Найдено научных статей и публикаций: 4, для научной тематики: PICTS
1.
MirHasan Yu. Seyidov, Rauf A. Suleymanov, Andrey P. Odrinsky, Arzu I. Nadjafov, Tofik G. Mammadov, Elnure G. Samadli
- Japanese Journal of Applied Physics , 2011
Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) has been utilized to study electrically active defects in TlInS2 single crystals doped with Er, B, and Tb. Eight traps with activation energies lying in between 0.21 to 0.55 eV have been detected. The origin of these traps is discussed....
Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) has been utilized to study electrically active defects in TlInS2 single crystals doped with Er, B, and Tb. Eight traps with activation energies lying in between 0.21 to 0.55 eV have been detected. The origin of these traps is discussed.
2.
А.П. Одринский
- Физика и техника полупроводников , 2004
Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование экспериментов, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методами ФЭНСГУ и термостимулированной проводимости....
Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование экспериментов, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методами ФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.
3.
А.П. Одринский
- Физика и техника полупроводников , 2010
Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле p-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0.13, 0.39 и 0.53 эВ. Проводится обсужден...
Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле p-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0.13, 0.39 и 0.53 эВ. Проводится обсуждение их природы.
4.
А.П.Одринский
- Физика и техника полупроводников , 2011
Рассмотрены особенности DLTS-регистрации дефектов, обладающих склонностью к перезахвату термически возбуждаемых носителей вследствие большой величины эффективного сечения захвата. Обнаружены признаки, позволяющие идентифицировать реализацию данной модели....
Рассмотрены особенности DLTS-регистрации дефектов, обладающих склонностью к перезахвату термически возбуждаемых носителей вследствие большой величины эффективного сечения захвата. Обнаружены признаки, позволяющие идентифицировать реализацию данной модели.
