Исследована возможность получения резин, стойких к взрывной декомпрессии, на основе гидрированного бутадиен-нитрильного каучука \glqq Тербан\grqq с использованием комбинации технического углерода детонационного синтеза УДС-с (от 0.14 до 27.10 wt.%) и наполнителей с разной дисперсностью и анизометричностью. Влияние УДС-с проявляется в alpha-процессах релаксации, связанных с сегментальной подвижностью, и в медленных физических lambda-процессах релаксации упорядоченных микроблоков. Применение УДС-с в комбинации с наполнителями различного состава и структуры позволило разработать новый класс материалов, сохраняющих высокоэластические свойства и одновременно стойкость к взрывной декомпрессии.

Предложен новый способ получения нанокристаллического кремния, заключающийся в использовании больших доз облучения (D>> Da) ионами инертных газов, когда наноструктурирование происходит в результате процессов самоорганизации структуры кремния на границе аморфного слоя с кристаллической подложкой. Исследование фотолюминесценции (ФЛ) таких слоев показало существование двух полос в спектре люминесценции (720 и 930 nm). Предполагается, что за появление линий ФЛ ответственны квантово-размерные эффекты в нанокристаллах, а также интерфейсы, представляющие собой области разупорядоченного кремния за пределами аморфного слоя, разделяющие нанокристаллы. Проведены исследования зависимости интенсивности сигнала ФЛ от времени травления в HF и времени последующей выдержки образцов на воздухе. Исследовано влияние термического отжига на спектр ФЛ. Работа выполнена в рамках программы \glqq Фундаментальные исследования и высшее образование в России\grqq (BRHE), при поддержке Фонда гражданских исследований и разработок  США (CRDF) и Министерства образования РФ (грант N REC-001), а также при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16493).

Приведены экспериментальные результаты исследований начальных стадий роста пленки германия на атомарно-чистой окисленной поверхности кремния. Показано, что в данной системе рост пленки германия происходит в соответствии с механизмом Фольмера--Вебера. На окисленной поверхности кремния образуются упругонапряженные островки с латеральным размером менее 10 nm и плотностью 2·1012 cm-2. При толщинах пленки более 5 монослоев наряду с ними образуются островки германия с латеральными размерами до 200 nm и плотностью 1.5·109 cm-2, которые полностью срелаксированы. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16468 и 03-02-16506) и INTAS (грант N 03-51-5051).

Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния. В процессе эпитаксии на подложках, изготовленных из выращенного методом Чохральского кремния, происходит легирование растущего слоя примесями кислорода и углерода. Это позволяет упростить процесс легирования слоя Si : Er примесями-активаторами люминесценции, исключив встраивание в ростовую камеру специального капилляра для введения их из газовой фазы. В фотолюминесцентных спектрах всех исследуемых слоев при 78 K доминирует Er-содержащий центр с длиной волны в максимуме излучения 1.542 mum. Зависимости интенсивности этой линии в исследуемых интервалах температур подложки (400--700oC) и источника примеси эрбия (740-800oC) представляют собой кривые с максимумами. Наблюдавшиеся в спектрах ФЛ линии краевой люминесценции и P-линия главным образом возбуждаются в подложке. Измеренная методом обратного резерфордовского рассеяния протонов концентрация атомов эрбия в выращенных при температуре подложки 600oC эпитаксиальных слоях характеризуется экспоненциальной зависимостью от температуры источника эрбия с энергией активации ~ 2.2 eV. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоев Si : Er. Для сравнения исследовались люминесцентные свойства слоев Si, имплантированных ионами Er и O. Температурное гашение интенсивности фотолюминесценции Er-содержащих центров в МЛЭ- и имплантационных слоях хорошо описывается одинаковыми функциональными зависимостями с равными значениями энергий активации, но с различающимися более чем на два порядка коэффициентами перед экспоненциальными членами. Показано, что интенсивность электролюминесценции ионов Er3+ может быть увеличена путем дополнительной имплантации ионов эрбия и кислорода в МЛЭ-светоизлучающие диодные структуры и последующего отжига. При этом Er-содержащие центры продолжают оставаться доминирующими в спектре люминесценции. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

Методами просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, рентгенофазового анализа, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследованы структура и топография поверхности тонких пленок Ti--B--N, Ti--Cr--B--(N) и Cr--B--(N). Выполнен сравнительный анализ физических, механических и трибологических характеристик покрытий, включающий определение твердости, модуля упругости, упругого восстановления, критической нагрузки, коэффициента трения и скорости износа. Показано, что по своим физико-механическим и трибологическим свойствам покрытия Ti--B--N и Ti--Cr--B--N превосходят традиционные покрытия на основе TiN и Ti--C--N. Покрытия Ti--B--N и Ti--Cr--B--N, осажденные по оптимальным режимам, имели соответственно твердость 31--34 и 40--47 GPa, средний модуль упругости 378 и 506 GPa, коэффициент трения 0.49--0.6 и 0.45--0.52, скорость сухого износа (3.4-4.6)· 10-7 и (6.0-6.8)· 10-7 mm3N-1m-1 и максимальную критическую нагрузку 50 и 22 N. Обсуждаются особенности определения физико-механических свойств пленок при наноиндентировании и различный характер иx износа. Работа выполнена при финансовой поддержке Международного научно-технического центра (грант N 1852).

C помощью обычной и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные дефекты в слоях кремния, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием до концентрации [Er]=4· 1019 cm-3. Основными типами протяженных структурных дефектов при [Er]>=q2· 1019 cm-3 являются преципитаты Er округлой формы размером 4--25 nm, располагающиеся на границе эпитаксиальный слой--подложка, и пластинчатые выделения ErSi2, залегающие в плоскостях {111} и распространяющиеся по всей толщине слоя. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

Синтезированы материалы и получена керамика Bi2An-1BnO3n+3, в которой позиции A и B занимают ионы Ti, W, Pb, Nb, Mo. Изучены процессы синтеза, изменения объема и массы шихты при обжиге. Оптимизирована методика изготовления керамики. Представлены результаты исследования диэлектрических характеристик полученной керамики. Выявлены факторы, влияющие на размытие фазовых переходов. PACS: 81.05.Je, 77.84.Dy

На основе зависимости параметров межфуллеренного взаимодействия в ГЦК-фуллеритах от массы фуллерена Cnc изучена эволюция свойств ГЦК-фуллерита с изменением величины nc --- числа атомов углерода в фуллерене Cnc (15=<nc=<147). Показано, что при nc

В интервале температур 5--300 K измерены теплопроводность varkappa и удельное электросопротивление rho экокерамики канального типа --- биоморфного композита SiC/Si, приготовленного на основе канальной биоуглеродной матрицы, полученной из дерева белого эвкалипта с помощью пиролиза в атмосфере аргона, с последующей инфильтрацией в сквозные каналы биоуглеродной матрицы расплавленного Si. Исследованы образцы с концентрацией Si~ 30 vol.%. Температурные зависимости varkappa(T) и rho(T) измерялись на образцах, вырезанных параллельно и перпендикулярно оси роста дерева. Приводятся данные об анизотропии varkappa(T). С использованием результатов для varkappa(T) и rho(T) настоящей работы и литературных данных обсуждается поведение этих параметров в биоморфном композите SiC/Si в зависимости от концентрации в нем Si. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-03-33183), программы Президиума РАН (П-03) и Министерства науки и технологии Испании (проект МАТ 2003-05202-С02-01). PACS: 81.05.Zx, 65.90.+i, 72.80.Tm