Приводятся результаты исследований по генерации мощных элекронных пучков в одиночной и системе инжекционных магнетронных пушек с холодными вторичноэмиссионными катодами. Получены трубчатые электронные пучки с током 50... 100 A, энергией частиц 30... 100 kV и импульсной мощностью 1... 5 MW. Такие пучки могут быть использованы как источники электронов в ускорительной технике и при создании мощных СВЧ приборов обычного и многолучевого типов.

Представлены экспериментальные результаты распределения толщины пленки разлагающихся полупроводниковых соединений, полученных с использованием капиллярных испарителей. В приближении вязкого потока получено выражение, описывающее толщину пленки на поверхности подложки в зависимости от расстояния от края капилляра до площадки осаждения и угла между осью капилляра и направлением осаждения.

Методом вторично-ионной масс-спектрометрии исследован элементный состав образцов тонких алмазоподобных пленок, плученных в сверхвысоком вакууме путем ионно-лучевого осаждения на поверхностях кремниевых подложек. Качественный анализ результатов и их сравнение с данными, полученными для образцов графита и пироуглерода, показал высокую химическую чистоту полученных алмазоподобных покрытий.

Предложен метод получения композитных металл-углеродных покрытий, основанный на магнетронном распылении мозаичных катодов. В качестве катода использованы металлы IV, V и VI групп. Для каждого случая проведена компьютерная оптимизация мозаичных элементов катода. Электронная дифракция на отражение показала, что покрытия имеют аморфную и нанокристаллическую структуру. Эти структуры термически стабильны, а покрытия характеризуются особыми физическими свойствами, в особенности низким коэффициентом трения и высокой твердостью.

Обсуждаются результаты экспериментальных исследований структуры и электрических свойств селенида галлия и селенида индия, имеющих слоистую кристаллическую структуру, интеркалированных медью и галлием с помощью лазера.

Пленки ZnS : Cu изготовлены химическим безвакуумным методом путем совместного пиролиза дитиокарбаматов цинка и меди при температуре подложки в диапазоне 260-300oC. Исследование структуры пленок показало, что они являются поликристаллическими, гексагонального типа, с преобладающей ориентацией в направлении < 0001>. Исследованы вольт-яркостные, вольт-зарядовые характеристики пленок, волны яркости, спектры электролюминесценции и деградационные характеристики светоизлучающих структур. Обсужден механизм возбуждения электролюминесценции и характер деградации. Сделан вывод о перспективности применения MOCVD-метода для изготовления электролюминесцентных пленок ZnS : Cu.

Предложено и экспериментально опробовано устройство для получения ударных волн большой интенсивности при малых энергиях электрического разряда в газе.

Приводятся результаты исследований генерации мощных электронных пучков в одиночной и системе инжекционных магнетронных пушек с холодными вторично-эмиссионными катодами. Получены трубчатые электронные пучки с током 50...100 A, энергией частиц 30...100 kV и импульсной мощностью 1...5 MW. Такие пучки могут быть использованы как источники электронов в ускорительной технике и при создании мощных СВЧ приборов обычного и многолучевого типов.

Выращены тонкие пленки GaN на монокристаллических (001) подложках GaAs путем обработки последних в активных радикалах азота. С примерением вторичной оже-спектроскопии проанализированы профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Обнаружена существенная нестехиометрия состава пленки GaN на поверхности --- избыток азота (~9%), обусловленная присутствием в разрядной камере атомарного азота. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев путем применения высокоразрешающей рентгеновской дифрактографии. Показано, что низкотемпературные процессы (температуры отжига меньше 700oC) способствуют формированию кубической структуры тонких пленок GaN на (001) поверхности кубического GaAs, а более высокотемпературные процессы --- гексагональной.

Исследована зависимость оптических и электрических свойств золотых пленок толщиной от менее 1 до 8 nm, полученных методом ионно-лучевого распыления с использованием ионов аргона и кислорода. Показано, что свойства пленок не зависят от типа применявшихся для распыления ионов. Установлено, что пленки толщиной от 1 до 5 nm являются сплошными и обладают высокой прозрачностью. Получены методом ионно-лучевого распыления ионами кислорода омические контакты NiOx/Au к p-GaN.