Изучаются периодические группы, насыщенные конечным множеством конечных (простых неабелевых) групп. Получена некоторая информация об элементах насыщающего множества таких групп.

Рассматривается импульсное стохастическое возбуждение двухуровневой системы, описываемой уравнениями Блоха. На основе теории стохастических дифференциальных уравнений получено и решено уравнение для средних мощностей компонент вектора состояния системы. Проведен анализ динамических и нелинейных свойств отклика системы, находящейся в условиях импульсного стохастического резонанса, и результаты сопоставлены с соответствующим стационарным режимом. Полученные результаты могут быть использованы в спектроскопии и при анализе нелинейных фильтров, основанных на эффекте насыщения и предназначенных для обработки сигналов радиочастотного и светового диапазона.

Проводится сравнение кинетики десорбции гелия при линейном нагреве образцов, насыщенных разными способами, а также оценивается роль дислокаций на удержание гелия в материалах. Для изучения влияния условий насыщения материалов гелием на его удержание исследовались образцы аустенитной нержавеющей стали ОХ16Н15М3Б, насыщенные разными способами: облучение на циклотроне и магнитной масс-сепарационной установке, реакторах ИРТ-2000 и БОР-60, а также насыщение гелием методом "тритиевого трюка". Проведенные исследования показали, что при насыщении образцов гелием, обеспечивающим одновременное введение в решетку материала гелия и радиационных дефектов (в широких диапазонах концентрации гелия и радиационной повреждаемости), кинетика выделения гелия из образцов данного типа адекватна кинетике выделения гелия из образцов, облученных в реакторах. Исследование кинетики выделения гелия из образцов стали ОХ16H15М3Б как после их предварительной деформации, так и в процессе деформации показали, что в процессе нагрева атомы гелия могут мигрировать по трубкам дислокаций, оказывая существенное влияние на выход гелия и его перераспределение в объеме материала. Энергия активации диффузии атомов гелия по трубкам дислокации для аустенитной стали ОХ16Н15М3Б около 0.7 eV. Движущиеся дислокации могут способствовать выносу гелия на поверхность материала, границы зерен, межфазные границы.

Анализируется усиление оптического сигнала в иттербий-эрбиевом волоконном усилителе, работающем в режиме насыщения. Получены аналитические решения для распределения инверсной населенности, мощности накачки и сигнала вдоль активного световода. Для различных модовых размеров излучения и соотношений концентраций активных ионов иттербия и эрбия приведены спектральные зависимости мощности насыщения и порога усиления. Рассчитана оптимальная длина активного волокна.

Рассмотрена проблема зондовой диагностики движущейся слабоионизованной столкновительной плазмы, содержащей отрицательные ионы (однозарядные) или макрочастицы (тяжелые ионы с большим зарядом). На основе асимптотического анализа получены выражения для плотностей токов насыщения электронов и других заряженных частиц в точке торможения плазменного потока, обтекающего сферический зонд в режиме ламинарного пограничного слоя.

Методом насыщения ЯМР переменным электрическим полем проведено экспериментальное наблюдение стимулированной трансляционной диффузии индия в высокоомном GaAs. Двумя независимыми способами измерен коэффициент диффузии индия. Сравнение результатов данных изменений дает наилучшее совпадение в предположении междоузельного механизма диффузии.

Описаны оптические методы определения параметров полупроводниковых квантовых точек, синтезированных в стеклянной боросиликатной матрице. Проанализированы ограничения методов и величины погрешностей. Определены параметры нанокристаллов CdSxSe1-x в промышленных стеклах KC-10, OC-12, Coming 2-61 и других экспериментальных образцах.

При помощи экспериментальной методики накачки и зондирования исследовано влияние фотовозбужденных носителей на динамику спектров экситонного поглощения GaAs / AlxGa1-xAs-многослойных квантовых ям. Применение метода анализа моментов для обработки результатов позволило выделить одновременный вклад изменения силы осциллятора и уширения экситонных линий в насыщение экситонного поглощения. Оказалось, что сила осциллятора восстанавливает свое первоначальное значение в течение первых 100--130 ps, тогда как уширение и энергетический сдвиг экситонных линий наблюдаются в течение 700--800 ps. Впервые экспериментально измерена плотность насыщения силы осциллятора в случае влияния на экситонное состояние только свободных электрон-дырочных пар и в случае влияния только других экситонов.

Теоретически исследовано влияние электронов проводимости на кривую намагничивания металлического ферромагнетика с поверхностным закреплением магнитного момента. Электронный вклад обусловлен перестройкой дискретного спектра носителей заряда, захваченных неоднородным полем магнитной индукции такого ферромагнетика, и является своего рода диамагнитным эффектом, который приводит к заметному уменьшению усредненной по объему образца намагниченности ферромагнетика. В законе приближения намагниченности к насыщению получена степенная зависимость H-3/4 от внешнего магнитного поля H, обусловленная вкладом электронов проводимости.

Исследуется модель Хаббарда с бесконечным кулоновским отталкиванием в представлении многоэлектронных операторов. С использованием выражений для одночастичных функций Грина в первом порядке по 1/z построены картины плотности состояний. Проанализированы особенности ее поведения вблизи уровня Ферми, в частности кондовского типа. Исследована устойчивость насыщенного ферромагнетизма. Найдены соответствующие значения критической концентрации носителей тока для полуэллиптической и прямоугольной затравочной плотностей состояний, квадратной и кубических решеток. Проведено сравнение с результатами предыдущих работ.