Представлены результаты неэмпирического UHF расчета равновесной геометрии и энергии связи комплексов переходных металлов Me(C5H5)2, Me(C6H6)2 и энергетически стабильных металлофуллеренов Me(C60)2, где Me=Ti, V, Cr, Fe, Ni. Методика расчета была отработана по молекуле ферроцена; рассчитанная геометрия и энергия связи находятся в удовлетворительном согласии с экспериментом.

Кристаллы кремния, выращенные методом Чохральского и легированные азотом, содержат мелкие термодоноры (МТД), отсутствующие в контрольных кристаллах. В процессе отжига при температурах 600 или 650oC концентрация МТД выходит на насыщение, и эта концентрация зависит от содержания азота N по закону N1/2. Данный результат указывает на то, что МТД включает в свой состав только один атом азота, и наиболее вероятной моделью МТД-дефекта является комплекс NOm межузельного атома азота и m атомов кислорода. Число m оценено по данным о температурной зависимости константы равновесия для реакции образования комплекса, в среднем m=3.

На основе численного решения уравнений движения намагниченности исследуется динамика установления стационарной резонансной прецессии при перпендикулярном подмагничивании феррит-гранатовой пленки типа (100). Обнаружено наличие особого стационарного динамического режима, при котором намагниченность совершает незатухающие спиралеобразные движения, а также большого по амплитуде нутационного движения с периодом, кратным периоду прецессии.

Методом четырехточечного изгиба изучены особенности генерации и движения дислокаций в монокристаллических пластинах кремния после различных термообработок. Показано, что отжиг пластин при 450oC приводит к существенному упрочнению пластин по сравнению с ростовым состоянием. Образующиеся в объеме пластин в процессе многоступенчатых термообработок кислородсодержащие перципитаты в преципитатно-дислокационные скопления являются эффективными центрами гетерогенного зарождения дислокаций под действием термических или механических напряжений. Обнаружено существенное разупорядочение пластин, подвергнутых многоступенчатым термообработкам в режиме формирования в их объеме внутреннего геттера. Установлена существенная роль температурно-временных режимов низкотемпературной стадии многоступенчатой термообработки в формировании дефектного состояния в матрице кристаллической решетки кремния и прочностных характеристик пластин.

Оптическое детектирование ЭПР в полосах поглощения кристаллов щелочно-земельных фторидов, активированных редкоземельными (РЗ) ионами (Er, Tm, Yb и Lu) и иттрием, свидетельствует о существовании в них кластеров типа Y6F37, являющихся структурной единицей природного минерала твейтита и синтетических кристаллов иттрофлюорита [(CaF2)1-y(YF3)y] со сверхструктурным упорядочением кристаллической решетки при определенных значениях y. Начиная с концентрации РЗ-ионов порядка 0.1% основная часть РЗ-примеси концентрируется именно в этих кластерах, имеющих тенденцию к группированию в более крупные образования. Микроволновое поглощение и ИК-поглощение в полупроводниковых кристаллах CdF2 со структурой флюорита, легированных ионами Ga, In и Y, показывают важную роль кластеров также и в этих кристаллах. Работа поддержана грантом U.S. CRDF, Award N RPI-2096.

Предложена модель магнитного упорядочения в мультиструктурах типа Fe/Cr при температурах значительно выше точки Нееля объемного хрома. Перераспределение зарядовой (и, как следствие, спиновой) плотности вблизи границ раздела Fe/Cr ведет к формированию в прослойке хрома существенно неоднородного состояния с волной спиновой плотности (ВСП). Описана пространственная структура антиферромагнитного параметра порядка в толстых прослойках. Рассчитан вклад ВСП в эффективную обменную связь между моментами соседних слоев железа. На основе полученных результатов интерпретируются данные экспериментов по туннельной спектрометрии трислоев и дифракции нейтронов на сверхрешетках Fe/Cr. Работа частично поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N01-02-16175.

В рамках нерелятивистской флуктуационно-электромагнитной теории впервые получены формулы для квадруполь-квадрупольного вклада в тангенциальную и нормальную компоненты силы, действующей на частицу, движущуюся параллельно поляризующейся поверхности. Рассмотрены случаи, когда частица обладает постоянным или флуктуационным квадрупольным моментом, а поверхность характеризуется локальной диэлектрической функцией.

Впервые излагается наиболее полная нерелятивистская теория динамических флуктуационно-электромагнитных взаимодействий между различными типами частиц (заряды, диполи, нейтральные атомы, наночастицы) и поверхностью (плоской и цилиндрической) поляризующейся среды --- границей твердого тела. Теория основана на применении уравнений Максвелла и формализма флуктуационно-диссипативных соотношений. Для плоской поверхности учитываются также эффекты пространственной дисперсии. Критически анализируются работы других авторов. Кратко рассмотрены результаты недавних экспериментов, в которых могли наблюдаться диссипативные флуктуационные силы.

Исследован электронный транспорт в пленках аморфной двуокиси кремния с наночастицами (Co, Nb, Ta). В предположении, что электронный транспорт определяется неупругим резонансным туннелированием через цепочку локализованных состояний между гранулами, из температурных зависимостей проводимости найдено среднее число локализованных состояний в межчастичном туннельном канале при разных концентрациях гранул. Для подтверждения предположения о неупругом характере туннелирования исследованы зависимости магнитосопротивления от концентрации гранул, температуры и величины магнитного поля. В рамках одноорбитальной модели, когда туннельное магнитосопротивление между гранулами определяется s-s-туннелированием, найдено, что присутствие слаборасщепленных локализованных состояний в туннельном канале приводит к отсутствию насыщения магнитосопротивления в сильных магнитных полях. Одновременное понижение коэффициента s-s-туннелирования и рост вероятности неупругого рассеяния спина электрона при увеличении длины межчастичной цепочки локализованных состояний, по которой туннелирует электрон, формируют характерные температурно-концентрационные зависимости магнитосопротивления. Экспериментальное обнаружение этих особенностей подтверждает то, что электронный транспорт в структурах a-SiO2 (Co, Nb, Ta) определяется неупругим резонансным туннелированием через локализованные состояния между гранулами. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17071).

На основе электронного спектра носителей заряда E( k), вычисленного с учетом орбитального вырождения eg-зоны марганца для основных типов A-, G- и C-антиферромагнитного упорядочения в La1-yCayMnO3, рассчитаны полные энергии различных магнитных конфигураций в области электронного легирования y>0.5. Для определения магнитной конфигурации, обладающей минимальной полной энергией, выполнялась минимизация этой энергии по углу между спинами ионов Mn+4, принадлежащих двум различным магнитным подрешеткам. Полученные таким образом для T=0 K фазовые диаграммы манганитов, зависящие от межатомного обменного параметра Гейзенберга JAF и внутриатомного хундовского обмена JH, правильно описывают существующий эксперимент. Результаты расчета свидетельствуют, что при учете расщепления eg-уровня для равновесных A- и C-фаз в области реальных значений параметров 0.012