Методом абсорбционной спектроскопии исследовано влияние одноосного сжатия при 80 K на эффективность создания устойчивых радиационных дефектов в кристаллах KCl, KBr и KI. Обнаружено, что приложение сжатия по <100> направлениям не изменяет эффективности радиационного дефектообразования в крис...
Методом абсорбционной спектроскопии исследовано влияние одноосного сжатия при 80 K на эффективность создания устойчивых радиационных дефектов в кристаллах KCl, KBr и KI. Обнаружено, что приложение сжатия по <100> направлениям не изменяет эффективности радиационного дефектообразования в кристаллах KCl и KBr, тогда как в KI эта величина уменьшается более чем на порядок. На базе проведенного полуколичественного анализа сделан вывод, что причиной наблюдаемого различия является то, что в KI малейшее сжатие междоузельных пустот делает невозможным размещение H-центров в них, а в KCl и KBr для достижения аналогичного эффекта необходимо сжатие в несколько десятков процентов.
Бекешев А.З., Васильченко Е.А., Сармуханов Е.Т., Сагимбаева Ш.Ж., Тулепбергенов С.К., Шункеев К.Ш., Эланго А.А. Влияние одноосного сжатия при 80 K на радиационное дефектообразование в кристаллах KC l, KBr и KI // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 1, Стр. 73