Найдено научных статей и публикаций: 648
122.
Свойства алмазоподобных пленок, полученных в барьерном разряде при атмосферном давлении
Из газообразных углеводородов в барьерном разряде при атмосферном давлении получены алмазоподобные пленки. Проведены исследования покрытий методами просвечивающей электронной микроскопии, дифракции электронов и абсорбционной ИК спектроскопии. Изложена методика определения количественных характеристик пленок (доля водорода, соотношение разных видов углерод-углеродных связей и углеводородных групп) с помощью эталонных образцов. Покрытия с наилучшими характеристиками получены из метана (отношение атомов водорода и углерода H/C=1.04, доля алмазоподобных и графитоподобных связей sp3!:! sp2=100%!:!0%) и из смеси ацетилена и водорода в соотношении 1!:!19 (H/C=0.73, sp3!:sp2= 68%:32%).
123.
Получение высокообогащенных изотопов ртути фотохимическим методом
В России создана автоматическая установка "Фотон-М" для производства изотопов ртути. Получение изотопов осуществляется с использованием фотохимической реакции возбужденных атомов ртути с кислородом в присутствии бутадиена-1.3. В связи с этим рассмотрены возможности разделения всех изотопов ртути, в том числе изотопов с перекрывающимися контурами резонансной линии. На установке "Фотона-М" производятся изотопы Hg-196, Hg-198, Hg-202 с концентрациями свыше 98, 99 и 99% соответственно в количествах, достаточных для потребления в России и экспорта за рубеж.
124.
Спектральные и сцинтилляционные характеристики составных детекторов рентгеновского излучения, полученных на основе кристаллов иодистого кальция
Приведены результаты исследования спектральных и сцинтилляционных свойств чистых и активированных примесями Tl+, Eu2+, Fe2+, Co2+ и Ni2+ кристаллов иодистого кальция, а также результатов измерения сцинтилляционных характеристик составных детекторов рентгеновского излучения, полученных на основе кристаллов иодистого кальция. Показано, что кристаллы CaI2 и CaI2 : Tl в паре могут использоваться для изготовления составных детекторов с разным временем высвечивания. Кристаллы CaI2 и CaI2 : Eu благодаря их высокому световыходу и хорошему энергетическому разрешению пригодны для изготовления составных детекторов с разным техническим световыходом. Сцинтилляторы CaI2 либо CaI2 : Eu совместно со сцинтилляторами на основе иодистого кальция с люминесцентно тушащей примесью группы железа (Fe2+, Co2+ и Ni2+) могут быть использованы для получения составных детекторов с разным физическим световыходом.
125.
Моделирование процесса низкотемпературного получения газочувствительных пленок оксида олова
Рассмотрен процесс осаждения пленок оксида олова методом реактивного распыления стехиометрической мишени. Установлены условия, при которых можно сформировать кристаллическую структуру слоя и получить газочувствительность без последующего высокотемпературного отжига.
126.
О получении распределения температур в жидкости и твердом теле с помощью голографической интерферометрии
Показано применение голографической интерферометрии к решению двух задач: нагревание стеклянной пластины сложным источником тепла и неизотермическое обтекание клина затопленной струей. Автоматизирован процесс выделения скелетных линий на интерферограммах, их нумерация и непосредственный расчет полей температур.
127.
Получение эпитаксиальных слоев оксида цинка на неориентирующих подложках
Сообщается о первых экспериментах по выращиванию монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках (поликор и плавленный кварц) методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обеспечения автоэпитаксии на поверхность неориентирующей подложки предварительно методом магнетронного распыления нанесен оптимизированный промежуточный слой оксида цинка толщиной 200--1000 Angstrem, представляющий собой текстуру базисной ориентации вне зависимости от ориентирующих свойств подложек. Показано, что последующее выращивание слоев на такой поверхности методом ХТР до толщин 1--5 обеспечивает высокое структурное совершенство, однородность и очень гладкую поверхность, в то время как на части поверхности без буферного слоя осаждаются поликристаллические пленки. Предложенный метод может быть использован для выращивания гетероэпитаксиальных структур и других электронных материалов на неориентирующих подложках методом ХТР.
128.
Влияние легирующей примеси на текстуру пленок поликристаллического кремния, полученных в процессе молекулярно-лучевого осаждения
Установлены закономерности изменения текстуры пленок поликристаллического кремния от сорта легирующей примеси и температуры роста.
129.
Получение мощных электронных пучков в магнетронных пушках с вторично-эмиссионными катодами
Приведены исследования мощных электронных пучков в магнетронных инжекторах на основе холодных вторично-эмиссионных катодов. Получен устойчивый процесс генерации электронного пучка мощностью до 8 MW.
130.
Потоки углерода из дугового разряда в режимах, оптимальных для получения фуллеренов
Измерены радиальные массы углерода из межэлектродного зазора дугового разряда в режимах, оптимальных для получения фуллеренов. На базе полученных экспериментальных результатов сделаны определенные заключения о трансформации углеродных частиц в газоплазменной струе.