Обсуждается дислокационно-кинетический механизм амплитудно-зависимого внутреннего трения и возникновения подобия температурных зависимостей напряжений микротекучести кристалла и напряжений начала его макротекучести. Показано, что подобие зависимостей обусловлено подобием кривых деформационного (дислокационного) упрочнения кристаллов в областях соответственно микро- и макропластических деформаций.
Малыгин Г.А. Амплитудно-зависимое внутреннее трение и подобие температурных зависимостей напряжений микро- и макротекучести кристаллов // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 4, Стр. 688

Приведены результаты исследования остаточного фотомагнитного эффекта (ФМЭ) при разных температурах методом микроиндетирования образца после выключения света в монокристаллическом n-Si. Показано, что уменьшение величины остаточного ФМЭ имеет экспоненциальный характер в зависимости как от времени, так и от температуры.
Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д., Кутивадзе Н.Г., Бибилашвили А.П., Бохочадзе З.Г. К механизму остаточного фотомеханического эффекта // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 4, Стр. 683

Методами математического моделирования изучен вклад подвижности кластеров в низкотемпературный коэффициент диффузии системы легких примесей внедрения. Показано, что величина этого вклада кардинальным образом зависит от параметров потенциала взаимодействия примесей, а немонотонный характер его температурной зависимости связан с изменением формы кластеров или "вымерзанием" одного из нескольких механизмов подвижности. Работа частично поддержана грантом РФФИ N 97-02-17627.
Берзин А.А., Морозов А.И., Сигов А.С. Подвижность кластеров в системе легких примесей внедрения // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 4, Стр. 676

Исследуется проявление антиструктурных дефектов в кристаллах под облучением. Расчеты показывают, что концентрация таких дефектов может быть велика при типичных значениях интенсивности облучения и температуры. Показано, что накопление антиструктурных дефектов и взаимодействие между ними может привести к неустойчивости системы во время облучения по отношению к пространственно неоднородным возмущениям. Неустойчивость приведет к периодической модуляции плотности антиструктурных дефектов. Получена область неустойчивости в зависимости от параметров кристалла и облучения. Работа выполнена при содействии Фонда фундаментальных исследований Министерства наук Украины и Фонда гражданских исследований и развития США (грант N UE2-319).
Михайловский В.В., Расселл К.С., Сугаков В.И. Образование сверхрешеток плотности дефектов в бинарных соединениях при ядерном облучении // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 3, Стр. 471

Показано, что при активном деформировании кристаллов LiF в постоянном магнитном поле B наблюдается их заметная пластификация, тем более существенная, чем выше магнитная индукция B и чем ниже скорость деформации varepsilon. Измеренные зависимости предела текучести sigmay от B и varepsilon находят свое естественное объяснение в рамках простой кинетической модели, построенной на конкуренции процессов термоактивационного и магнитостимулированного открепления дислокаций от примесных центров.
Альшиц В.И., Урусовская А.А., Смирнов А.Е., Беккауер Н.Н. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 2, Стр. 270

Обнаружено сильное макропластическое влияние слабых магнитных и электрических полей (B=< 0.4 T, E~1 kV/m) при их совместном действии на образцы NaCl в процессе активного деформирования последних с постоянной скоростью varepsilon=const. В отсутствие магнитного поля наблюдение электрических эффектов в макропластичности тех же кристаллов требует приложения полей E<= 103 kV/m. Измерены количественные зависимости макропластичности от магнитного и элекрического полей и от скорости деформации. Наблюдаемым эффектам предложена физическая интерпретация.
Урусовская А.А., Альшиц В.И., Беккауер Н.Н., Смирнов А.Е. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 2, Стр. 267

Предложен механизм радиационного упрочения щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) при комнатной температуре. Показано, что разрушение дислокациями упрочняющих ЩГК дырочных центров окраски является причиной возникновения деформационно-стимулированной люминесценции.
Закревский В.А., Шульдинер А.В. Взаимодействие дислокаций с радиационными дефектами в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 2, Стр. 263

Обсуждается механизм возникновения акустопластического эффекта в результате приложения к деформируемому кристаллу осциллирующих напряжений звуковой частоты. С помощью компьютерного моделирования в рамках механизма суперпозиции квазистатических и акустических напряжений исследована кинетика эффекта и зависимость его величины от степени пластической деформации, амплитуды акустических напряжений, температуры и скорости деформации.
Малыгин Г.А. Акустопластический эффект и механизм суперпозиции напряжений // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 1, Стр. 69

На основе расчета скорости структурной релаксации и экспериментального акустоэмиссионного определения температуры перехода локализованное -> однородное течение аргументируется утверждение о том, что тип пластической деформации металлических стекол однозначно определяется кинетикой структурной релаксации. В случае кинетически заторможенной структурной релаксации, характерной для испытаний исходных образцов при температурах T
Виноградов А.Ю., Китагава К., Хоник В.А. Кинетика структурной релаксации и закономерности пластического течения металлических стекол // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 12, Стр. 2167

Рассмотрены результаты применения градиентной теории упругости для описания упругих полей и энергий дислокаций и дисклинаций. Основным достижением такого подхода является устранение классических расходимостей на линиях дефектов и возможность описания короткодействующих взаимодействий между ними на наноскопическом уровне. В рамках одной из версий градиентной теории упругости получены несингулярные решения для полей напряжений и деформаций прямолинейных дисклинаций в бесконечной изотропной среде. Описано поведение упругих полей вблизи дисклинационных линий и особенности короткодействующих взаимодействий между дисклинациями, изучение которых невозможно в классической линейной теории упругости. Показано, что значения деформаций и напряжений на линиях дисклинаций сильно зависят от величины плеча диполя d. При короткодействующих междисклинационных взаимодействиях, когда d меняется от нуля до нескольких межатомных расстояний, эти значения меняются монотонно в случае клиновых дисклинаций и немонотонно в случае дисклинаций кручения, равномерно стремясь к нулю при аннигиляции дисклинаций. На расстояниях от дисклинационных линий, превышающих несколько межатомных, градиентные и классические решения совпадают. Как и в классической теории упругости, градиентное решение для диполя клиновых дисклинаций преобразуется в известное градиентное решение для краевой дислокации при d, много меньших межатомного расстояния.
Гуткин М.Ю., Айфантис Е.С. Дислокации и дисклинации в градиентной теории упругости // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 12, Стр. 2158