при достижении ступенью, перпендикулярной направлениям< 1 1 2>, высоты в 3бислоя. Спомощью сканирующей туннельной микроскопии обнаружены новые особенности атомной структуры регулярных трехбислойных ступеней на поверхностиSi(557). Результаты анализа изображений, полученных на сканирующем туннельном микроскопе, подтверждают гипотезу о формировании ряда димеров на краю трехбислойной ступени.
27.

Высокоэффективные (49&#37;) мощные фотоэлементы наоснове антимонида галлия     

Хвостиков В.П., Растегаева М.Г., Хвостикова О.А., Сорокина С.В., Малевская А.В., Шварц М.З., Андреев А.Н., Давыдов Д.В., Андреев В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Получены и исследованы высокоэффективные GaSb-фотоэлементы, предназначенные для преобразования мощного лазерного излучения и инфракрасного излучения эмиттеров, нагреваемых концентрированным солнечным излучением. Максимальный кпд преобразования излучения (lambda=1680 нм) полученных фотоэлементов составил49% при плотности фототока 50-100 А/см2. Исследованы пути снижения потерь на омических контактах к антимониду галлия p- и n-типа проводимости. Минимальные значения удельного сопротивления контактов (1-3)·10-6 Ом·см2 к p-GaSb с уровнем легирования 1020 см-3 были получены при использовании контактной системы Ti/Pt/Au. Для GaSb n-типа проводимости (2·1018 см-3) минимальные значения удельного контактного сопротивления составили 3·10-6 Ом·см2 при использовании контактных систем Au(Ge)/Ni/Au иAu/Ni/Au. PACS: 84.60.Jt, 78.55.Cr, 42.79.Fk, 73.50.Pz, 72.80.Ey
28.

Клиническая эффективность технологии динамического амбулаторного наблюдения за больными артериальной гипертонией с использованием компьютерной системы и мобильной телефонной связи (публикация автора на scipeople)     

В.А. Шварц, В.И. Гриднев, А.Р. Киселев, О.М. Посненкова - Саратовский научно-медицинский журнал , 2009
В Саратовском НИИ кардиологии разработана система динамического наблюдения больных АГ в амбулаторно-поликлинических учреждениях с использованием Internet-технологий и средств мобильной связи — это система мобильного мониторинга больных артериальной гипертонией (СММАГ), основанная на принципе обмена информацией между пациентом и врачом с помощью sms-шаблонов стандартного вида. Цель исследования — оценить эффективность применения СММАГ для динамического амбулаторного наблюдения за больными артериальной гипертонией (АГ) в течение 12 месяцев. В исследование включены 79 больных АГ возраста 49±11 лет. Период наблюдения — 12 месяцев. Контрольные визиты — 1, 6 и 12 месяцев наблюдения. На каждом контрольном визите подсчитывалась группа выбывших, анализировались причины выбытия, оценивалось достижение и подержание целевого значения АД. Данные представлены в виде М (95% ДИ). Через 1 месяц наблюдения регулярно отвечали на sms-запросы 88,6% больных, 11,4% пациентов выбыло из исследования; через 6 месяцев продолжили наблюдение 68,4% , выбыло всего 31,6% человек; через 12 месяцев — 67% и 33% соответственно. Достижение целевого АД через 1 месяц наблюдения определялось у 87% (77% — 96%) больных; через 6 месяцев наблюдения — у 78% (66%-90%); через 12 месяцев — у 68% (53%-84%). Показана высокая клиническая эффективность применения СММАГ: 67% больных принимают назначенную терапию в течение 12 месяцев, из них 68% достигают целевых значений АД.
29.

Клинический аудит качества медицинской помощи больным артериальной гипертонией в поликлинике города саратова с использованием компьютерной информационно-аналитической системы (публикация автора на scipeople)     

О.М. Посненкова, В.И. Гриднев, А.Р. Киселев, В.А. Шварц - Саратовский научно-медицинский журнал , 2009
Цель - показать возможности клинического аудита качества медицинской помощи (МП) больным артериальной гипертонией (АГ), проведенного в одной из поликлиник г. Саратова с помощью информационно-аналитической системы (ИАС) «Регистр АГ». Данные амбулаторных карт 205 больных АГ (средний возраст 52,8±9,1 года), наблюдавшихся в одной из поликлиник г. Саратова, анализировались с помощью системы клинических индикаторов ИАС «Регистр АГ». Оценивалось соответствие рекомендациям мероприятий диагностики, лечения и динамического наблюдения больных АГ, выполненных в 2007-2008 гг. Выявлено несоответствие положениям рекомендаций диагностических мероприятий по установлению клинического статуса пациента с АГ, мероприятий лечения и динамического наблюдения. Клиническая цель лечения АГ- поддержание целевого давления - не достигнута у 85% больных, основная причина - клинический статус пациента не учитывается при выборе тактики лечения и динамического наблюдения. Аудит позволил дать комплексную оценку процессу МП больным АГ в исследуемой поликлинике и выявить причины неудовлетворительных результатов МП. Использование компьютерной ИАС «Регистр АГ» систематизирует медицинскую информацию амбулаторных карт, автоматизирует процесс получения результатов индикаторов, что повышает надежность получаемых оценок
30.

Сравнение динамики показателей вегетативной регуляции сердечно-сосудистой системы на фоне лечения эналаприлом и метопрололом у больных артериальной гипертонией (публикация автора на scipeople)     

А.Р. Киселев, А.С. Караваев, В.И. Гриднев, О.М. Посненкова, В.А. Шварц, В.И. Пономаренко, М.Д. Прохоров, Б.П. Безручко - Саратовский научно-медицинский журнал , 2010
Цель - сравнительная оценка влияния эналаприла и метопролола на синхронизацию механизмов 0,1 Гц-регуляции сердца и микроциркуляции крови. Материалы и методы. В исследование включено 42 больных АГ 1-11 степени в возрасте 49±9 лет. Регистрация 0,1 Гц-колебаний в вариабельности ритма сердца (ВСР) и микроциркуляции крови производилась в ходе пассивной ортостатической пробы при спонтанном дыхании, продолжительностью каждого этапа пробы - 10 мин. Синхронизацию 0,1 Гц-ритмов оценивали вычислением разности фаз и численной меры синхронизации. Дополнительно получали частотные оценки спектра ВСР в HF и LF диапазонах. Результаты. Эналаприл и метопролол оказывали сопоставимый гипотензивный эффект. У больных АГ с выраженной вегетативной дисфункцией лечение обоими препаратами способствовало восстановлению функционального взаимодействия 0,1 Гц-регуляции сердца и микроциркуляции крови. Однако эналаприл более предпочтителен при лечении больных АГ с преобладанием нарушения вегетативной регуляции микроциркуляции крови. Метопролол оказывал положительное влияние на синхронизацию 0,1 Гц-ритмов у пациентов с преобладанием дисфункции вегетативной регуляции сердца, а также при симпатикотонии. У больных АГ с исходно удовлетворительным уровнем синхронизации 0,1 Гц-механизмов регуляции при лечении обоими гипотензивными препаратами наблюдалось их функциональное разобщение. Заключение. Дифференциация подхода к выбору схемы гипотензивной терапии у больных АГ может быть основана на индивидуальных особенностях системной вегетативной дисфункции, в частности, с учетом уровня синхронизации 0,1 Гц-ритмов в сердечно¬сосудистой системе исходно и на фоне лечения