Разработаны теоретические представления о дефектах несоответствия нового типа --- дисклинациях несоответствия --- на межфазных границах кристалл / кристалл и кристалл / стекло. Показано, в частности, что образование дисклинаций несоответствия является эффективным физическим микромеханизмом релаксации напряжений несоответствия на межфазных границах кристалл / кристалл. Построена модель, описывающая дисклинации несоответствия на межфазных границах кристалл / стекло. Получены оценки энергетических характеристик межфазных границ с ансамблями дисклинаций несоответствия.
Овидько И.А. Дисклинации несоответствия на межфазных границах кристалл / кристалл и кристалл / стекло // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1637

Равновесные концентрации термических дефектов рассчитаны в приближении среднего поля для конфигурационной энтропии. Обсуждаются устойчивые конфигурации точечных дефектов в NiAl.
Лозовой А.Ю., Коржавый П.А., Абрикосов И.А., Пономарев К.В., Векилов Ю.Х. Первопринципное исследование точечных термических дефектов в B2 NiAl // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1630

Предложена модель, которая описывает диффузионное расплывание границ раздела различной геометрии в металлических наностеклах. Показано, что расплывание плоских границ раздела протекает быстрее, чем расплывание тройных стыков, которое в свою очередь протекает быстрее, чем расплывание узлов. Это объясняет изменения среднего времени жизни позитронов в металлических наностеклах при термообработке.
Колесникова А.Л., Овидько И.А., Романов А.Е. Трансформации границ раздела в наноаморфных твердых телах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1627

Необычный рельеф в виде линейных дефектов, похожих на квазитрещины или канавки, наблюдался на сжатой поверхности изогнутой пластины кремния в процессе ее химической обработки --- травления. Среднее расстояние между возникающими дефектами определялось величиной механической деформации поверхности. Предполагается, что причиной этого явления может быть нестабильность Азаро--Тиллера--Гринфельда (АТГ) в системе "сжатая поверхность--агрессивная среда (травитель)". Предложена простая методика создания значительных механических деформаций поверхности кремния (до 0.5%) при комнатной температуре.
Шретер Ю.Г., Тархин Д.В., Хорев С.А., Ребане Ю.Т. Неустойчивость упруго-сжатой поверхности кремния при травлении // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 8, Стр. 1416

С целью уточнения механизма микроиндентирования, на основе анализа экспериментальных данных по влиянию спектрального состава и интенсивности света на микротвердость монокристаллического Si и проведенных теоретических расчетов установлено существование около поверхности Si тонкого слоя высокой твердости, который оказывает разное влияние на величину микротвердости в зависимости от глубины внедрения индентора в вещество.
Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д., Кутивадзе Н.Г., Бибилашвили А.П., Бохочадзе З.Г. О распределении величины микротвердости по глубине образца // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1225

Установлена зависимость скорости самосогласованного движения очагов неоднородной пластической деформации при растяжении монокристаллов gamma-Fe от коэффициента деформационного упрочнения. Показано, что на стадии линейного упрочнения связь между скоростью и указанной величиной является обратно пропорциональной. Предложена интерпретация наблюдаемых закономерностей на базе представления об автоволновом характере пластического течения твердых тел и самоорганизации в деформируемой среде. Установлен закон дисперсии автоволн пластической деформации.
Баранникова С.А., Зуев Л.Б., Данилов В.И. Кинетика периодических процессов при пластическом течении // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1222

Приведен расчет амплитудно-зависимого дефекта модуля упругости для трех основных моделей дислокационного гистерезиса: 1) гистерезиса отрыва по Гранато--Люкке, 2) гистерезиса Давиденкова и 3) гистерезиса трения без возвращающей силы (БВС). Для всех трех типов петель рассмотрено отношение амплитудно-зависимых декремента и дефекта модуля и показано, что в общем случае r зависит от амплитуды колебаний. В частном случае степенных амплитудных зависимостей декремента и дефекта модуля r не зависит от амплитуды, а зависит только от показателя степени n. Получены формулы r(n) для трех типов гистерезисных петель, и продемонстрировано, что величина r может служить идентификатором формы петли. Сравнение расчетных кривых с результатами экспериментов, накопленными к настоящему времени, показало, что большинство данных лежит ближе к гистерезисам Давиденкова и БВС. Проанализированы пределы применимости приближения секущего дефекта модуля, используемого для определения дислокационной деформации из измерений внутреннего трения.
Лебедев А.Б. Амплитудно-зависимый дефект модуля упругости в основных моделях дислокационного гистерезиса // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1214

В рамках четырехмерного формализма динамических функций Грина получены интегральные представления для электроупругих полей движущихся дислокаций и дисклинаций в пьезоэлектрических кристаллах. Рассмотрены случаи непрерывного распределенных и одиночных линейных дефектов. Правильность полученных результатов подтверждается выполнением требований соответствия при переходе к чисто упругому решению.
Ханнанов Ш.Х. Электроупругие поля движущихся дислокаций и дисклинаций в пьезоэлектрических кристаллах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1210

Исследовалось влияние термообработки на подвижность дислокаций в кристаллах NaCl, легированных примесью разного типа --- хорошо растворимой (Ca2+) и плохо растворимой (Pb2+). Полученные при старении и термообработке результаты позволяют заключить, что тип примеси и ее состояние в кристалле существенно влияют на относительную подвижность краевых и винтовых дислокаций, а также на параметры двойного поперечного скольжения.
Житару Р.П., Палистрант Н.А. Влияние термообработки на относительную подвижность краевых и винтовых дислокаций в кристаллах NaCl // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 6, Стр. 1041

Исследовано влияние слабого магнитного поля 0.1-0.8 T на внутреннее трение и дефект модуля Юнга кристаллов LiF в области амплитуд относительной деформации varepsilon0 от 10-6 до 10-4 на частотах 40 и 80 kHz. Показано, что при испытаниях в магнитном поле внутреннее трение возрастает, а эффективный модуль упругости уменьшается, что свидетельствует об увеличении пластичности образцов. Установлены зависимости внутреннего трения от величины магнитного поля при разных значениях амплитуды varepsilon0.
Тяпунина Н.А., Красников В.Л., Белозерова Э.П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 6, Стр. 1035