Приводятся результаты исследования слоев пористого кремния (ПК), полученного электрохимическим травлением Si p-типа проводимости в условиях различного освещения: естественного, с помощью лампы накаливания и излучения ртутной лампы с фильтром и без фильтра. Структура слоев изучалась методом рентгеновской двухкристальной дифрактометрии, состав контролировался с помощью спектров ИК поглощения, излучательные свойства--- по спектрам фотолюминесценции (ФЛ). Установлено, что электрохимическое травление при подсветке приводит к получению ПК с более высокой пористостью и с более яркой ФЛ, максимум которой сдвинут в коротковолновую область. Эти изменения сопровождаются большим разупорядочением структуры и возрастанием содержания кислорода в слое. Делается вывод о том, что подсветка ускоряет реакцию химического взаимодействия ПК с электролитом за счет окисления. При хранении на воздухе в ПК с высокой пористостью происходит тушение ФЛ, в слоях с более низкой пористостью, наоборот,--- возгорание. Старение ПК характеризуется ростом микродеформации слоев, уменьшением размеров кристаллитов с частичной потерей ими когерентности с подложкой и увеличением доли аморфной фазы.

Проведено исследование спектров электролюминесценции p-n-структур на основе 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Обнаружено, что интенсивность экситонной полосы быстро увеличивается с ростом плотности прямого тока и что данная полоса становится преобладающей в спектре излучения диода при больших плотностях прямого тока и повышенных температурах. Исследование сдвига положения максимума излучения данной полосы с ростом температуры показывает, что она скорее всего обусловлена рекомбинацией свободного экситона.

Пленки PbTe/BaF2 выращены в неравновесных условиях методом модулированной лазерным излучением эпитаксии. Структурные свойства слоев исследовались рентгеноструктурными методами и сканирующей туннельной микроскопией. На основе этих исследований установлено, что пленки, полученные в неравновесных условиях на подложках (III) BaF2, являются зернистыми (d=< 250 Angstrem) с ориентацией(001). Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок зависят от технологических условий роста и определяются состояниями на межзеренных границах.

Исследованы кинетика нитридизации слоев a-Si : H и свойства образующихся при нитридизации структур, а также слоев a-Si : H в них. Изменение сопротивления слоев a-Si : H в ходе нитридизации описано конкуренцией легирования, переноса и изменением толщины остающегося слоя a-Si : H. Экспериментальные и расчетные данные по зонному спектру сверхрешеток при толщинах слоев a-Si : H~ 35 Angstrem и a-SiNx : H~ 5 Angstrem совпадают при описании моделью взаимодействующих квантовых ям при m*=(0.36± 0.1)m0. Сопоставление свойств сверхрешеток, получаемых последовательным осаждением слоев и нитризацией слоев a-Si : H, показало, что последние могут обладать более высоким "структурным совершенством".

Дан обзор оригинальных результатов, в которых: 1)экспериментально открыт новый класс спонтанно упорядоченных наноструктур--- равновесные массивы трехмерных когерентно напряженных островков на поверхности кристаллов; 2)построена теория спонтанного формирования полупроводниковых наноструктур в гетероэпитаксиальных системах; 3)экспериментально доказано существование нового класса полупроводниковых гетероструктур--- идеальных квантовых точек, обладающих delta-образным энергетическим спектром, подобным спектру одиночного атома; выполнено комплексное исследование оптических свойств квантовых точек; 4)реализованы инжекционные лазеры на квантовых точках, обладающие уникальными свойствами (высокая температурная стабильность, сверхвысокие значения усиления материала).

Получены монокристаллы GeS2 кристаллизацией из расплава и газотранспортным методом. Установлено, что кристаллы имеют моноклинную структуру с параметрами элементарной ячейки a=11.45 Angstrem, b=16.09 Angstrem, c=6.7 Angstrem, beta=91o. Измерены спектры отражения и пропускания в области края поглощения. Определена ширина запрещенной зоны, она равна 3.2 эВ.

Представлены спектральные характеристики показателя преломления и коэффициента экстинкции в диапазоне 0.6/2.0 эВ пленок аморфного кремния, полученных электронно-лучевым испарением при вариации температуры подложки, скорости напыления и температуры отжига на воздухе. Полученные результаты обсуждаются на основе изменений энергетической зоны Пенна в зависимости от указанных условий получения и обработки.

Впервые сообщается о наблюдении эффективной фотолюминесценции эрбия при комнатной температуре в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом плазмохимического осаждения.

Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев p-GaAs : Zn ориентации (100), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из галлиевого и висмутового расплавов при разных температурах. Установлено, что в исследованных слоях образуется новый центр излучательной рекомбинации. Концентрация центров возрастает с повышением уровня легирования пропорционально концентрации дырок в степени 5.35±0.1, причем показатель степени не зависит от металла--растворителя и температуры эпитаксии. Экспериментальные результаты объяснены в предположении, что центр является электронейтральным комплексом, в состав которого входят галлий на месте мышьяка и две вакансии мышьяка.

Плазменной обработкой монокристаллических пластин арсенида и фосфида галлия получены тонкие широкозонные слои. Исследованы спектральные зависимости фотолюминесценции полученных слоев и фоточувствительности структур слой/подложка. Анализ полученных результатов позволяет считать, что разработанный технологический процесс приводит к замещению атомов мышьяка и фосфора на азот и образованию на поверхности указанных полупроводников широкозонных слоев твердых растворов.