Рассмотрены диффузионные процессы в окрестности тройных стыков специальных границ зерен, поле дилатации которых моделируется клиновой диклинацией. Получено точное аналитической решение уравнения диффузии в поле напряжений рассматриваемого структурного несовершенства. Результаты теоретического анализа привлекаются для определения концентрационного поля точечных дефектов вблизи тройных стыков специальных границ зерен поликристалла.
Власов Н.М., Зазноба В.А. Диффузионные процессы в окрестности тройных стыков специальных границ зерен // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 1, Стр. 64

Установлено, что экспозиция кристаллов в импульсном электрическом поле с амплитудой ~103 kV/m создает метастабильные состояния точечных дефектов, а магнитное поле с индукцией 7 T вызывает их релаксацию.
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тютюнник А.В., Жуликов С.Е., Афонина Н.М. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 12, Стр. 2184

При помощи туннельной микроскопии проведены исследования динамики дефектов c линейными размерами от ~ 1 до ~ 100 nm на поверхности Au под нагрузкой. Обнаружено, что зарождение, рост и рассасывание дефектов вызваны смещениями полос материала шириной от 5 до 50 nm параллельно плоскостям легкого скольжения {111}. Дефекты можно разделить на две группы: нестационарные, время жизни которых не превышает 15 min, а глубина =< 20 nm, и квазистационарные со временем жизни на три порядка больше первых. Предполагается, что нестационарные дефекты образуются при перестройке ансамбля дислокаций, а квазистационарные --- в моменты формирования субструктур дислокаций при ползучести нагруженного металла.
Веттегрень В.И., Рахимов С.Ш., Светлов В.Н. Динамика нанодефектов на поверхности нагруженного золота // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 12, Стр. 2180

Установлено, что слабое магнитное поле с индукцией B~ 1 T вызывает в кристаллах NaCl, не содержащих свежевведенных дислокаций, необратимые изменения, в то время как сильное магнитное поле с индукцией 16
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Лопатин Д.В., Баскаков А.А., Евгеньев Я.Е. Обратимые и необратимые изменения пластических свойств кристаллов NaCl, вызванные действием магнитного поля // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 11, Стр. 2065

Проведен теоретический анализ энергетических характеристик ортогональных рядов частичных дислокаций несоответствия с V-образными дефектами упаковки в тонкопленочных гетероэпитаксиальных системах. Показано, что их появления следует ожидать только в очень тонких эпитаксиальных пленках наноскопической толщины и при больших значениях несоответствия, превышающих некоторую предельную величину. В этих условиях частичные дислокации несоответствия, связанные с V-образными дефектами упаковки, оказываются типичными элементами дефектной структуры нанослойных гетеросистем. При меньших несоответствиях и больших толщинах пленки следует ожидать образования полных дислокаций несоответствия.
Гуткин М.Ю., Микаелян К.Н., Овидько И.А. Равновесные конфигурации частичных дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетеросистемах // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 11, Стр. 2059

Проведено теоретическое рассмотрение процессов распространения объемных спиновых волн в неограниченном легкоосном магнетике, содержащем прямолинейную краевую дислокацию. Вычислены амплитуды рассеяния спиновых волн в борновском приближении. Показано, что при определенных значениях угла рассеяния амплитуда рассеяния спиновых волн обращается в нуль. Для этого случая найдена зависимость угла рассеяния от угла падения спиновых волн. Найдено транспортное сечение рассеяния спиновых волн.
Кучко А.Н., Чернышева М.В. Рассеяние спиновых волн прямолинейной краевой дислокацией // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 11, Стр. 2056

Представлены результаты измерений профилей скорости свободной поверхности монокристаллов цинка двух ориентаций при ударно-волновом нагружении. Температура испытаний варьировалась от комнатной до 410oC. Результаты измерений демонстрируют атермичность высокоскоростной деформации и разрушения, а также влияние предшествующей пластической деформации на величину разрушающих напряжений.
Богач А.А., Канель Г.И., Разоренов С.В., Уткин А.В., Протасова С.Г., Сурсаева В.Г. Сопротивление ударно-волновому деформированию и разрушению монокристаллов цинка при повышенных температурах // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 10, Стр. 1849

Исследована трансформация низкотемпературного излучательного спектра монокристаллов селенида кадмия при пластической деформации сосредоточенной нагрузкой и при одноосном сжатии. Установлено однозначное соответствие между появлением полос фотолюминесценции в области 1.765 eV и движением дислокаций по призматической системе скольжения, с одной стороны, и появлением полосы 1.792 eV в результате скольжения дислокаций по базисной системе --- с другой.
Тарбаев Н.И. Определение систем скольжения дислокаций в монокристаллах CdS методом низкотемпературной фотолюминесценции // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 10, Стр. 1845

Дислокационное амплитудно-зависимое внутреннее трение (АЗВТ) высокочистого (99.999%) поликристаллического алюминия исследовано в интервале температур 7--300 K при амплитудах колебательной деформации 10-7-10-4 для образцов в отожженном и деформированном состояниях (квазистатическим, ударно-волновым и ультразвуковым нагружением). В указанных интервалах температур и амплитуд колебаний АЗВТ является многостадийным. Анализ амплитудно-температурных спектров АЗВТ позволил выделить компоненты, обусловленные междислокационным взаимодействием, взаимодействием дислокаций с точечными стопорами и собственно дислокационной релаксацией (взаимодействием дислокаций с рельефом Пайерлса). Обнаружена немонотонная зависимость АЗВТ от величины предварительной квазистатической деформации, обусловленная процессами деформационного упрочнения и возврата.
Голяндин С.Н., Кустов С.Б., Сапожников К.В., Емельянов Ю.А., Синани А.Б., Никаноров С.П., Робинсон У.Х. Влияние температуры и деформации на амплитудно-зависимое внутреннее трение высокочистого алюминия // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 10, Стр. 1839

На основе поляризационных исследований спектров комбинационного рассеяния света малых частот парабромхлорбензола и расчетов по методу Дина спектров частот решеточных колебаний показано, что в структуре возможно наличие вакансий. Их наличие сказывается на появлении дополнительных линий в спектре малых частот, в частности в области 70 cm-1, при этом их положение слабо зависит от ориентационной неупорядоченности молекул по отношению к паразамещенным. На основе метода атом-атом потенциалов проведен расчет энергий активации диффузии в статистически разупорядоченном кристалле парабромхлорбензоле при наличии в структуре вакансий. Показано, что величина энергии активации является непостоянной вдоль выбранного направления и зависит от расположения молекул парабромхлорбензола по отношению к паразамещенным, что отличается от результатов по упорядоченным парадибромбензолу и парадихлорбензолу.
Шабанов В.Ф., Коршунов М.А. Миграция молекул в парабромхлорбензоле при наличии в структуре вакансий // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 10, Стр. 1835