Для Z-среза гексагонального кристалла с помощью модифицированного метода среднего поля в рамках теории возмущений аналитически исследованы дисперсия и затухание поверхностных акустических волн Рэлея на свободной статистически шероховатой поверхности. В области частот, достижимых по теории возмущений, выполнены численные расчеты с использованием выражений для действительной и мнимой частей комплексного сдвига частоты волн Рэлея, вызванного слабой шероховатостью поверхности. Показано, что для Z-среза гексагонального кристалла характер дисперсии и затухания рэлеевских волн качественно совпадает со случаем изотропной среды, отличаясь в количественном отношении. В длинноволновом пределе lambda>> a, где a --- поперечная корреляционная длина шероховатости, в явном аналитическом виде получены выражения для относительного изменения фазовой скорости и обратной длины затухания волн Рэлея, с использованием которых также были выполнены численные расчеты.

Рассмотрено влияние однородного внешнего электрического поля на состояния носителей заряда в квантованном сферическом слое. Получена явная зависимость величины энергетического сдвига от напряженности внешнего поля и геометрических размеров образца. Рассчитан коэффициент электрооптического поглощения для внутризонных дипольных переходов.

Посредством численного моделирования исследовано влияние разупорядочения на критическую температуру s-волновых сверхпроводников с малой длиной когерентности. В качестве расчетной модели использовалась двумерная модель Хаббарда с притяжением. Расчеты проводились в рамках подхода Боголюбова--Де Жена, что позволило учесть пространственную неоднородность параметра порядка. Исследовано, насколько влияет учет пространственной неоднородности физических величин на полученные результаты. Показана возможность возрастания критической температуры при разупорядочении.

В аналитическом виде получены выражения для дисперсии и затухания волн Рэлея, распространяющихся в произвольном направлении вдоль статистически шероховатой свободной поверхности гексагонального кристалла (Z-срез). Рассматривается шероховатость --- канавки случайной решетки --- одномерного типа (функция профиля шероховатости зависит от одной координаты). Использовались результаты, полученные ранее при решении аналогичной задачи для шероховатости двумерного типа. Найденные выражения для дисперсии и затухания волн Рэлея исследованы аналитически и численно во всем диапазоне частот, достижимых в рамках теории возмущений. Показано, что характер дисперсии и затухания рэлеевских волн качественно совпадает со случаем изотропной среды.

Теоретически изучено распространение коротких радиоволн в висмуте в геометрии, когда постоянное магнитное поле  H направлено вдоль биссекторной оси кристалла, ориентированной по нормали к поверхности пластины. В этой геометрии реализуется ситуация, в которой пространственная неоднородность волнового поля несущественна для электронов, но весьма важна для дырок. Показано, что в определенном интервале значений H в висмуте могут существовать две моды: геликон и доплерон, затухание которых определяется циклотронным поглощением дырками. При малых амплитудах волнового поля, когда реализуется линейный режим, циклотронное поглощение приводит к тому, что длины затухания обеих мод оказываются малыми. В нелинейном режиме магнитное поле волны \glqq захватывает\grqq дырки, ответственные за циклотронное поглощение. В результате поглощение подавляется и длины затухания геликона и доплерона резко возрастают. Возбуждение таких мод в пластине висмута приводит к тому, что зависимость ее импеданса от величины H приобретает резонансный характер и коэффициент прохождения волны через пластину возрастает более чем на два порядка. Этот эффект должен иметь место при частотах порядка десятка мегагерц, в сравнительно слабых магнитных полях (порядка десятков эрстед).

Для Z-среза гексагонального кристалла со свободной статически-шероховатой поверхностью в рамках теории возмущений с помощью модифицированного метода среднего поля в аналитическом виде получены выражения для дисперсии фазовой скорости и обратной длины затухания поверхностных акустических волн сдвиговой горизонтальной поляризации. Рассмотрены как двумерно-, так и одномерно-шероховатые поверхности. При этом одномерно-шероховатая поверхность рассматривается как частный случай двумерно-шероховатой. Показано, что на плоской поверхности Z-среза гексагонального кристалла существование сдвиговых поверхностных волн горизонтальной поляризации невозможно. Полученные выражения исследованы аналитически и численно во всем достижимом в теории возмущений диапазоне частот. Рассмотрен наиболее интересный с точки зрения эксперимента длинноволновый предел, когда длина волны много больше корреляционного радиуса шероховатости. Найдены условия существования волн SH-поляризации для обоих типов шероховатости. Показано, что характер дисперсии и затухания волн SH-поляризации качественно совпадает с рассмотренным нами ранее для изотропной среды.

Для функции плотности состояний носителей заряда в примесной зоне слаболегированного полупроводника предлагается зависящая от двух параметров итерполяционная формула, которая справедлива для произвольного значения энергии. Указанные параметры, первый из которых есть уровень Ферми, а второй характеризует ширину пиков функции плотности состояний, определяются из условий нормировки и электронейтральности.

Показано, что в висмуте возможен геликон-фононный резонанс. Он должен иметь место в диапазоне коротких радиоволн в геометрии, когда постоянное магнитное поле  H направлено вдоль биссекторной оси кристалла, ориентированной по нормали к поверхности пластины. Резонанс обусловлен деформационным взаимодействием дырок со звуковой волной. Резонанс происходит в сравнительно слабых магнитных полях порядка десятков эрстед в ситуации, в которой пространственная неоднородность волнового поля несущественна для электронов, но важна для дырок. PACS: 63.20.Kr, 72.15.Eb, 72.50.+b

Синтезированы методом химической транспортной реакции монокристаллы Ga0.5In1.5S3 и исследованы вольт-амперные характеристики и температурные зависимости электропроводности. Показано, что механизм прохождения тока в структуре In--Ga0.5In1.5S3--In обусловлен монополярной инжекцией.

Исследована временная эволюция первоначально неоднородного в латеральном направлении состояния резонансно-туннельной структуры. Показано, что в области вертикальных напряжений, при которых на вольт-амперной характеристике структуры наблюдается гистерезисная петля, возможен переход электронной системы из одного устойчивого состояния в другое. В данном случае переходный процесс реализуется в виде бегущей волны, где одна устойчивая фаза поглощается другой. Определена скорость этой волны. Показано, что существует напряжение, при котором скорость равна нулю и возможно устойчивое сосуществование двух фаз.