Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле p-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0.13, 0.39 и 0.53 эВ. Проводится обсужден...