Представлены теоретические и экспериментальные результаты по ограничению импульсного излучения в спектральной области 3.8-10.6 mum в пленках диоксида ванадия. Проанализировано влияние структуры пленок на форму петли температурного гистерезса. Проведена оптимизация толщины пленки и структуры пленочного интерферометра, содержащего пленку диоксида ванадия, для повышения эффективности ограничения излучения. Исследована пространственная динамика переключения пленки диоксида ванадия под действием импульса излучения. Экспериментально показана возможность получения коэффициента ослабления излучения в режиме ограничения более 104.

Численно и аналитически исследована зависимость амплитуды сепаратрисного отображения и размера хаотического слоя маятника от параметра адиабатичности при низких и средних частотах возмущений. Установлено хорошее соответствие между теорией и численным экспериментом в низкочастотном пределе. Отмечена высокая эффективность использования резонансных инвариантов сепаратрисного отображения в области средних частот. Вместе с уже известной высокочастотной асимптотикой это позволило получить полную картину хаотического слоя во всем диапазоне частот возмущений.

С помощью коммерческого CFDRC software (http\colon//www.cfdrc.com/~cfdplasma), позволяющего проводить симуляции в произвольной 3D геометрии с использованием уравнения Пуассона для распределения потенциала, fluid уравнений для тяжелых компонентов и решения нелокального кинетического уравнения для электронов проведено самосогласованное моделирование плазмы положительного столба DG-разряда в аргоне при средних давлениях. Показано, что локальное приближение для расчета функции распределения электронов неприменимо не только для низких (pR

Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере с квантовыми ямами. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне 1 mum и разностной моды в гофрированном волноводе в диапазоне 10-20 mum. Показано, что в лазере с шириной волновода 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды среднего ИК диапазона при комнатной температуре может быть несколько микроватт.

Рассмотрена возможность эффективной генерации излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК-диапазонов при выполнении условия фазового синхронизма между волной нелинейной поляризации и разностной модой при распространении в полупроводниковом волноводе на основе фосфида галлия (GaP) двух фундаментальных мод в диапазоне 1 mum. В планарном волноводе с шириной 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды может достигать до 300 muW в области частот 1-8 THz при комнатной температуре. При использовании подложки из кремния для структуры с GaP-волноводом мощность разностной моды при тех же условиях может достигать до 5 mW в области частот 10-14 THz. PACS: 42.55.Dx

Впервые поверхностные электромагнитные волны (ПЭВ) были возбуждены в области остаточных лучей на двуосном кристалле KTiOPO4 (KTP) с использованием перестраиваемого по частоте CO-лазера в 10 mum-области и на кристаллах CaF2, BaF2, MgO (кубические кристаллы), LiNbO3 (одноосный кристалл) в дальней ИК-области с помощью лазера на свободных электронах. Интерференционным методом фазовой спектроскопии ПЭВ были получены параметры распространения ПЭВ на исследованных кристаллах, продемонстрирована возможность определения комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов в области существования ПЭВ по параметрам их распространения.

Для выявления механизма формирования Кикучи-полос полная дифракционная картина Si(100), полученная регистрацией квазиупругорассеянных электронов с энергией 2 keV, сопоставлена с результатами модельных расчетов, выполненных в приближении однократного рассеяния для кластеров, построенных из разного числа плотноупакованных плоскостей (110). Показано, что формирование Кикучи-полос определяется двумя типами процессов рассеяния электронов в кристалле. Основной вклад в усиление интенсивности отражения электронов в пределах полосы вносит их фокусировка при движении вдоль многочисленных межатомных направлений, лежащих в плоскостях (110). Другим механизмом, ответственным за формирование резких краевых областей Кикучи-полос, является рассеяние электронов на ближайших соседних плоскостях. Специфический профиль Кикучи-полос предложено использовать для оценки формы и размеров кристаллитов легких элементов, образующихся на начальных стадиях роста островковых пленок.

Показано, что одновременное воздействие на кристаллы висмута импульсного электрического тока и постоянного магнитного поля существенно снижает среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций, локализованных на границах клиновидных двойников. Снижение средней линейной плотности двойникующих дислокаций сопровождается падением микротвердости образцов.

Методом расcеяния ионов средних энергий (РИСЭ) исследованы пленки фуллеренов и их соединений с галогенами, осажденные на слюду и кремний. Определены неоднородности толщины пленок. Обнаружено значительное повышение концентрации галогенов в области интерфейса, связанное с условиями осаждения пленок. Показана возможность определения методом РИСЭ состава отдельных слоев пленки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-18170) и государственной научно-технической программы "Фуллерены и атомные кластеры" (проект "Пленка").

Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона выполнено исследование влияния процесса внутреннего геттерирования на крупномасштабные дефекты в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором. Проведена классификация крупномасштабных дефектов в исходном материале и кристаллах, подвергнутых процедуре внутреннего геттерирования. Показана применимость метода малоуглового рассеяния света как для лабораторных исследований, так и для промышленного контроля операций технологического цикла внутреннего геттерирования.