Исследовано влияние дефектов (оборванных связей Si--Si), образованных в процессе осаждения пленок a-Si : H методом тлеющего разряда, при его легировании бором а также фотоиндуцированных, на изменения ближнего и среднего порядка в структурной сетке. Показано, что при постоянной концентрации дефектов ND=const заряженные дефекты значительно сильнее влияют на структуру a-Si : H, чем нейтральные.

Определены корреляции между характеристикой среднего порядка в структуре a-Si : H и плотностью дефектов, их зарядовым состоянием, оптической шириной запрещенной зоны, ее пространственными флуктуациями. Показано, что модифицирование структуры на уровне среднего порядка за счет образования нановключений может приводить к радикальному росту фотопроводимости и к упорядочению структуры аморфной матрицы.

Впервые сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии нового типа гетероструктур GaAs/GaSb, содержащих ультратонкие (0.8-3монослоя) слои GaAs вGaSb, и исследовании их методами рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Втаких структурах, в отличие от изученных к настоящему времени структур с самоорганизующимися квантовыми точками, слой GaAs в GaSb находится под воздействием растягивающих упругих напряжений (рассогласование решеток 7%). Вструктурах GaAs/GaSb обнаружена интенсивная фотолюминесценция в области волн вблизи 2 мкм при низких температурах. Показано образование квантово-размерных островков при номинальной толщине слоя GaAs 1.5монослоя и более. Установлено, что предложенные структуры имеют зонную диаграмму типаII.

-1 Проведено экспериментальное исследование одновременной генерации нескольких частотных полос стимулированного излучения в полупроводниковом лазере с тремя квантовыми ямами. Показано, что разные частоты могут генерироваться как в основных, так и в возбужденных поперечных модах волновода. Обнаружено, что возможна одновременная генерация стимулированного излучения в двух и трех частотных полосах. Исследованы зависимости мощности генерации в различных полосах от тока. Вполупроводниковом лазере, генерирующем две полосы излучения с энергетической разностью между пиками50 мэВ (длина волны lambda~ 25 мкм), с помощью широкополосного примесного фотоприемника Si : B зарегистрировано излучение в среднем инфракрасном диапазоне, которое предположительно связано с генерацией разностной гармоники.

Созданы полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона с дисковым резонатором, работающие на модах шепчущей галереи. Исследованы особенности таких лазеров.

Обзор содержит результаты исследований и разработок в ФГУП << НПО \glqq Орион\grqq>> фотодиодов и матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Представлены структура, топология и параметры разработанных фотодиодов, фотодиодных матриц \glqq смотрящего\grqq и многорядного типов, структура и электрические схемы созданных кремниевых мультиплексоров матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Приведены параметры фотодиодных матриц различных форматов и созданного макета тепловизора на основе МФПУ формата 128x128элементов.

Представлен обзор опубликованных нами работ по созданию и исследованию светодиодов для области спектра 1.6--4.4 мкм на основе гетероструктур, выращенных на подложке GaSb методом жидкофазной эпитаксии, позволяющим создавать слои достаточной толщины, изопериодные с GaSb. Активная область для спектральных диапазонов 1.8-2.4 и 3.4-4.4 мкм состояла из твердого раствора GaInAsSb, а для диапазона 1.6-1.8 мкм из твердого раствора AlGaAsSb. Широкозонные ограничительные слои AlGaAsSb содержали большое количество Al, до64%, что является рекордным для метода жидкофазной эпитаксии. Создавались и исследовались несимметричные (GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) и симметричные (AlGaAsSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) гетероструктуры. Разрабатывались раличные виды конструкций, позволяющие улучшить выход генерированного в активной области излучения наружу. Измеренный внешний квантовый выход излучения достигал 6.0% при 300 K для светодиодов на длины волн 1.9--2.2 мкм. Получена импульсная оптическая мощность излучения 7 мВт при токе 300 мА со скважностью 2 и 190 мВт при токе 1.4 А со скважностью 200. Всветодиодах, излучающих в спектральной области 3.4--4.4 мкм получен внешний квантовый выход излучения ~ 1%--- в 3раза больший, чем в известной гетероструктуре InAsSb/InAsSbP, выращенной на подложкеInAs. Измеренное время жизни неосновных носителей заряда (5--50 нс) близко к теоретическому при учете только излучательной и ударной СНСС объемной рекомбинации. Ударная рекомбинация преобладает при температурах выше 200 K для светодиодов, работающих в спектральном диапазоне 3.4--4.4 мкм, и выше 300 K для светодиодов, работающиx в спектральном диапазоне 1.6--2.4 мкм.

С помощью метода спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре под воздействием облучения атомарными ионамиP+,F+, а также кластерными ионамиPF+n (n=1... 4) сэнергией2.1 кэВ/а.е.м. и одинаковой скоростью генерации первичных дефектов. Предложены условия для корректного сравнения результатов бомбардировки атомарными и кластерными ионами, состоящими из атомов разного типа. Обнаружено, что характер накопления структурных нарушений в кремнии в случае бомбардировки ионамиPF+n существенно отличается от наблюдаемого как при облучении атомарными ионами, составляющими кластерный ион (P+иF+), так и при бомбардировке атомарными тяжелыми ионами, имеющих атомную массу, близкую к массе кластеровPF+n. Показано, что в эквивалентных условиях облучения кластерные ионы в приповерхностной области производят значительно большее количество нарушений, чем атомарные, т. е.наблюдается молекулярный эффект. Рассмотрены возможные механизмы данного явления. PACS: 61.72.Tt, 61.80.Lj, 61.80.-x, 68.55.Ln

Официальные оппоненты: доктор исторических наук, профессор Владимир Васильевич Бобров, кандидат исторических наук Владимир Антониевич Кисель. Ведущая организация — Государственный Эрмитаж. Научный руководитель — Д. Г. Савинов

Трудности в археологии каменного века при разграничении археологических культур заключаются не в том, “где провести линию”, разделяющую их, а в том, что мы пока не можем предложить правил и обосновать справедливость всех предложенных подразделений.