Экспериментально исследована зависимость спектрального положения линии фотолюминесценции квантовых ям InGaAsN от химического состава четверного соединения. Предложено эмпирическое выражение, позволяющее с хорошей точностью описать наблюдаемые закономерности и предсказать требуемый состав соединения для достижения заданной длины волны.

Выращены однородные кристаллы тройных соединений CuIn3Se5, CuGa3Se5, CuGa5Se8 иопределены их физико-химические параметры. На основе указанных соединений впервые созданы фоточувствительные структуры, исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования иоценена ширина запрещенной зоны. Показано, что эти соединения являются материалами спрямыми межзонными переходами. Установлено, что ширина запрещенной зоны тройных соединений I--IIIn--VIm определяется природой исодержанием образующих элементарную ячейку атомов.

Методом электронного парамагнитного резонанса исследованы полумагнитные соединения Cd1-xMnxTe (0

Рентгенодифрактометрическим методом изучены структурные особенности пленок Zn1-xCdxSe, выращенных парофазной эпитаксией из металлорганических соединений на подложке Cd0.92Zn0.08S (0001). Как для кубической, так и для гексагональной фаз подобраны асимметричные рефлексы, позволяющие не только надежно определять их присутствие в пленке, но и оценивать размер областей когерентного рассеяния рентгеновских лучей и(или) колебания параметров решетки в плоскости срастания. Пленки ZnSe преимущественно состоят из сдвойникованных прослоек кубической фазы толщиной 200--250 Angstrem с небольшим содержанием гексагональной фазы. Впленках CdS, напротив, преобладает гексагональная фаза с небольшим числом прослоек кубической фазы. Толщина прослоек кубической фазы в Zn1-xCdxSe уменьшается, а концентрация гексагональной фазы растет при небольших значениях x с примерно равным развитием обеих фаз при x=0.15-0.20.

Представлены результаты исследования адсорбционных свойств фуллеренов. Действие фуллеренов вкачестве адсорбентов сравнивается сдействием сажи иактивного угля. По своим адсорбирующим способностям сажа оказывается на уровне активных углей. Всоставе сажевого материала фуллерены не проявляются, акак самостоятельный адсорбент они значительно эффективней, чем активный уголь. Обсуждаются возможные механизмы адсорбции фуллеренов. Делается вывод, что адсорбционные способности фуллеренов реализуются главным образом через дисперсионные взаимодействия. Представлены некоторые теоретические оценки.

Светодиоды (длина волны lambda=3.3-4.5 мкм) изготовлены на основе гетероструктур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Применение метода газофазной эпитаксии позволило существенно увеличить содержание фосфора вбарьерных слоях (до50%) по сравнению страдиционным методом жидкофазной эпитаксии и,следовательно, улучшить ограничение носителей заряда вактивной области структур. Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев InAsSb, электролюминесцентные свойства светодиодов, зависимости мощности излучения от тока. Изготовлены светодиоды двух типов: свыводом излучения через подложку (типA) исвыводом излучения через эпитаксиальный слой (типB). При комнатной температуре светодиоды вимпульсном режиме (скважность20) имели мощность излучения1.2 мВт.

На облученных электронами сэнергией 5 МэВ при температуре270 K монокристаллических образцах HgSe иHgSe1-xSx исследованы сопротивление иэффект Холла в интервале температур 1.7-370 K и магнитных полях до13.6 Тл. Определены изменения концентрации и подвижности носителей заряда при возникновении индуцированных облучением дефектов ипри последующих изохронных отжигах. Врезультате облучения удалось снизить концентрацию электронов сильнее, чем позволяют традиционные методы, и спомощью отжигов вернуть ее величину почти к исходному состоянию.

Исследованы оптические свойства сверхтонких внедрений GaAsN в матрицу GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, с целью определения методики намеренного формирования областей локализации носителей в слоях GaAsN. Вслучае осаждения короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAsN, в спектрах фотолюминесценции наблюдается дополнительная линия со стороны больших длин волн. Как следует из сравнения данных оптических исследований и данных просвечивающей электронной микроскопии, линия соответствует излучению из сформировавшихся областей с повышенным содержанием азота (до8.5%). Характерный размер этих обогащенных азотом областей больше в верхних слоях сверхрешетки, чем в нижних, и он увеличивается с числом осажденных слоев.

Методом Бриджмена (горизонтальный вариант) выращены кристаллы тройного соединения AgIn11S17. Проведены измерения кинетических коэффициентов и впервые созданы фоточувствительные структуры на основе полученных кристаллов. Определены фотоэлектрические параметры твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, оценена ширина запрещенной зоны для соединения AgIn11S17 и обсуждается характер межзонных переходов в этом соединении. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы тройных соединений CuIn7S11, CuIn11S17 и AgIn11S17. На основании измерения кинетических коэффициентов определены тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация электронов и холловская подвижность носителей заряда, что позволяет отнести полученные вещества к полупроводниковым материалам. Установлена возможность и созданы первые фоточувствительные структуры на основе выращенных соединений. Определены фотоэлектрические параметры полученных твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, обсуждается характер межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны новых полупроводников. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.