В рамках лондоновской модели найдено распределение магнитного поля в элементарной ячейке вихревой решетки Абрикосова вблизи поверхности одноосного анизотропного сверхпроводника второго рода в наклонном внешнем магнитном поле для случаев, когда ось симметрии перпендикулярна и параллельна границе поверхности сверхпроводника. Получено распределение локального магнитного поля как функция расстояния от поверхности границы сверхпроводника и угла наклона внешнего поля. На примере высокотемпературного сверхпроводника Y--Ba--Cu--O показано, что исследование функции распределения локального магнитного поля в зависимости от угла наклона внешнего магнитного поля по отношению к оси симметрии сверхпроводника и к поверхности сверхпроводника может дать важные сведения об анизотропных свойствах сверхпроводника.

Показано, что в металле и полупроводнике возможен аналог волн Томсона, существующих в идеальной жидкости. Обсуждена возможность наблюдения таких волн.

Проведен теоретический анализ динамики формирования поля пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с двукратно ионизируемыми донорными центрами и мелкими ловушками. Рассмотрены временные зависимости процессов записи фоторефрактивной решетки в отсутствие внешнего электрического поля, ее релаксации при наличии опорного пучка и последующего проявления при приложении внешнего поля.

На примере пластины тетрагонального антиферромагнетика с центром антисимметрии показано, что в случае антисимметричного тензора магнитоэлектрических коэффициентов включение внешнего электрического поля может приводить к формированию уже в безобменном пределе ранее не изученных аномалий в спектре объемных акустических магнонов.

Изучено амплитудно-независимое дислокационное поглощение (внутреннее трение) при совместном действии на дислокацию случайной и постоянной внешних сил. Рассмотрены случайные воздействия разного типа, учтены инерционные свойства дислокации и влияние внутреннего (параболического) потенциального рельефа кристалла. Получены зависимости внутреннего трения от степени коррелированности случайного воздействия, параметров дислокации и среды.

Рассматривается напряженно-деформированное состояние нелинейно-упругих тел в окрестности шаровых и эллиптических пор. Анализируются особенности развития областей пластичности около таких пор. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными по закономерностям залечивания пор под действием всестороннего сжатия.

Предложено использовать полумагнитные полупроводниковые двойные квантовые ямы для разделения зарядов экситона с помощью внешнего магнитного поля. Расчеты энергии и волновых функций экситона, а также его силы осциллятора проведены для двойных квантовых ям (Zn, Be, Mg)Se/ZnSe/(Zn, Be, Mg)Se/(Zn, Mn)Se/(Zn, Be, Mg)Se при различных значениях ширины межъямного барьера и внешнего магнитного поля. Показано, что в определенном интервале магнитных полей самое низкое значение энергии имеет межъямный (непрямой) экситон. При этом его время жизни может быть на несколько порядков больше, чем время жизни экситона, локализованного в одной яме. Работа частично финансировалась программой \glqq Нанофизика и наноэлектроника\grqq Национальной академии наук Украины.

Сообщается о результатах исследования кристаллизации расплава Sn--Pb эвтектического состава в резко неравновесных и равновесных условиях, в переменном электрическом поле, прикладываемом к образцу от генератора прямоугольных импульсов с частотою более 150 kHz. Приводятся данные о кривых охлаждения и микрофотографии поверхности разных сечений объема образца. Выявлено, что под действием поля уменьшается время кристаллизации и изменяется масштаб эвтектических зерен. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-03-40432).

Проведено исследование дипольного момента и релаксации диэлектрической поляризации низкомолекулярного жидкого кристалла (ЖК) мономера 4-[omega/2-пропеноилокси/-пентилокси]-4'-цианобифенила (ЦБО-5А) в мезоморфном состоянии, в изотропном расплаве и растворе в хлороформе в отсутствие внешних ориентирующих полей. Изучение дипольной поляризации в ЦБО-5А в растворе в хлороформе (x2~0.0566 mol/mol) показало, что температурный ход диэлектрической проницаемости и дипольного момента с понижением температуры фиксирует ассоциирование молекул с фактором Кирквуда g=0.77. Обнаружено, что в изотропном расплаве величина g=0.55. Значение g

Пористый кремний p-типа впервые исследован методом рентгеновской рефлектометрии. Для него критический угол полного внешнего отражения и коэффициент отражения в области углов, меньших критического, значительно меньше, чем для c-Si выращенного по методу Чохральского. Критический угол уменьшается при увеличении пористости. Критический угол и коэффициент отражения увеличиваются в процессе старения пористого кремния. Результаты объясняются значительно меньшей электронной плотностью пористого кремния по сравнению с c-Si и микрогеометрией его поверхности, а также их изменением в процессе старения из-за увеличения в нем концентрации атмосферных составляющих, наблюдаемых по инфракрасным спектрам поглощения. Концентрация атмосферных примесей увеличивается при возрастании пористости, причем в сильно пористом материале существенный вклад помимо химически адсорбированного кислорода, по-видимому, дают углерод и вода.