Генерация низкотемпературных термодоноров (ТД) в кремнии чувствительна к скорости охлаждения образцов (от температуры отжига до комнатной) и к атмосфере (воздух или вакуум). Этот эффект наиболее четко выражен в случае отжига при 500oC, заметен при 480oC, но почти отсутствует при 450oC. Результаты хорошо объясняются ускорением процесса генерации ТД в присутсвии собственных межузельных атомов кремния (Si). Эти атомы эмиттируются термодонорами и затем поглощаются стоками --- поверхностью образца и объемными микродефектами (вакансионными порами). При отжиге в вакууме основным стоком является поверхность. При отжиге на воздухе этот сток "пассивирован" благодаря окислению и/или загрязнению, и главным стоком становятся поры; в результате концентрация атомов SiI существенно возрастает и скорость генерации увеличивается. Быстрое охлаждение образцов приводит к частичной пассивации пор (вследствие их декодирования быстро диффундирующими примесями) и к дополнительному увеличению скорости генерации. Расчетные кинетические кривые, полученные в рамках данной модели, хорошо описывают эксперимент.

Развита теория отклика двухуровневой двумерной системы на облучение световым импульсом симметричной формы. Подобная электронная система в определенных условиях аппроксимирует одиночную идеальную квантовую яму при нулевом или сильном магнитном поле H, перпендикулярном плоскости ямы. Один из уровней --- основное состояние системы, второй --- дискретное возбужденное состояние с энергией homega0, каковым может являться экситонный уровень при H=0 или любой уровень в сильном магнитном поле. Предполагается, что влиянием прочих уровней и взаимодействием света с решеткой можно пренебречь. Получены общие формулы для временной зависимости безразмерных отражения R(t), поглощения A(t) и пропускания T(t) симметричного светового импульса. Показано, что на временных зависимостях R(t), A(t) и T(t) существуют особые точки трех типов. В точках t0 первого типа A(t0)= T(t0)=0 и происходит полное отражение. Показано, что в случае gammar>>gamma, где gammar --- радиационное, а gamma --- нерадиационное обратное время жизни верхнего уровня двухуровневой системы при условии резонанса omegal=omega0 может происходить сильное изменение величины и формы прошедшего импульса. В случае достаточно длинного импульса, когда gammal

Изучены особенности генерации и движения дислокаций в бездислокационных пластинах кремния (монокристаллы выращены методом Чохральского), подвергнутых термообработкам при 450 и 650oC. Установлено, что низкотемпературные термообработки пластин с содержанием кислорода (7-8)· 1017 cm-3 оказывают существенное влияние на динамические характеристики вводимых в них при четырехточечном изгибе дислокаций, вызывая увеличение стартовых напряжений начала их движения. Обнаружена характерная пространственная неоднородность в генерации и распространении дислокаций от отпечатков индентора при игзибе термообработанных пластин. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.

Изучается процесс переноса тепла в одномерной решетке связанных ротаторов, в которой ориентационное взаимодействие соседних звеньев описывается периодическим потенциалом. На этом примере впервые показано существование одномерных решеток без потенциала подложки, обладающих конечной теплопроводностью в термодинамическом пределе. С ростом температуры данная система переходит из состояния с бесконечной в состояние с конечной теплопроводностью. Конечность теплопроводности обусловлена существованием в решетке локализованных стационарных возбуждений, препятствующих теплопереносу. Время жизни и концентрация этих возбуждений растет с ростом температуры, что приводит к монотонному уменьшению коэффициента теплопроводности. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант РФФИ N 98-03-333-66а). Один из авторов (А.В. Савин) выражает благодарность фонду INTAS-96-158 за частичную поддержку данного исследования.

Исследовано внутризонное поглощение электромагнитного излучения двумя типами квантовых наноструктур с цилиндрической симметрией: квантовым цилиндром (кольцом) и квантовой проволокой. Найдены аналитические выражения для коэффициентов поглощения высокочастотного электромагнитного излучения электронным газом наноструктур. Показано, что кривая поглощения содержит резонансные пики, причем в случае вырожденного газа на резонансных пиках имеются изломы. Работа поддержана Министерством образования России (проект N 97-7.1-210) и программой "Университеты России --- фундаментальные исследования" (проект N 53/33-98).

Исследованы механизмы возникновения самоиндуцированной и селективной прозрачности полупроводниковых сверхрешеток в гармоническом электрическом поле. Проанализирована их связь с блоховскими колебаниями, динамической локализацией и коллапсом квазиэнергетических мини-зон электрона. Проведено сравнение со свойствами джозефсоновских контактов. Показано, что самоиндуцированная прозначность обусловлена "вымыванием" столкновениями токовой компоненты из функции распределения электронов при дискретных значениях амплитуды гармонического поля, а селективная прозрачность --- это отражение немонотонной зависимости спектра нелинейных колебаний электрона в электрическом поле от его амплитуды. Динамическая локализация и коллапс квазиэнергетических мини-зон приводят к росту диссипации поля и способствуют разрушению состояний прозрачности сверхрешетки. Работа выполнена при финансовой поддержке грантов INTAS-FEBR 95-0615 МНТП ФТНС 99-1129.

Проведен качественный анализ особенностей электронного спектра плоской треугольной решетки и возможностей возникновения в ней волн зарядовой и спиновой плотности (ВЗП и ВСП). Обсуждается два типа соизмеримых структур с ВЗП и ВСП в приближениях слабого и сильного межэлектронного взаимодействий. Рассмотрены приложения моделей ВЗП и ВСП к некоторым конкретным объектам --- хемосорбированным монослоям металлов на поверхности (111) алмазоподобных полупроводников со степенью покрытия, близкой к 1/3.

Исследованы упругие свойства и рассеяние тепловых фононов в образцах керамики Al2O3 + 0.3% MgO и керметов различной пористости на ее основе, армированных металлическим каркасом из стали 12X28H9T, полученных методом полусухого прессования с последующим спеканием. Показано, что упругие модули керметов определяются их пористостью, а характер межзеренных границ может быть эффективно исследован методом распространения неравновесных фононов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-02-17426).

В рамках кластерной модели проведены модельные микроскопические расчеты матричного элемента дипольного момента, определяющего вероятность перехода электрона в процессе фотоэмиссии с одноэлектронной орбитали симметрии gammamu в свободное состояние. Проведен анализ эффектов матричного элемента --- угловой и поляризационной зависимостей --- в спектрах фотоэмиссии углового разрешения диэлектрических купратов типа Sr2CuO2Cl2 и Ca2CuO2Cl2 в предположении хорошо изолированного основного состояния двухдырочного кластера CuO5-4 --- синглета Жанга--Райса. Угловая k-зависимость матричного элемента приводит к эффектам типа "остаточной Ферми-поверхности", характерным для металлических систем. Анализ экспериментальных данных указывает на существование вблизи синглета Жанга-Райса электронного состояния другой симметрии. Работа выполнена частично благодаря поддержке гранта REC-005 CRDF и гранта Министерства образования РФ N 97-0-7.3-130.

Исследовано влияние волны непрерывной накачки на распространение солитонов магнитостатических спиновых волн. Показано, что при определенных условиях, когда частота непрерывно возбужденной волны попадает в спектр солитоноподобного импульса, нелинейное взаимодействие приводит к распаду солитона. Представлены результаты численных расчетов рассмотренного эффекта. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-02-17600).