Рассмотрены существующие методы диагностики временной нестабильности параметров границы раздела полупроводник--диэлектрик с глубокоуровневыми центрами. Предложен метод определения временной нестабильности по длительной изотермической релаксации емкости структуры металл--диэлектрик--полупроводник. Определен энергетический спектр эффективной плотности поверхностных состояний в структурах n-InP--SiO2--Al, изготовленных химическим осаждением в паровой фазе. Изменение емкости в ходе длительной изотермической релаксации является критерием временной нестабильности границы раздела диэлектрик--полупроводник.

Исследуются термическая стабильность и люминесцентные свойства ZnCdSe/ZnSe квантово-размерных структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Проводится сравнительный анализ спектров фотолюминесценции структур до и после отжига. В спектрах образцов после отжига (при 500o C) наблюдается падение интенсивности линии экситонной люминесценции более чем на 2 порядка и увеличение интенсивности глубоких уровней. В результате отжига при более низкой температуре (около 400o C) было обнаружено сужение линии экситонной люминесценции и смещение максимума в длинноволновую область.

Термометрически и методом проникающего gamma-излучения исследована температурная зависимость удельного объема расплавов соединений AIIIBV. Сделана оценка коэффициентов термического расширения расплавов при различных температурах. Опираясь на близость строения расплавов и упругого континиума, на основе полученных результатов по тепловому расширению произведены расчеты характеристических дебаевских температур и среднеквадратичных динамических смещений атомов в структуре ближнего порядка расплавов соединений AIIIBV. Показано заметное изменение указанных характеристик при переходе из твердого состояния в жидкое, что свидетельствует о значительных изменениях колебательного спектра при плавлении соединений AIIIBV. Отмечено увеличение коэффициентов термического расширения при нагреве расплавов исследованных соединений. Отмечено, что оно свидетельствует о дальнейшем уменьшении прочности межатомных связей в расплавах по мере роста температуры.

Приведены зависимости диэлектрической проницаемости и проводимости соединений Cd1-xFexTe (0< x=< 0.03) от температуры и частоты измерений. Установлено, что атомы Fe располагаются коррелированным образом в подрешетке Cd.

В результате оптических измерений в монокристалле Ca4Ga2S7 : Eu2+ определен характер оптических переходов в интервале энергий фотонов 1.85--3.00 эВ в области температур 77--300 K. Установлено, что в интервалах энергий 2.2--2.6 и 2.6--3.0 эВ имеют место непрямые и прямые оптические переходы с шириной запрещенной зоны соответственно Egi=1.889 эВ и Egd=2.455 эВ при 300 K. Температурные коэффициенты Egi и Egd равны -5.15· 10-4 и -14.86· 10-4 эВ/K.

Представлены результаты исследований температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости полумагнитных полупроводников Cd1-xFexSe (x=0.05,0.105,0.14). В области частот f

Cообщается о результатах исследования процессов формирования высокоориентированных пленок на подложке, охлажденной до отрицательных по шкале Цельсия температур при конденсации в вакууме теллурида и сульфида кадмия. Приводятся данные технологических, электронографических и рентгенографических исследований. Построены диаграммы конценсации. Выявлены режимы, отличающиеся аномально низкой скоростью формирования пленок. Установлена корреляция между этими режимами и свойствами формирующейся структуры. Проводится сопоставление результатов с данными, полученными при исследовании процессов формирования высокоориентированных пленок золота в резко неравновесных условиях. Демонстрируется соответствие экспериментальных результатов солитонной модели гетероэпитаксии.

Представлена термодинамическая модель описания процессов роста тройных твердых растворов GaAsN. Модель позволяет предсказать содержание азота в слоях GaAsN в зависимости от внешних параметров (потоков молекулярного азота и мышьяка, скорости роста, температуры подложки). С помощью предложенной модели находят объяснение такие экспериментальные факты, как насыщение зависимости состава от внешнего потока азота, существование области постоянного состава в зависимости состава от температуры, а также уширение пика люминесценции по сравнению с идеальным случаем.

Теоретическим моделированием с помощью метода линейных присоединенных плоских волн исследовано изменение зонной структуры непрямозонных полупроводников Mg2Si и Mg2Ge при изотропной и одноосной деформации их кристаллических решеток. Обнаружено, что уменьшение постоянной решетки до 95% приводит к линейному увеличению энергетического зазора для прямого перехода в силициде магния на 48%, в то время как величина энергетического зазора для непрямого перехода уменьшается вплоть до перекрытия, характерного для бесщелевых полупроводников. Напряжения, возникающие вследствие одноосных деформаций, не только смещают зоны, но и приводят к расщеплению вырожденных состояний. Изменения величин межзонных переходов в этом случае носят нелинейный характер.

Представлены результаты по лазерно-стимулированному (homega