Врамках последовательной квантово-механической модели численно найдены отклик и мощность когерентной генерации резонансно-туннельного диода в широком интервале частот с учетом межэлектронного взаимодействия. Показано, что \glqq квантовый режим\grqq генерации сохраняется и при учете межэлектронного взаимодействия. Таким образом, возможна генерация большой мощности на частотах, превосходящих ширину резонансного уровня. В\glqq классическом \grqq режиме следует ожидать даже улучшения параметров генерации, вчастности уменьшения порога генерации. Это связано с ростом отрицательной дифференциальной проводимости из-за межэлектронного взаимодействия.

Теоретически изучено влияние резонансного лазерного импульса на квантовую динамику электрона в системе из двух полупроводниковых квантовых точек. Сучетом возможного различия размеров квантовых точек найдены значения частоты, амплитуды и длительности импульса, при которых вероятность резонансного перехода электрона из основного состояния одной квантовой точки в основное состояние другой квантовой точки является максимальной. Вкачестве конкретного примера рассмотрены квантовые точки, имеющие форму, близкую к кубической.

Рассмотрено влияние однородного внешнего электрического поля на состояния носителей заряда вквантованном сферическом слое. Получена зависимость величины энергетического сдвига от напряженности внешнего поля и геометрических размеров образца. Рассчитан коэффициент электрооптического поглощения для межзонных дипольных переходов.

Теоретически изучено влияние резонансного электромагнитного импульса на когерентную динамику электрона в системе туннельно-связанных квнтовых точек, имеющей конфигурацию замкнутого кольца. Показана возможность селективного переноса электрона между двумя произвольными квантовыми точками. Найдено выражение для вероятности переноса как функции параметров квантовых точек и электромагнитного импульса. Показано, что эта вероятность может быть близка к единице. Обсуждаются факторы, влияющие на ее уменьшение в реальной системе. Полученные результаты могут быть использованы при разработке наноэлектронных устройств нового типа, предназначенных для операций с квантовыми битами.

В одноэлектронном приближении рассмотрено изменение энергетического спектра носителей заряда в цилиндрическом полупроводниковом слое под влиянием поперечного к оси симметрии однородного электрического поля. Получена явная зависимость величины штарковского сдвига от напряженности внешнего поля и нанорадиальных размеров образца. Рассчитаны также коэффициенты поглощения и получены соответствующие правила отбора для межзонных и внутризонных-межподзонных оптических переходов в присутствии внешнего электрического поля.

Развита теория нелинейного высокочастотного отклика для двухъямной наноструктуры в постоянном электрическом поле. Такая структура является простейшей на пути от одноямной (резонансно-туннельный диод--- РТД) к сверхрешетке с однозонной \glqq штарковской лестницей\grqq. Вработе с помощью численного решения уравнения Шредингера найден ток поляризации в широком интервале частот и полей (включая сильные поля) для модельных и реальных структур. Показано, что отклик двухъямной наноструктуры значительно превосходит (на1-2порядка) отклик резонансно-туннельного диода. Предсказывается новый оптимальный режим генерации, аналогичный режиму в когерентном лазере на межуровневых переходах.

Изучается проблема оптимизации для интенсивности поля излучения второй гармоники на слое с наноструктурой в виде двойной квантовой ямы. Выявлены значения параметров ямы, обеспечивающих режим двойного резонанса. Проведено исследование зависимости оптических характеристик системы от параметров ямы. Рассмотрена задача оптимизации интенсивности поля излучения второй гармоники. Показано, что максимальное преобразование излучения получается при наибольшем значении коэффициента генерации второй гармоники. PACS: 78.67.De

Исследование линейчатых и нелинейчатых поверхностей на основе новых видов преобразования пространства: Автореф.дис. ...канд.техн.наук:05.01.01 / А. В. Ефременко; Нижегор.гос.архитектур.-строит.ун-т. - Н.Новгород, 2000. - 25с.

Интеграция электронных геометрических и текстовых данных об изделии на этапе подготовки производства: Автореф.дис. ...канд.техн.наук:05.01.01 / С. М. Локшин; Нижегор.гос.архитектур.-строит.ун-т. - Н.Новгород, 2000. - 25с.

Геометрическое моделирование многогранных конструкций с плоской разверткой поверхности из модульных элементов: Автореф.дис. ...д-ра техн.наук:05.01.01 / И. Т. Мишанин; Нижегор.гос.архитектур.-строит.ун-т. - Пенза, 2002. - 38с.