Экспериментально изучены температурные зависимости поперечной диэлектрической проницаемости смешанных кристаллов K1-x(NH4)xH2PO4 (x~0, 0.04, 0.09, и 0.19) для определения параметра (PA), характеризующего упорядочение протонов в области сегнетоэлектрического фазового перехода. Сопоставление температурных зависимостей параметра PA и спонтанной поляризации показало, что во всех исследованных составах появлению спонтанной поляризации предшествует частичное упорядочение протонов. В кристаллах с повышенным содержанием аммония имеет место ослабление влияния решеточной поляризации на упорядочение протонов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17230).

На основе численного решения уравнений движения намагниченности в феррит-гранатовой пленке типа (111) показано, что в зависимости от значений подмагничивающего и высокочастотного полей реализуются режимы резонансной прецессии, сильно отличающиеся по амплитуде и форме траектории. Наряду с этим имеют место бифуркации, приводящие к резкому изменению амплитуды, состояниям бистабильности, а также режимам прецессионного движения с периодом, кратным периоду СВЧ-поля.

Описан метод оценки размеров наночастиц, основанный на реставрации функции распределения сверхтонких магнитных полей p(Hn) по данным о мессбауэровском спектре ядер 57Fe. Идея метода связана с тем, что благодаря обрыву обменных связей для "поверхностных" атомов можно выделить их вклад в суммарную площадь под кривой p(Hn) В качестве иллюстрации возможностей метода приводятся данные, полученные в опытах с наночастицами магнетита.

Малоцикловая поверхностная усталось остается относительно малоизученной областью. Особенно это относится к накоплению поверхностных повреждений при наноконтактном взаимодействии твердых тел. Предлагается новый метод моделирования усталости при быстропротекающем наноконтактном взаимодействии, основанный на циклическом динамическом наноиндентировании. Результаты исследований на модельных монокристаллах LiF и промышленной керамике ZrO2 показывают, что при малом числе циклов N~ 20 происходит упрочнение материала под индентором, которое с увеличением N сменяется разупрочнением, проявляющемся в образовании и росте микротрещин. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16573) и Министерства образования Российской Федерации (грант N E00-34-123).

На основе представлений о структуре пористого кремния как о случайной совокупности наноразмерных кристаллитов Si, погруженных в матрицу SiO2, дана теоретическая интерпретация кинетики фотолюминесценции (ФЛ), обусловленной туннельной излучательной рекомбинацией фотовозбужденных электрона и дырки, локализовавшихся на границе раздела кристаллит/матрица. Следующий из теории относительно медленный --- по типу затянутой экспоненты (stretched exponential) --- временнoй спад интенсивности ФЛ является результатом усреднения интенсивности в каждом элементарном акте ФЛ по взаимному расположению электрона и дырки, локализованных на поверхности отдельного кристаллита, и по размерам кристаллитов. С помощью предложенного подхода удается достигнуть хорошего количественного описания низкотемпературных экспериментов как по кинетике ФЛ при фиксированной энергии излучения, так и по временной эволюции спектров ФЛ пористого кремния.

Исследованы условия формирования двухимпульсных сигналов эха ядер 59Co в тонких магнитных пленках при T=4.2 K. В рамках известных механизмов проведено численное моделирование условий формирования дополнительных 3tau- и 4tau-сигналов эха (tau --- задержка между импульсами). Показано, что множественная структура эха ядер 59Co при T=4.2 K обусловлена механизмом, в рамках которого на ядерную спиновую систему действует дополнительное сверхтонкое магнитное поле, пропорциональное ядерной намагниченности.

На примере сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата рассматривается эффект фотоупругой релаксации. Описаны два вклада в такую релаксацию --- оптический и деформационный; определены процентные их соотношения в формировании суммарного эффекта. Приведены температурные зависимости амплитуд релаксации, индуцированных механическим напряжением разности хода и двулучепреломления.

Исследуется движение атома гелия по каналу, диаметр которого сопоставим с "диаметром" этого атома. Такие каналы наблюдаются в материалах группы кварца. Учет локального закона сохранения импульса при взаимодействии атома He с атомами, формирующими стенку канала, позволяет свести задачу к одномерному движению, сходному с движением дислокации в рамках модели Френкеля--Конторовой. В рамках этой модели вычислена энергия активации комплекса "атом He + смещения атомов стенки канала". Полученная энергия выражается через модуль сдвига материала, формирующего канал, и поляризуемость атома гелия, которая зависит от его состояния. Работа выполнена при поддержке Международного фонда Swiss National Science Foundation (N 7SUPJ062127).

Методом генерации третьей гармоники на длине волны 1.064 mum исследована нелинейная оптическая восприимчивость третьего порядка chi(3) (3omega;omega,omega,omega) пленок двух типов сополимеров, содержащих оптически нелинейный N-замещенный нитроазобензол в боковой (сополимеры метакрилового ряда) и основной (сополиимидоамидоэфиры) полимерных цепях.

Использование эффекта Зинера в качестве критерия обнаружения кристаллита на эмиссионной поверхности автокатода позволило идентифицировать кристаллическую фазу углеграфитового эмиттера и наблюдать явления интерпретированные как самопроизвольная и термополевая перестройка эмитирующего углеродного нанокристаллита.