Предложено полуэмпирическое соотношение, связывающее скорость переходных процессов в монокристаллах бората железа с амплитудой магнитного поля и интенсивностью магнитоупругих колебаний. Приводятся экспериментальные данные, подтверждающие применимость выражения к реальным кривым импульсного перемагничивания.

Для обнаружения релаксационных переходов в твердых телах применен метод построения температурных зависимостей скоростей малых деформаций ползучести (спектров скоростей). Метод основан на прецизионном измерении скорости с помощью лазерного интерферометра и отличается высокой разрешающей способностью. Показана возможность использования спектров для прогнозирования критических температур в кинетике разрушения полимеров и металлов, а также в изменении электрических свойств (на примере сверхпроводящего перехода в Y--Ba--Cu--O керамиках).

Экспериментально и теоретически исследована частотная зависимость скорости связанных магнитоупругих волн в слабом ферромагнетике FeBO3. В условиях ядерного магнитоакустического резонанса, когда частота возбуждаемого в образце звука близка к частоте ЯМР ядер Fe57, обнаружена аномальная зависимость скорости поперечного звука от частоты в монодоменном образце. Показано, что наблюдаемая зависимость обусловлена существенным влиянием неравновесных состояний ядерной спин-системы на перенормировку упругих констант вследствие эффективной магнитоупругой связи. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 99-02-16268).

Рассмотрена роль отталкивания электронных оболочек и электрон-фононного взаимодействия атомов адсорбционного комплекса в формировании начальной скорости ионов. Работа выполнена в рамках Федеральной программы "Поверхностные атомные структуры".

В рамках геометрико-вероятностного подхода получено выражение для объемной доли фазы в системе с неоднородной скоростью зарождения. В качестве примеров таких систем рассмотрены следующие случаи: 1) плоский слой (зарождение происходит на серединной плоскости) и случайные плоскости в пространстве; 2) бесконечный цилиндр (зарождение происходит на оси) и случайные прямые в пространстве; 3) шар (зарождение происходит в центре) и зарождение в случайных точках. В каждом случае получено выражение для объемной доли при зависящих от времени скоростях зарождения и роста. Установлена эквивалентность процессов гомогенного зарождения и зарождения в точках.

В интервале температур 4.2--300 K на частоте 10 MHz в направлении [111] измерена продольная скорость звука (v1) в монокристаллическом синтетическом опале. vL при 300 K равна 2.1·105 сm/s. dvL/v300K(T) (где dvL=vT, K-v300 K) в интервале 4.2--200 и 200--300 K ведет себя соответственно подобно аморфным и кристаллическим телам. Работа выполнена в рамках двустороннего соглашения между Российской академией наук и Немецким научным обществом по теме "Advanced Materials with Collective Electronic Properties" при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16883).

Рассмотрено влияние конечной скорости образования метастабильного состояния на кинетику фазового перехода первого рода. Получены условия, которые определяются параметрами рассматриваемой системы и скоростью охлаждения, при которых можно считать образование метастабильного состояния мгновенным, когда процесс зародышеообразования происходит в конце интервала охлаждения, или медленным, когда интервал времени интенсивного образования зародышей новой фазы находится внутри интервала охлаждения. Получено уравнение, определяющее время и соответственно температуру, в малой окрестности которой происходит стадия зародышеообразования появляющейся фазы, при которых происходит интенсивное зародышеобразование частиц новой фазы. Соответственно этой температуре определяются и все остальные параметры, от которых зависит кинетика начальной и переходной стадии фазового перехода. В качестве примера приведены все соотношения для слабого твердого раствора.

Обнаружен третий участок на кривой импульсного перемагничивания монокристаллов бората железа с рекордно малым значением коэффициента переключения Sw3~(3-5)·10-3 Oe·mus. Его появление объясняется \glqq отключением\grqq из возможных каналов потерь энергии, связанных с магнитоупругими колебаниями.

Впервые с помощью линейного анализа на морфологическую устойчивость и принципа максимума производства энтропии рассчитана полная морфологическая диаграмма для неравновесно растущего из раствора шарообразного зародыша при квадратичной зависимости локальной скорости роста от пересыщения. Проведено сравнение результатов с полученными ранее данными по росту сферической частицы при линейной зависимости скорости роста от пыресыщения.

Представлены результаты исследований роста и фотолюминесценции (ФЛ) самоформирующихся островков Ge(Si) / Si(001), полученных в широком интервале скоростей (vGe=0.1-0.75 Angstrem / s) осаждения Ge при температуре Tg=600oC. АСМ-исследования показали, что для всех скоростей осаждения Ge доминирующим типом островков на поверхности являются dome-островки. Обнаружено, что латеральный размер островков уменьшается, а их поверхностная плотность растет с увеличением vGe. Уменьшение латерального размера связывается как с увеличением содержания Ge в островках, так и с увеличением доли поверхности, занятой ими. Обнаруженное смещение положения пика ФЛ в область меньших энергий также объясняется повышением содержания Ge в островках при увеличении vGe. Работа выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-16792, проекта INTAS NANO N 01-444 и программ Минпромнауки РФ.