Экспериментально проведено разделение механизмов спин-решеточной релакскции 69,71Ga в чистом и легированных медью и хромом кристаллах GaAs, 23Na в номинально чистом NaCl и 27Al в чистом и слаболегированном хромом кристаллах Al2O3 в диапазоне температур 80-300 K. Выделение вклада в релаксацию примесей осуществлялось путем дополнительного стационарного насыщения линии ЯМР резонансными магнитным и электрическим полями. Показано, что в условиях подавления примесного механизма релаксации температурная зависимость T1 в кристаллах арсенида галлия и хлористого натрия описывается в рамках модели рамановских двухфононных процессов в приближении Дебая, тогда как зависимость T1 от температуры в кристаллах корунда отклоняется от теоретических предсказаний для релаксации за счет спин-фононного взаимодействия.

Исследовано влияние концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl и предварительного рентгеновского облучения кристаллов NaCl и LiF на величину магнитного поля насыщения B0, характеризующего переход от обычной пропорциональности среднего пробега дислокаций l квадрату магнитной индукции B (l прапорционально B2) к насыщению (l=const). Показано, что с увеличением концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl и дозы рентгеновского облучения NaCl и LiF величина B0 растет. Данный факт соответствует тому, что открепление дислокаций от локальных дефектов в слабых магнитных полях лимитируется механизмом продольной релаксации спинов в системе радикальных пар, образующихся при взаимодействии дислокационных ядер с парамагнитными центрами. Работа чистично финансировалась грантом Российской академии наук (6-й конкурс научных проектов молодых ученых РАН), Hungarian Scientific Research Foundation (OTKA T23092 and T035044) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 03-02-17021).

Рассматривается влияние насыщения дрейфовой скорости носителей на вольт-фарадные характеристики затворных емкостей Cgs, Cgd МОП транзистора. Проведено аналитическое исследование вольт-фарадных характеристик для трех различных аппроксимаций зависимости дрейфовой скорости носителей от поля nu(E). Показано, что вольт-амперная характеристика может быть вычислена с удовлетворительной точностью с помощью наиболее простой кусочно-линейной аппроксимации. Напротив, вольт-фарадные характеристики должны вычисляться на основе более реалистичных аналитических зависимостей nu (E), поскольку грубая кусочно-линейная аппроксимация в этом случае приводит к серьезным погрешностям. Сравнение экспериментальных вольт-фарадных характеристик с теоретическими может послужить критерием оценки реального закона насыщения дрейфовой скорости.

Методом диффузионного насыщения радиоактивным изотопом 119mSn пленок нелегированного аморфного гидрированного кремния определена растворимость олова в этом материале. Температурная зависимость растворимости олова описывается соотношением S [см-3]=4·1022exp(-0.46/kT [эВ]).

Изучено влияние радиационных дефектов на полевые и температурные зависимости магнитной восприимчивости монокристаллического Si. Обнаружена нелинейная зависимость магнитной восприимчивости облученного Si от магнитного поля, которая объясняется магнитным упорядочением A-центров, и сделан вывод о существовании скоплений этих центров с локальной концентрацией порядка 1021 см-3. Предложено объяснение "диффузионного парадокса" в образовании кислородосодержащих термодоноров, основанное на учете микронеоднородностей пространственного распределения термодоноров и межузельного кислородавSi.

Исследованы вольт-амперные характеристики специально разработанных оригинальных трехэлектродных структур n+-p-n+ на основе карбида кремния. Впервые определены насыщенные дрейфовые скорости электронов в направлении, параллельном оси кристалла, для ряда политипов карбида кремния (4H, 6H, 8H и 21R), величины которых составили 3.3· 106, 2· 106, 106 и 4· 103 см/с соответственно. Полученные результаты интерпретируются в рамках представлений о минизонной электронной структуре, обусловленной естественной сверхрешеткой в SiC, и качественно удовлетворяют этим представлениям. Экспериментально подтверждена корреляция между дрейфовой скоростью и шириной первой минизоны в исследованных политипах.

В рамках формализма матрицы плотности вычислены коэффициенты нелинейного поглощения волны накачки и пробной волны в прямозонном полупроводнике. Основная особенность расчета заключается в учете дисперсии носителей. Впервые показано, что закон дисперсии определяет характер насыщения коэффициента поглощения. Зависимость вычисленных коэффициентов поглощения от частоты и интенсивности сильно отличается от зависимостей, известных ранее. Показано также, что обычная теория межзонного нелинейного поглощения, основанная на кинетических уравнениях для носителей, приводит к правильным результатам только в пределе малых интенсивностей накачки.

Теоретически исследована ватт-амперная характеристика полупроводникового лазера на квантовых ямах с учетом эффекта насыщения коэффициента усиления. Показано, что при больших значениях плотности тока ватт-амперная характеристика становится нелинейной. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.

Методами математического моделирования исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в субмикронных n+-n-n+-структурах в квазигидродинамическом приближении. Сиспользованием альтернативных зависимостей подвижности и времени энергетической релаксации от электронной температуры рассчитаны профили распределения потенциала, температуры, дрейфовой скорости и плотности потока тепловой энергии электронов. Показано, что в субмикронной ситуации существенная часть тепловой энергии, приобретаемой электроном в высокоомной n-области, рассеивается в низкоомном n+-контакте. Этот эффект снижает темп нарастания электронной температуры в пролетной области с ростом напряжения, повышает эффективную подвижность и препятствует насыщению дрейфовой скорости, как это показывают приведенные расчетные вольт-амперные характеристики.

Сергиевский В.в. Моделирование давления насыщенного пара растворов электролитов // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.5 Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 108-109