Рассмотрена сложная динамика модели двухрезонаторного клистрона-генератора с запаздывающей обратной связью. Проведен теоретический анализ условий самовозбуждения и стационарных режимов генерации. Представлены результаты численного моделирования автомодуляционных и хаотических режимов, подробно изучены сценарии перехода к хаосу в центре и вблизи границы зон генерации. Обсуждается влияние сил пространственного заряда на динамику генератора. PACS: 52.80.Pi

Предложена физическая модель обратного движения катодного пятна дуги постоянного тока как процесс распространения плазмы навстречу потоку электромагнитной мощности противоположно направлению силы Лоренца. PACS: 52.80.-s

Предложена модель эволюции стохастического потока в динамическом фильтре с обратными связями и модель процесса коагуляции аэрозоля в нем. Показаны условия реализации различных сценариев эволюции системы и возможность влияния на плотность агрегатов, возникающих в процессе коагуляции. PACS: 05.10.Gg

Методом резерфордовского обратного рассеяния изучены процессы образования дефектов в приповерхностном слое CdTe при импульсном лазерном облучении. Установлено, что формирование центров рассеяния происходит только при энергиях лазерного импульса, превышающих порог плавления поверхности образца. Определены пространственные распределения Cd и Te, а также структурных дефектов в облученном слое. Полученные данные интерпретируются с учетом интенсивного испарения одного из компонентов (Cd) материала.

С помощью разработанного гипоциклоидального электронного спектрометра с высоким энергетическим (=<50 meV) и угловым разрешениями (~1o-5o) методом спектроскопии обратного рассеяния электронов низких энергий (0-10 eV) проведены исследования особенностей плотности заполненных электронных состояний благородных металлов (Au, Ag, Cu) ниже уровня Ферми. Установлено, что особенности в спектрах отражения электронов хорошо согласуются с экстремумами теоретически рассчитанных энергетических распределений плотностей состояний. Полученные результаты существенно дополняют данные методов ультрафиолетовой и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопий.

Измерены температурные зависимости тока I при напряжениях обратного смещения структур Al--SiO2-n-Si, Al--SiO2-n-GaAs и Al--n-GaAs (с собственным окислом). Установлено, что общим свойством этих зависимостей является уменьшение энергии термической активации с увеличением приложенного напряжения и отклонение этих зависимостей от прямой, изображенных в координатах ln I от 1/T, наблюдаемое при более высоких напряжениях. Результаты объясняются на основе того, что ток через барьер обусловливается туннелированием электронов из поверхностных состояний в зону проводимости полупроводника. Из сопоставления результатов опыта с теорией туннелирования, в которой учтено влияние фононов решетки полупроводника на вероятность туннелирования, даны оценки напряженности поля в барьере Шоттки и поверхностной плотности электронных состояний в граничном слое полупроводника.

Проанализированы физические процессы, ответственные за формирование обратных вольт-амперных характеристик структур Al/SiO2/n-Si с толщиной SiO2 в пределах 1.2-3.2 нм и уровнем легирования кремния 1014-1018 см-3. Предложена новая модель для описания процесса эволюции энергии горячих электронов в таких структурах. Разграничена роль оже-ионизации и ударной ионизации. Теоретически и экспериментально изучены величины напряжений переключения туннельной МОП структуры. Показано, что напряжение переключения уменьшается с ростом толщины окисла.

Исследованы высокочастотные характеристики фоточувствительных лавинных структур Si--SiC. Показано, что их быстродействие существенно выше, чем быстродействие кремниевых лавинных фотодиодов. Проведен теоретический анализ высокочастотных свойств лавинных фотодиодов, получены аналитические выражения для произведения ширины полосы на коэффициент усиления. Показано, что для структур типа металл--диэлектрик--полупроводник с отрицательной обратной связью это произведение не является универсальным параметром, поскольку при высоких коэффициентах усиления эффективная величина отношения коэффициентов ударной ионизации различными типами носителей заряда в таких структурах оказывается существенно иной, чем в лавинных фотодиодах.

Измерены зависимости тока от напряжения обратного смещения и температуры диодов Шоттки Al/p-InP, изготовленных на эпитаксиальных слоях фосфида индия, легированного цинком. Обратный ток обладает явно выраженной температурной зависимостью с энергией активации 0.75 эВ в высокотемпературной области и 0.51 эВ при температурах

Проведены измерения обратных вольт-амперных характеристик контактов металл--GaAs с баерьером Шоттки. Наблюдались линейные участки зависимости обратного тока от квадрата напряженности электрического поля в области объемного заряда диодов. Такая зависимость связана с наличием взаимодействия электронов с колебаниями решетки. Проведен анализ обратного тока контактов Mo--GaAs : Si при различных температурах. Результаты анализа показали, что наблюдаемые вольт-амперные характеристики определяются стимулированным фононами туннелированием электронов из металла в полупроводник с участием глубокого центра, соответствующего ловушкеEL2. Подобный же механизм определяет обратные вольт-амперные характеристики диодов Шоттки Ni--GaAs : S.