Резонаторным методом в 3-сантиметровом частотном диапазоне изучены зависимости параметров фотоотклика СВЧ поглощения, вызываемого действием короткого импульса излучения азотного лазера (337 нм, 10 нс), в пленках PbS микрометровой толщины от частоты СВЧ генератора, интенсивности света и условий получения пленок. Пленки получали методом пиролиза аэрозоля из тиомочевинных координационных соединений при температуре подложки 250-500oC. Сиспользованием анализа частотных зависимостей фотоотклика раздельно изучены СВЧ фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект, вызывающие изменение добротности резонатора и изменение его резонансной частоты соответственно.

Получены эпитаксиальные слои InAs, легированныеMg методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, и изучены их электрические свойства. Легирование магниемInAs во время роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений позволяет получить сильно компенсированный p-InAs с предельной концентрацией дырок p~ 2· 1018 см-3 и с низкой подвижностью носителей (mu~ 50 см2/В · с при T=300 K). При слабом уровне легированияMg кристаллизуются слои InAs n-типа проводимости с высокой подвижностью по сравнению с нелегированными слоями n-InAs за счет связывания нейтральных примесей магнием.

Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений слоевAlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN в реакторах различного размера (лабораторный Epiquip VP-50 RP и полупромышленный AIX2000HT). Обнаружен эффект насыщения зависимости содержания алюминия в твердой фазе от потока триметилалюминия(ТМА) в реакторе, препятствующий выращиванию слоев с высоким содержанием алюминия. Эффект наблюдался для обоих исследованных реакторов, однако он более выражен в реакторе большего размера. Предположительно, данный эффект является следствием паразитных реакций в газовой фазе и зависит от парциального давленияТМА в реакторе. Помимо снижения общего давления в реакторе, содержание алюминия в слоях может быть увеличено при повышении полного потока газа через реактор и снижении потока триметилгаллия. При использовании данных подходов на полупромышленной установке AIX2000HT были выращены слои с мольной долейAlN до20% при давлении в реакторе400 мбар (до40% при200 мбар). Влабораторном реакторе были выращены слои AlGaN во всем диапазоне составов.

Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений гетероструктур AlGaN/GaN. Получены структуры с двумерным электронным газом с подвижностью 1290 см2/(В · с) и концентрацией в канале 1.2· 1013 см-2 (при комнатной температуре). Рассмотрено влияние чистоты исходных компонентов на параметры полученных слоев и гетероструктур.

Источники когерентного излучения изготовлены на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP с толстой активной областью (3.3 мкм), выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы спектральные характеристики диодов при различных длинах резонатора и измерена поляризация излучения. Установлено, что модовый состав спектра определяется излучательной рекомбинацией на гетерогранице и в объеме активной области. При величине тока на 30% выше порогового значения проявляется новая мода с промежуточной длиной волны между длинами волн упомянутых излучений. Промежуточная мода, предположительно, обусловлена взаимодействием между модами интерфейсной и межзонной излучательной рекомбинации, одновременно присутствующими в резонаторе.

Приведены результаты изучения оптических и электрических свойств тонких пленок халькогенидов мышьяка As--Se и As--S, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов с различными органическими лигандами: трис-дипивалоилметанатом состава Eu(thd)3 и диэтилдитиокарбаматом состава Ln(ddtc)3 (Ln = Pr, Eu). Показано, что применение комплексных соединений редкоземельных элементов с давлением насыщенных паров, близким к давлению паров халькогенидов, позволяет получить термическим напылением в вакууме пленки, перспективные для создания плоских световодов. Обнаружено, что введение в селенид мышьяка комплексов Eu(thd)3, имеющих в своем составе кислород, приводит к снижению коэффициента поглощения в области края Урбаха, а также к значительному снижению энергии активации электропроводности, что не характерно для материалов этого класса. Полученные результаты объясняются влиянием кислорода на средний порядок структурной матрицы.

Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализированы структурные и люминесцентные свойства слоев при 300 K и 77 K. Получены зависимости скорости роста, концентрации носителей и их подвижности от соотношения компонентов пятой и третьей групп в газовой фазе. Обнаружен провал по подвижности при соотношении TMSb/TEGa~3. PACS: 68.55.Jk. 72.20.Fr, 78.55.Cr

Гальперин М.в., Качановский А.е., Скотникова О.г. Роль трансформации соединений ртути в процессах ее удаления из атмосферы // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.1 Экология и рациональное природопользование. Биофизика, медицинская физика и техника. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук. Роль естественно-научных дисциплин при подготовке инженеров по наукоемким направлениям, стр. 50-52

Федоров В.а. Использование интерметаллических соединений, обратимо поглощающих водород, в водородной энергетике и гидридной технологии // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 63-64

Квасников А.в. Интерфейс соединения анализатора с компьютером // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 103-104