Теоретически рассматривается модель фотоиндуцированной оптической анизотропии в аморфных полупроводниках. Изменение оптических характеристик образца связывается с фотогенерацией близнецовых электронно-дырочных пар. Если пары генерируются линейно поляризованным светом, то дипольные моменты близнецовых пар лежат главным образом в плоскости поляризации, что делает образец оптически анизотропным. Модель связывает оптическую анизотропию образца со средним квадратом проекции дипольного момента единицы объема на ось поляризации излучения < P2z>. Эволюция величины < P2z> определяется кинетикой дрейфа и рекомбинации носителей в близнецовых парах. Рассчитывается кинетика фотоиндуцированной анизотропии при непрерывном облучении образца и релаксация последней при импульсном воздействии поляризованного света.

Теоретически исследовано влияние разогрева решетки на кинетику установления термоэдс горячих носителей заряда в p-n-переходе. Показано, что разогрев решетки приводит к дополнительному третьему этапу установления термотоков и термоэдс горячих носителей со временем релаксации, определяемым теплопроводностью и теплоемкостью образца. Показано также, что третий этап более медленный, чем предыдущие два этапа, установленные А.И.Вейнгером и М.П.Саргсянсом.

В рамках формализма матрицы плотности вычислены коэффициенты нелинейного поглощения волны накачки и пробной волны в прямозонном полупроводнике. Основная особенность расчета заключается в учете дисперсии носителей. Впервые показано, что закон дисперсии определяет характер насыщения коэффициента поглощения. Зависимость вычисленных коэффициентов поглощения от частоты и интенсивности сильно отличается от зависимостей, известных ранее. Показано также, что обычная теория межзонного нелинейного поглощения, основанная на кинетических уравнениях для носителей, приводит к правильным результатам только в пределе малых интенсивностей накачки.

Исследовано влияние искажения греющей волны на рекомбинационные токи и эдс, генерируемые на p-n-переходе в сильном СВЧ поле. Показано, что высокочастотные возмущения поверхностного потенциала и высоты p-n-перехода греющей волной в режиме тока короткого замыкания приводят к уменьшению эффективной высоты барьера, а в режиме холостого хода к аномально большим значениям эдс.

Показано, что в неупорядоченных полупроводниках, характеризующихся достаточно быстро убывающей энергетической плотностью локализованных состояний, при низких температурах, когда можно пренебречь вкладом термоактивированных прыжков носителей заряда в процесс прыжкового транспорта, в трехмерном случае может существовать равновесное энергетическое распределение носителей заряда. Асимптотика этого распределения является больцмановской экспонентой с некоторой эффективной температурой, зависящей от напряженности электрического поля.

Найдены численные решения уравнения Шредингера с открытыми граничными условиями, позволяющие описать когерентную генерацию резонансно-туннельного диода в широком интервале частоты и амплитуды полей. В линейном по полю приближении и адиабатическом пределе численные результаты совпадают с аналитическими результатами с высокой точностью. Найдена мощность генерации в зависимости от тока и параметров резонансно-туннельного диода. Показано, что в квантовом режиме возможна генерация большой мощности на частотах, превышающих ширину уровня, т. е. в терагерцовом диапазоне.

Развита теория стационарной одномодовой генерации когерентного каскадного лазера на двух квантовых ямах. Найдены мощность и частота генерации в зависимости от тока когерентной накачки и параметров структуры. Показано, что режим автоподстройки существует и в двухъямной структруре, это обеспечивает эффективную генерацию и линейных ход возрастания мощности при увеличении тока накачки.

Рассмотрены электронные состояния в квантованном сферическом слое при наличии статического радиального поля. Получены выражения для энергетического спектра и волновых функций носителей заряда. Коэффициент электропоглощения носит резонансный характер, причем в каждой подзоне наблюдаются осцилляции, обусловленные электрическим полем. Наличие электрического поля приводит также к смещению края поглощения в коротковолновую область. Сувеличением поля в каждой подзоне размерного квантования наблюдается слабый рост коэффициента поглощения.

Экспериментально показано изменение условий собирания примесей после долговременных отжигов, предшествующих диффузии примесных атомов. Вкачестве метки этих изменений используется золото в акцепторном состоянии, влияющее на величину удельного сопротивления и время релаксации фотопроводимости.

Теоретически изучены нелинейный отклик и когерентная генерация резонансно-туннельного диода вшироком интервале частот и амплитуд полей для реальных структур и при постоянном напряжении смещения. Показано, что результаты хорошо качественно согласуются с идеализированной моделью, если ширины резонансного уровняGamma в квантовых ямах одинаковы. Таким образом, в \glqq квантовом\grqq режиме генерация терагерцовых полей большой мощности возможна и в реальных условиях. Вработах также явно найдено, что время установления тока в резонансно-туннельном диоде равно обратной величинеGamma.