Посредством численного моделирования исследовано влияние разупорядочения на критическую температуру s-волновых сверхпроводников с малой длиной когерентности. В качестве расчетной модели использовалась двумерная модель Хаббарда с притяжением. Расчеты проводились в рамках подхода Боголюбова--Де Жена, что позволило учесть пространственную неоднородность параметра порядка. Исследовано, насколько влияет учет пространственной неоднородности физических величин на полученные результаты. Показана возможность возрастания критической температуры при разупорядочении.

Показано, что добавка 3--5 wt.% серебра в сверхпроводящую керамику YBaCuO приводит к заметному увеличению ее микропластичности и прочности. Получены температурные спектры скоростей микропластической деформации для керамик YBaCuO / Ag с содержанием серебра 0, 1.6, 2.9, 4.2 и 7.6 wt.%. Обсуждается структура спектров, а также связь одного из пиков со сверхпроводящим переходом. Рассмотрены особенности вольт-амперных характеристик (ВАХ) образцов, охлажденных в магнитном поле. Показано, что положение восходящей ветви ВАХ зависит от точки старта ВАХ, что может быть использовано для фиксации двух или более устойчивых положений ячейки памяти на основе высокотемпературных сверхпроводников.

Рассмотрены возможные последовательности чередования тройных слоев X-M-X в дихалькогенидах металлов MX2, не противоречащие условиям плотной упаковки, и установлены структура и симметрия элементарных ячеек основных политипных модификаций этих соединений. Молекулярное строение этих кристаллов и тот факт, что минимальной структурной единицей в них является молекула MX2, позволили предложить сокращенную форму записи положения каждого тройного слоя, при которой указываются только положение центрального атома металла и ориентация молекулы. При этом учитывается существование двух видов координации атомов металла в молекуле: октаэдрическая, при которой ближайшие слои X занимают различное положение, образуя плотную упаковку, и тригональная призматическая, в которой оба слоя X занимают одинаковое положение. Использование такой сокращенной (молекулярной) формы записи значительно упростило рассмотрение политипных структур и позволило выделить среди кристаллов с элементарными ячейками в два, три и четыре слоя нескольких групп структур, различающихся как по строению, так и по симметрии. Автор выражает благодарность Российскому фонду фундаментальных исследований за финансовую поддержку (грант N 00-02-16890).

Рассматривается роль электрических полей неподвижных ростовых дислокаций в формировании люминесцентных свойств деформированных кристаллов сульфида цинка. Показано, что особенности изменений фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса, наблюдаемые после пластического деформирования кристаллов ZnS, могут быть вызваны увеличением радиуса ридовских цилиндров, происходящим при выходе ростовых дислокаций из атмосфер Коттрелла.

Измерена прочность поликристаллического сегнетоэлектрика Pb0.95Sr0.05(Zr0.46Ti0.54)O3 + 0.78 wt.% Cr2O3 (ЦТС-22) при изгибе в диапазоне скоростей нагружения 5· 10-2-10 MPa/s и температур 293-873 K (включающем температуру Кюри Tc=593 K). Трактовка результатов представлена в рамках релаксационной модели хрупкого разрушения. Определен эффективный активационный объем процесса разрушения с использованием зависимостей прочности от скорости нагружения образца при различных температурах. Обсуждаются изменения активационных характеристик в области фазового перехода. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-016232).

Исследовано влияние состава эпитаксиальных слоев (ЭС) твердого раствора (TP) SixGe1-x, выращенных на Ge- и Si-подложках, на микротвердость и длину дислокационных розеток, образующихся вокруг отпечатков индентора (при гомологической температуре 0.5Tmelt для соответствующего сплава). Для ЭС ТР SixGe1-x/Ge (0=<q x

Рассмотрена теория явлений, возникающих при оптическом методе возбуждения собственных мод колебаний электронного газа в полупроводниках с падающим участком вольт-амперной характеристики в сильном электрическом поле. Исследована зависимость величины тока через образец от частоты колебаний интерференционной картины, освещающей образец. Нестационарная и неоднородная засветка образца создает внутреннее электрическое поле, взаимодействие которого с собственными колебаниями имеет резонансный характер при совпадении частот колебаний интерференционной картины с частотами колебаний электронного газа. При приближении к максимуму вольт-амперной характеристики это взамодействие принимает нелинейный характер. Работа выполнена при финансовой поддержке Deutsches Zentrum fur Luft- und Raumfahrt и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17603).

Исследовано влияние температуры в интервале 20-500oC на модуль Юнга наноструктурного ниобия с содержанием примесей Ta

Проведены исследования электролюминесценции, возникающей при переполяризации сегнетокерамики в быстро нарастающем электрическом поле. Установлена корреляция между кинетикой переполяризации и свечения. Показано, что туннелирование электронов в зону проводимости и ударная ионизация в концентраторах поля являются основными механизмами генерирования свободных носителей заряда, ответственных за электролюминесценцию и внутреннее экранирование переключающихся доменов.

Условия возникновения спонтанной спиновой поляризации в двумерной системе в нулевом магнитном поле анализируются для случая слабого заполнения нижних подзон размерного квантования, когда обменное взаимодействие носителей тока доминирует над их кинетической энергией. В рамках приближения Хартри--Фока определяется критическая концентрация, выше которой происходит полная спиновая деполяризация двумерного газа носителей тока, что, возможно, связано с его переходом в металлическое состояние. Работа поддержана МНТЦ (грант N 2136).