Найдено научных статей и публикаций: 650
161.
Нефононный механизм сверхпроводимости в соединениях с квазидвумерными комплексами NiB
Изучаются особенности нефононного спаривания гибридизованных p-, d-электронов в составе плоских комплексов NiB при наличии сильного короткодействующего отталкивания Хаббарда. На основе обобщенной модели Хаббарда произведен расчет фазовой диаграммы сверхпроводимости в зависимости от степени недозаполнения 2p6- и 3d10-оболочек в комплексах NiB. Установлена фазовая область состояний с наиболее высокими значениями температуры сверхпроводящего перехода.
162.
Оптические исследования квантоворазмерных полупроводниковых гетероструктур на основе соединений ZnSe/ZnMgSSe
Представлены результаты оптического исследования гетероструктур на основе новых соединений ZnSe/ZnMgSSe. Показана возможность использования этих соединений для создания высококачественных квантоворазмерных структур, обладающих яркими экситонными особенностями в оптических спектрах. На основе анализа спектров отражения измерены экситонные параметры: резонансная частота, сила осциллятора и затухание экситонной линии. Из анализа магнитооптических спектров определены энергии связи экситонов. Исследованные образцы обладают высоким структурным совершенством и малой неоднородной шириной экситонных резонансов.
163.
Исследование электронной структуры примесных атомов ртути в соединениях методом конверсионной электронной спектроскопии
Выполнены первые исследования структуры валентной области конверсионного спектра 1.56 keV (M1+E2)-перехода в 201Hg. Обнаружено существенное влияние физико-химического окружения на локальную электронную плотность примесных атомов ртути. Обсуждаются механизмы, приводящие к перестройке электронной структуры.
164.
Определение параметра решетки и одноэлектронного модельного потенциала соединения CdS с помощью спектров поглощения мягкого рентгеновского излучения
Схема определения параметров структуры многоатомных систем с использованием спектров мягкого рентгеновского излучения (XANES), предложенная ранее, расширена на случай неметаллических кристаллических тел. С ее помощью по положениям максимумов одноэлектронного происхождения в K-спектре серы в соединении CdS определены параметр решетки и эмпирический muffin-tin-потенциал.
165.
К вопросу об использовании соединения SnTe в качестве стандарта в мессбауэровской спектроскопии олова-119
Из экспериментальных данных, полученных при исследовании изменения изомерных сдвигов в области гомогенности теллурида олова, следует, что это соединение не отвечает требованиям, предъявляемым к реперным соединениям.
166.
Спиновые флуктуации и особенности электронных переходов полупроводник--металл в почти ферромагнитных соединениях переходных металлов
Исследуются особенности влияния спиновых флуктуаций на энергетические спектры sp- и d-носителей тока в почти ферромагнитных полупроводниках на основе соединений d-переходных металлов. Показано, что за счет расщепления электронных спектров во флуктуирующих обменных полях в почти ферромагнитных системах возможны электронные превращения типа полупроводник--металл, сопровождаемые исчезновением энергетических щелей в спектрах sp- и d-электронов при различных температурах и сдвигом химического потенциала в область разрешенных энергий. Конкретный анализ подобных электронных превращений проводится на примере почти ферромагнитного FeSi.
167.
Образование сверхрешеток плотности дефектов в бинарных соединениях при ядерном облучении
Исследуется проявление антиструктурных дефектов в кристаллах под облучением. Расчеты показывают, что концентрация таких дефектов может быть велика при типичных значениях интенсивности облучения и температуры. Показано, что накопление антиструктурных дефектов и взаимодействие между ними может привести к неустойчивости системы во время облучения по отношению к пространственно неоднородным возмущениям. Неустойчивость приведет к периодической модуляции плотности антиструктурных дефектов. Получена область неустойчивости в зависимости от параметров кристалла и облучения. Работа выполнена при содействии Фонда фундаментальных исследований Министерства наук Украины и Фонда гражданских исследований и развития США (грант N UE2-319).
168.
Анионный и катионный эффекты в магнитной анизотропии редкоземельных соединений: экранирование заряда электронами проводимости
Проведен анализ формирования магнитной анизотропии (МА) в соединениях редкоземельных элементов с переходными металлами. Продемонстрирована важная роль экранирования зарядов, создающих кристаллическое поле, электронами проводимости. При этом учтены фриделевские осцилляции зарядовой плотности. В случае RCo5 использована модель кристаллического поля с точечными зарядами с учетом неоднородного экранирования электронами проводимости с анизотропной поверхностью Ферми. Рассмотрены механизмы сильной МА от примесей легких элементов (водорода и азота). Эффективный заряд примеси может сильно зависеть от ионного радиуса примеси и характеристик поверхности Ферми (в частности, величины фермиевского импульса kf) экранирующих электронов. Обсуждается экранирование зарядов катионов и анионов в гидридах и нитридах на основе интерметаллидов R2Fe17 и RFe11Ti. Работа частично финансирована грантом РФФИ N 99-02-16268.
169.
Определение величины поляронного сдвига интеркалатных соединений на основе диселенида титана
Постоянные решетки TiSe2 изучены в зависимости от концентрации внедренного металла различной валентности и внешнего давления. Определены энергии деформации и величины поляронного сдвига, возникающие при интеркаляции TiSe2 металлами различной валентности. Показано, что положение поляронной зоны линейно понижается с увеличением потенциала ионизации интеркалированной примеси. Настоящая работы поддержана РФФИ (грант N 98-03-3265a) и Министерством образования РФ (грант N 97-0-7.1-169).
170.
Морфология поверхностей (001) и (110) кристаллических слоев твердых растворов соединений II--VI с большим содержанием ZnSe в атмосферных условиях
Методом атомно-силовой микроскопии исследовалось влияние атмосферных условий на морфологию ростовых поверхностей (001) и сколов (110) слоев соединений II--VI с высоким содержанием ZnSe. Впервые непосредственно показано, что формирование нанокластеров на таких поверхностях сопровождается коррозией всей поверхности и происходит за счет накопления продуктов коррозии. Коррозия поверхности насыщается на глубине уже в несколько монослоев (2--3 монослоя), что задает предел суммарного объема нанокластеров на поверхности. Дальнейшее увеличение размера нанокластеров во времени происходит за счет уменьшения их числа. Глубина коррозии может локально сильно возрастать в местах поверхности со значительными внутренними напряжениями и, в частности, развиваться глубоко внутрь напряженных интерфейсов в приборных структурах. Работа выполнена при поддержке Фонда Фольксваген и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16948).