Теоретически исследован механизм влияния внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства структур Al/туннельно-тонкий SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем. Особенностью рассматриваемой структуры являетс наличие специальной инверсной гребенки, между которой и подложкой прикладывается положительное напряжение. Получены соотношения, выражающие функциональную зависимость параметров структуры и выходных электрических характеристик фотоэлектрических преобразователей на ее основе от величины напряжения смещения. Представлены результаты численных расчетов, иллюстрирующие эффективность использования внешнего электрического смещения для повышения коэффициента полезного действия фотоэлектрических преобразователей на основе структур Al/SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем.

Теоретически описан экспериментально обнаруженный эффект возникновения режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ сигнала. Выяснены причины существования диапазонов напряжений смещений на диоде и уровней мощности СВЧ сигнала, в которых наблюдается обнаруженный эффект.

Исследованы свойства атомов золота в кремнии и изменение их уровней под всесторонним гидростатическим давлением. Проведенные исследования показывают, что под воздействием давления(P)итемпературы(T) ширина запрещенной зоны кремния изменяется со скоростью d E/d P= -1.5· 10-11эВ/Па\quadи\quad d E/d T=-3.2· 10-6 эВ/К.

Показано, что в неупорядоченных полупроводниках, характеризующихся достаточно быстро убывающей энергетической плотностью локализованных состояний, при низких температурах, когда можно пренебречь вкладом термоактивированных прыжков носителей заряда в процесс прыжкового транспорта, в трехмерном случае может существовать равновесное энергетическое распределение носителей заряда. Асимптотика этого распределения является больцмановской экспонентой с некоторой эффективной температурой, зависящей от напряженности электрического поля.

Показано, что скоррелированное действие аддитивных и мультипликативных шумов в экситонной бистабильной системе приводит к исчезновению слабо поглощающего состояния. Таким образом, поведение системы из обратимого становится необратимым. Сильно поглощающее состояние бистабильной системы сдвигается в сторону больших концентраций экситонов.

Проведены исследования влияния вакуумных отжигов, имплантации ионовSi+ и облучения светом на фотоэлектрические параметры пленок a-Si : H. Показана решающая роль исходных характеристик пленок для эффекта кристаллизации, а также для проявления эффекта Стаблера--Вронского.

Для любых амплитуд многочастотных сил из общих принципов ибез упрощений получены ирешены ваналитической форме двумерные уравнения для многочастотных групп кинков. Представлен анализ движения кинков.

Методом спектроскопии электроотражения исследовано влияние внешнего электрического поля на межзонные оптические переходы в одиночных квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. Предложена методика выделения вклада отдельных экситонных переходов в формирование сложного модуляционного спектра. Экспериментально наблюдались нетривиальные полевые зависимости вероятности запрещенных по симметрии оптических переходов. Проведено сравнение полученных данных с соответствующими теоретическими зависимостями. Напряженность внутреннего электрического поля в области квантовой ямы контролировалась по осцилляциям Франца--Келдыша. При некоторых значениях напряженности вероятность запрещенных в нулевом поле переходов превышала вероятность разрешенных. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg

Развита теория электронного спектра трехшаровой двухъямной закрытой сферической квантовой точки и исследована его эволюция при изменении толщины внешней шаровой ямы от нуля (стационарный спектр простой закрытой сферической квантовой точки) до бесконечности (квазистационарный спектр простой открытой сферической квантовой точки). Впервые показан механизм возникновения затухания электронных состояний в закрытой двухъямной сферической квантовой точке из-за увеличения толщины ее внешней шаровой ямы. Установлено, что физической причиной превращения стационарного спектра в квазистационарный является перераспределение вероятностей пребывания возбужденного в резонансное состояние сферической квантовой точки электрона в энергетических состояниях квазистационарной полосы во всем пространстве наносистемы. Показано, что двухъямная закрытаясферическая квантовая точка с достаточно большой толщиной внешней ямы с любой необходимой точностью воспроизводит основные свойства электрона в простой открытой сферической квантовой точке. Развитый подход, в котором был использован математический аппарат квантовой теории поля (метод функций Грина), может быть положен в основу создания отсутствующей пока теории квазистационарных спектров и теории взаимодействия квазичастиц (электроны, дырки) как между собой (экситон), так и с квантованными полями (фононы) в многослойных открытых наносистемах. PACS: 71.15.Dx, 73.21.La

Исследована фотолюминесценция многослойных структур с квантовыми точками InAs, выращенными в p-n-переходе в GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Образование вертикальных колонок квантовых точек подтвреждено данными просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что естественное увеличение от слоя к слою размеров квантовых точек приводит к их вертикальному объединению вверху колонки. Разбалансирование электронных уровней, вызванное укрупнением квантовых точек, было компенсировано внешним электрическим полем, и достигнут резонанс основных электронных состояний в колонке. Наступление резонансов контролировалось методами фотолюминесценции: стационарной и с временным разрешением. Показано, что при резонансе растут интенсивность фотолюминесценции, излучательное время жизни экситонов (до0.6-2 нс) и становится малым время туннелирования носителей (менее15 пс). Вне резонанса туннелирование электронов существенно ускоряется участием продольных оптических фононов. Если участвуют только эти фононы, то время нерезонансного туннелирования между квантовыми точками становится меньше, чем время релаксации носителей из барьера (100 и140 пс соответственно). PACS: 73.21.-b, 73.63.Kv, 78.67.-n