Рассматривается влияние насыщения дрейфовой скорости носителей на вольт-фарадные характеристики затворных емкостей Cgs, Cgd МОП транзистора. Проведено аналитическое исследование вольт-фарадных характеристик для трех различных аппроксимаций зависимости дрейфовой скорости носителей от поля nu(E). Показано, что вольт-амперная характеристика может быть вычислена с удовлетворительной точностью с помощью наиболее простой кусочно-линейной аппроксимации. Напротив, вольт-фарадные характеристики должны вычисляться на основе более реалистичных аналитических зависимостей nu (E), поскольку грубая кусочно-линейная аппроксимация в этом случае приводит к серьезным погрешностям. Сравнение экспериментальных вольт-фарадных характеристик с теоретическими может послужить критерием оценки реального закона насыщения дрейфовой скорости.

Изучено влияние размерного квантования на вероятность оптических переходов без выполнения правила отбора по волновому вектору электрона. Показано, что в предположении постоянства инжекционной эффективности величина тока инверсии практически не зависит от толщины квантово-размерного слоя. Обсуждаются различные приближения для расчета скорости спонтанной рекомбинации.

Измерены зависимости планарного магнитосопротивления от магнитного поля для эпитаксиальных слоев n-CdxHg1-xTe (x=0.211, 0.22) при температурах 300 и 77 K. При 77 K измерения проведены в электрическом поле ниже и выше пороговых полей для лавинной ударной ионизации. По результатам измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда определены скорости поверхностной рекомбинации.

Исследованы вольт-амперные характеристики специально разработанных оригинальных трехэлектродных структур n+-p-n+ на основе карбида кремния. Впервые определены насыщенные дрейфовые скорости электронов в направлении, параллельном оси кристалла, для ряда политипов карбида кремния (4H, 6H, 8H и 21R), величины которых составили 3.3· 106, 2· 106, 106 и 4· 103 см/с соответственно. Полученные результаты интерпретируются в рамках представлений о минизонной электронной структуре, обусловленной естественной сверхрешеткой в SiC, и качественно удовлетворяют этим представлениям. Экспериментально подтверждена корреляция между дрейфовой скоростью и шириной первой минизоны в исследованных политипах.

Предлагается алгоритм расчета полевых зависимостей скоростей эмиссии, опирающийся на форм-функцию оптического перехода. Эксперимент и расчеты выполнены для комплекса VGaSAsв арсениде галлия. Проведено сопоставление предлагаемой модели с теоретическими работами, основанными на однокоординатном приближении. Сделан вывод о применимости однокоординатной модели для описания полевой зависимости скорости эмиссии дырок с центра VGaSAs.

Дана оценка порогового значения скорости роста напряжения на обратно смещенной диодной структуре, необходимого для возбуждения в ней фронта ударной ионизации, распространяющегося с большей скоростью, чем насыщенные дрейфовые скорости носителей.

Проведены теоретические и экспериментальные исследования зависимости свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs от скорости роста InAs. Развита кинетическая модель формирования когерентных наноостровков, позволяющая рассчитать зависимости среднего размера, поверхностной плотности островков и толщины смачивающего слоя от времени и условий роста. Исследованы оптические свойства квантовых точек InAs/GaAs при2монослоях нанесенного материала, выращенных при различных скоростях роста. Проведено сравнение предсказаний теоретической модели с экспериментальными результатами. Показано, что характерный латеральный размер квантовых точек уменьшается при увеличении скорости роста. Толщина остаточного смачивающего слоя при 2монослоях нанесенного материала возрастает с увеличением скорости роста.

В рамках простой модели, основанной на уравнении Гертца--Кнудсена, с учетом зависящего от температуры коэффициента прилипания, рассчитана зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме от температуры. Результаты расчета хорошо совпадают с экспериментальными данными.

Методами математического моделирования исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в субмикронных n+-n-n+-структурах в квазигидродинамическом приближении. Сиспользованием альтернативных зависимостей подвижности и времени энергетической релаксации от электронной температуры рассчитаны профили распределения потенциала, температуры, дрейфовой скорости и плотности потока тепловой энергии электронов. Показано, что в субмикронной ситуации существенная часть тепловой энергии, приобретаемой электроном в высокоомной n-области, рассеивается в низкоомном n+-контакте. Этот эффект снижает темп нарастания электронной температуры в пролетной области с ростом напряжения, повышает эффективную подвижность и препятствует насыщению дрейфовой скорости, как это показывают приведенные расчетные вольт-амперные характеристики.

Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Экспериментально установлено десятикратное увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с введенными барьерами в виде квантовых точек InAs в квантовой яме GaAs в сравнении с дрейфовой скоростью насыщения в объемном GaAs. Увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов позволяет повысить максимальную плотность тока, крутизну и частоту отсечки гетероструктурного полевого транзистора с квантовыми точками. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be