Найдено научных статей и публикаций: 735
151.
Определение рекомбинационных параметров полупроводникового материала с помощью метода Прони
Использован обобщенный метод Прони для обработки экспериментальных данных релаксационного типа. Метод позволяет разделять составной релаксационный процесс на элементарные составляющие (затухающие экспоненты) и систематически отслеживать изменение их параметров при внешнем воздействии, что открывает дополнительные каналы информации о порождающем физическом процессе. Метод применен к обработке данных спада фотопроводимости сложнолегированного компенсированного кремния в интервале температур 100--300 K после импульсного возбуждения лазерным излучением с lambda=1.06 mum в микроволновом поле. Получено значение энергии залегания уровня 0.17±0.01 eV, что хорошо согласуется с энергией комплекса кислород--вакансия.
152.
О механизме влияния плотности ионизации в треке быстрой заряженной частицы на световыход сцинтилляций
Показано, что влияние созданной быстрой заряженной частицей плотности ионизации на световыход сцинтиллятора определяется процессом релаксационного перехода электрона от атома примеси к иону основного вещества.
153.
Распределение легких ионов по глубине при облучении мишени под скользящими углами падения
Аналитически расcчитана зависимость объемнoй плотности легких ионов от глубины при скользящем падении пучка на поверхность полубесконечного слоя вещества. Предполагалось, что взаимодействие ионов с атомами среды описывается обратно-степенными потенциалами (V(r)~ r-1/nu ). Расчеты показали, что плотность числа ионов не является монотонной функцией, а достигает своего максимального значения на некоторой глубине внутри вещества. Чем медленнее потенциал взаимодействия спадает с увеличением r (т. е. чем больше параметр nu), тем отчетливее проявляется максимум плотности ионов и тем на больших глубинах этот максимум достигается. На больших глубинах плотность ионов убывает по степенному закону.
154.
Обдирка быстрых ионов кислорода при столкновениях с атомами легких элементов
На основе имеющихся экспериментальных данных и теоретических расчетов, выполненных в настоящей работе, оценены сечения одноэлектронной обдирки ионов кислорода OZ+ с зарядом Z=1-7 в области энергий E=0.5-200 MeV/u при столкновении с атомами H, He, N, O и Ar. Приведены аналитические аппроксимации полученных сечений.
155.
Локальные измерения магнитных характеристик высокотемпературных сверхпроводниковых пленок
Представлена новая экспериментальная методика измерения магнитных характеристик пленок высокотемпературных сверхпроводников с использованием в измерительной схеме лазера, позволяющего проводить локальные измерения. Проведены измерения магнитных характеристик пленок ВТСП, результаты которых представляют научный и практический интерес.
156.
Влияние неупругих потерь энергии на развитие каскадов атом-атомных столкновений
Теоретически исследуется вопрос о влиянии неупругих потерь энергии (ионизационного торможения) частиц на развитие каскадов атом-атомных столкновений в бесконечной среде. Основное внимание уделено изучению угловых и энергетических распределений первичных ионов и каскадных атомов при наличии торможения. Аналитические расчеты проведены в предположении, что однократное рассеяние частиц происходит по закону твердых шаров, а значение электронной тормозной способности среды определяется формулой Линдхарда. Было показано, что учет торможения (непосредственно при решении транспортного уравнения Больцмана) принципиально изменяет полученные ранее угловые и энергетические спектры ионов и каскадных атомов. Более того, именно торможение является определяющим фактором, ответственным за анизотропию угловых распределений низкоэнергетических первичных ионов и каскадных атомов.
157.
Применение высокочастотного ондулятора для фокусировки и ускорения ионных пучков
Обсуждается возможность использования несинхронных с пучком гармоник высокочастотного поля для фокусировки и ускорения заряженных частиц в периодических резонансных структурах. Найдены условия, при которых имеет место эффективное ускорение частиц в поперечных и в продольных полях высокочастотного ондулятора. Рассмотрены примеры реализации предложенного способа фокусировки и ускорения частиц, а также результаты численного расчета динамики ионов дейтерия в новом типе линейного ускорителя.
158.
Закон сопротивления для турбулентного течения Тэйлора--Куэтта при очень больших числах Рейнольдса
Предложены новые выражения для закона сопротивления и безразмерного момента сил для турбулентного течения Тэйлора--Куэтта, исходя из обобщенной модели локального баланса турбулентной энергии. Эти формулы содержат единственную постоянную --- постоянную Кармана в случае предельно больших чисел Рейнольдса.
159.
Асимметричный резонатор Фабри--Перо с произвольно-неоднородным слоем внутри
Предложен новый метод определения амплитуд отражения и прохождения плоской произвольно поляризованной электромагнитной волны, падающей наклонно на неоднородный диэлектрический слой, находящийся внутри асимметричного резонатора Фабри--Перо. Получены алгебраические соотношения, связывающие амплитуды рассеяния волны, для слоя, граничащего с различными однородными полубесконечными средами с амплитудами рассеяния для того же слоя, граничащего с обеих сторон с вакуумом. Рассматриваются три конкретных примера, соответствующих реальным ситуациям, для которых выполнены соответствующие численные вычисления и проведено обсуждение полученных результатов.
160.
Исследование направленно-кристаллизованной керамики нейтрон-дифракционными методами
С использованием малоуглового рассеяния нейтронов и методами структурной нейтронографии с постоянной длиной волны и по времени пролета нейтронов проведено исследование влияния скорости роста направленно-криcталлизованной керамики состава Al2O3--Y3Al5O12 на степень совершенства микроструктуры двух фаз синтезированного образца. Показано, что при большей скорости роста ориентация и размеры нитевидной фазы Y3Al5O12 не изменяются, а фаза-матрица Al2O3 распадается на отдельные кристаллиты. Предложено использовать нейтрон-дифракционные методы для осуществления гибкого управления процессом роста кристаллов.