Исследованы особенности время-разрешенных спектров фотолюминесценции пористого кремния, сформированного химическим травлением монокристаллического кремния, подвергнутого модификации лазерным излучением. На амплитудных спектрах кроме полосы с максимумом на длине волны lambdamax~=530 нм обнаружена полоса с lambdamax~=420 нм вдвое большей интенсивности. Кривые релаксации характеризуются двумя группами времен: tau1

Исследовано формирование эпитаксиальных пленок теллурида свинца на кремниевой подложке с буферным подслоем пористого кремния. Несмотря на большое рассогласование постоянных решетки и температурного коэффициента расширения кремния и теллурида свинца, сформированные на основе этих пленок методом ионного легирования вертикальные фотодиоды инфракрасного диапазона характеризуются параметрами, приближающимися к параметрам аналогичных фотодиодов на ориентирующей подложке.

Изучено влияние условий получения пленок поликристаллического кремния методом молекулярно-лучевого осаждения на их структуру и электропроводность. Показано, что приложение к подложке отрицательного относительно кремниевого источника напряжения в интервале от 50 до 300 В приводит к формированию более совершенных пленок по сравнению с пленками, полученными в обычных условиях. Они имеют также более высокую электропроводность. Полученные данные объясняются влиянием бомбардировки растущей пленки ионами легирующей плимеси.

Исследованы электрофизические характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью по примесной зоне на кремнии легированном галлием (NrmGa~5·1017 rmсм-3). Блокирующие слои в структурах получены пассивацией легирующей примеси галлия гидрогенизацией в водородной плазме пониженного давления (высокочастотный разряд) при температуре подложки в диапазоне T=20/220o C. Обнаружено уменьшение при гидрогенизации энергии активации прыжковой проводимости с прыжками между ближайшими соседними атомами галлия с Ea=8.7 мэВ (в негидрирогенизированных структурах) до Ea=1.3 мэВ (после гидрогенизации при T=220o C). Изучены вольт-амперные характеристики и температурные зависимости темнового тока структур и их изменения после изохронных (t=20 мин) отжигов в диапазоне 220/400o C. Проведен расчет вольт-амперных характеристик при низких температурах. Показано, что расчетные данные совпадают с экспериментальными.

Проведен расчет диаграмм фазовых равновесий расплав--твердый раствор (диаграмм плавкости) и твердый раствор (I)--твердый раствор (II) (поверхностей спинодального распада твердых растворов) в пятикомпонентной системе In--Ga--As--Sb--P (твердые растворы изопериодны подложкам GaSb и InAs). Проведен расчет концентрационных областей твердых растворов изовалентного замещения InxGa1-xAsySbzP1-y-z, доступных к синтезу, методом жидкофазной эпитаксии.

Исследовано влияние обработок в плавиковой кислоте и отжига при T=350 oC на оптические свойства пористого кремния в инфракрасной области спектра. Дана интерпретация наблюдавшихся полос поглощения. Получена оценка коэффициента преломления и толщины пористого слоя.

Приводятся результаты по исследованию люминесцентных свойств ансамбля квантовых точек InAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии на сингулярных и вициальных поверхностях GaAs(100). Наибольшая величина ширины линии фотолюминесценции на полувысоте наблюдается в образцах, разориентированных на 3o, что свидетельствует о наибольшем разбросе квантовых точек по размерам в этом случае. Квазиравновесные квантовые точки формируются либо при повышенном времени выдержки образцов в потоке мышьяка, либо при большей величине осажденного индия.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с ориентацией (100) и (111) получены эпитаксиальные слои Si, Ge, Si1-xGex и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Изучены процессы роста указанных структур и методами рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии исследованы их структурные характеристики и химический состав. В частности показано, что при рассмотренных режимах получения сверхрешеток Si/Si1-xGex могут быть получены структурно совершенные напряженные сверхрешетки с числом сателлитов вплоть до ±5порядка.

Методами емкостной спектроскопии проведено исследование эпитаксиальных слоев 6H-SiC, полученных газофазной эпитаксией. Показано, что в исследованных образцах имеются те же глубокие центры, которые ранее были обнаружены в эпитаксиальных слоях SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Однако суммарная концентрация глубоких акцепторов в структурах, изготовленных газофазной эпитаксией, на 2/3 порядка меньше, чем в эпитаксиальных пленках, полученных сублимационной эпитаксией при том же значении Nd-Na. Высказываются предположения о возможном влиянии условий роста эпитаксиальных слоев на концентрацию и тип образующихся в них дефектов.

Эллипсометрическим методом исследован процесс образования мелкопористого слоя, насыщенного атомами инертного газа, в кристаллической решетке кремния, легированного большими дозами криптона, а затем облученного наносекундными лазерными импульсами. Изучено изменение комплексного показателя преломления в этом слое под действием лазерных импульсов разной мощности. С помощью сканирующего силового микроскопа прослежена трансформация пор в зависимости от плотности энергии лазерного отжига и оценены их размеры.