Численно и аналитически исследована зависимость амплитуды сепаратрисного отображения и размера хаотического слоя маятника от параметра адиабатичности при низких и средних частотах возмущений. Установлено хорошее соответствие между теорией и численным экспериментом в низкочастотном пределе. Отмечена высокая эффективность использования резонансных инвариантов сепаратрисного отображения в области средних частот. Вместе с уже известной высокочастотной асимптотикой это позволило получить полную картину хаотического слоя во всем диапазоне частот возмущений.

Представлен анализ траекторий пролетных частиц в магнитной конфигурации токамака под действием слабых электростатических возмущений. В результате численных расчетов в дрейфовом приближении получены траектории, параметры которых позволяют определить пространственный масштаб диффузии. Рассматривается резонансное взаимодействие частиц и волн. Проанализирована возможность возникновения бесстолкновительной диффузии в режиме сильной турбулентности.

В литературе уже обсуждалась особая роль, которую могут играть в нелинейных гамильтоновых системах низкочастотные вторичные гармоники, возникающие на сумме и разности явно входящих в гамильтониан первичных частот. Эти гармоники имеют второй порядок малости и составляют весьма незначительную долю возмущения. Несмотря на это, их вклад в амплитуду сепаратрисного отображения системы при определенных условиях может на несколько порядков превышать вклады от первичных частот и тем самым полностью определять формирование динамического хаоса. В настоящей работе дан обзор полученных по этой теме на сегодняшний день теоретических и численных результатов. В качестве примера приведен маятник, возмущение которого представлено в гамильтониане двумя несимметричными гармониками с высокими и близкими по модулю частотами. Получено аналитическое выражение вклада вторичной гармоники в амплитуду сепаратрисного отображения этой системы и с его помощью исследован не рассмотренный ранее случай весьма низких вторичных частот. Указаны области, где амплитуда сепаратрисного отображения растет линейно с частотой, а размер хаотического слоя вообще от нее не зависит. Приведено сравнение результатов теории и численного счета.

В поликристаллических полупроводниках-сегнетоэлектриках электросопротивление определяется потенциальными барьерами, обусловленными наличием на границах кристаллитов заряженных локальных поверхностных состояний. Экранирование этих барьеров зависит от состояния сегнетоэлектрической системы и достигает максимального значения, когда происходит переполяризация спонтанной поляризованности. В работе показано, что образующееся при этом локальное возмущение сегнетоэлектрической системы в виде доменной стенки между областями с разными направлениями поляризованности имеет зигзагообразную конфигурацию. Электрическое поле в области зигзагообразной доменной стенки стабилизировано и равно коэрцитивному, что и обеспечивает малую величину потенциальных барьеров в сегнетоэлектрической фазе по сравнению с параэлектрической. В результате в области перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую, когда переполяризационные процессы перестают участвовать в экранировании потенциальных барьеров, наблюдается явление резкого увеличения электросопротивления, называемое позисторным эффектом.

Построена строгая теория возмущений процесса эволюции кластера малого размера в рамках метода функционала плотности. Решение общего уравнения релаксации поля параметра порядка дано в виде степенного ряда по параметру метастабильности (аналог пересыщения или переохлаждения) и по кривизне. Получены аналитические результаты для профиля плотности кластера и скорости его роста. Рассчитаны поверхностное натяжение и параметр Толмена. Полученные результаты применены к трехмерному газу Ван-дер-Ваальса и двумерному решеточному газу. Показано хорошее соответствие полученных теоретических результатов и экспериментальных данных. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (N 02-02-17216, N 02-03-32471), Российского федерального центра \glqq Интеграция\grqq (проект N A0151) и Комплексной программы 19.

Исследуется динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений. Описание процесса движения дефектов произведено с рассмотрением трех видов барьеров, включающих магниточувствительные точечные дефекты и дислокации. В рамках представленного рассмотрения с учетом концепции спин-зависимых реакций между структурными дефектами предложена кинетическая модель наблюдаемых магнитостимулированных изменений подвижности, обусловленных образованием долгоживущих комплексов с участием парамагнитной примеси. Экспериментально показано, что предварительная обработка дислокационных кристаллов в течение 5-45 min в магнитном поле (B=1 T) способствует двух- и трехкратному увеличению скорости движения дислокаций в n- и p-Si соответственно. Зафиксирована \glqq магнитная память\grqq дислокационного Si и рассмотрена кинетика ее ослабления в естественных условиях хранения образца после магнитной обработки. Согласование эксперимента с теорией позволило выявить основные количественные характеристики магнитостимулированного транспорта линейных дефектов: парциальные скорости перемещения дислокаций и динамику дислокационных сегментов на различных стопорах, включая времена ожидания.

На основе метода усредненного лагранжиана типа Ритца--Уизема проведено исследование влияния поперечных возмущений на движение краевой дислокации, которая описывается моделью Френкеля--Конторовой, дополненной упругим ангармонизмом и учетом дискретности кристалла (акустической дисперсии). Показано, что квадратичный ангармонизм и акустическая дисперсия способствуют самофокусировке дислокации и образованию микротрещин. Кубический ангармонизм при определенных условиях способен стабилизировать поперечное сжатие дислокации, что может привести к образованию \glqq краудионных капель\grqq.

Исследовано влияние поперечных возмущений на динамику пикосекундного солитоноподобного акустического импульса в парамагнитном кристалле, помещенном во внешнее магнитное поле. При этом нелинейные и дисперсионные эффекты определяются как собственными свойствами кристалла, так и спин-фононным взаимодействием. Изучено влияние различных нелинейных механизмов и внешнего магнитного поля на устойчивость к поперечным возмущениям. Показано, что в отсутствие парамагнитных примесей возможно существование только импульса сжатия, который распространяется в режиме дефокусировки. Наличие в кристалле парамагнитных ионов приводит к возможности формирования импульсов растяжения, способных при определенных условиях распространяться в режимах самофокусировки и самоканалирования. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 05-02-16422a).

В простом однозонном приближении исследовано влияние встроенных притягивающих или отталкивающих delta-образных потенциалов на энергетический спектр носителей заряда и силы осцилляторов для оптических переходов в квантовых ямах. Показано, что влияние delta-образных возмущений на величину и знак сдвига энергетических уровней существенно зависит от точки действия возмущения и от неоднородности эффективной массы. Расчет силы осцилляторов для межподзонных переходов подтверждает возможность создания таким путем спаренных квантовых ям с интересными нелинейными свойствами.

Горбачев Л.п., Глушков А.и., Котов Ю.б., Семенова Т.а. Возмущения геомагнитного поля камуфлетным взрывом // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 119-121