Бакуи Али. Cпектрометрия ядерного обратного рассеяния протонов как метод исследования процессов модификации поверхностных слоев материалов: Автореф. дис. канд. физико-математических наук : 01.04.16 / НИИЯФ МГУ, 2004

ДОЛЕНКО Сергей Анатольевич. Решение обратных задач оптической спектроскопии с помощью искусственных нейронных сетей: Автореф. дис. канд. физико-математических наук : 01.04.05 / НИИЯФ МГУ, 2002

Развита предложенная в [1] аналитическая теория обратного рассеяния легких ионов поверхностью твердого тела для случаев многокомпонентного материала и материала с переменными по глубине концентрациями отдельных его компонентов.

В дипольном приближении рассмотрено рассеяние плоской электромагнитной волны на одиночном рассеивателе, расположенном случайным образом вблизи идеально отражающей поверхности с учетом бесконечной кратности рассеяния. Показано, что наличие переотраженных волн приводит к увеличению "эффективной" поляризуемости частицы и появлению дополнительной компоненты дипольного момента вдоль нормали к поверхности. В результате эффект усиления обратного рассеяния увеличивается, а угол падения, при котором пропадает эффект усиления p-поляризованной волны, уменьшается. При этом влияние переотраженных волн растет с приближением частицы к границе.

Описан метод регуляризации и решения задач обтекания тел по желательному распределению характеристик полей на поверхности самих тел. Приводятся примеры решения таких задач для потенциальных течений жидкости и способ сведения обратных задач гидромеханики эффективно невязкой жидкости к задачам потенциала.

Предложен метод расчета электронных магнитных спектрометров с двойной фокусировкой с использованием прямых методов решения обратных задач магнитостатики. Впервые в схеме с двумя парами электромагнитных катушек найдены электронные магнитные спектрометры с двойной фокусировкой в модели третьего порядка, что значительно улучшает основные оптические характеристики прибора: разрешающую способность и светосилу. В указанной схеме найдена реальная конструкция энергоанализатора со свободной торовой камерой в модели третьего порядка.

Рассматриваются вопросы регулировки выходной энергии ускоренного пучка в достаточно широком диапазоне без изменения его интенсивности. Метод регулировки энергии протонов состоит в регулировке длительности импульса высокочастотной мощности, вводимой в ускоритель, а также в регулировке времени задержки между моментом инжекции и моментом появления переднего фронта высокочастотного импульса на входном конце ускорителя. Метод был опробован на ускоряющей секции встречно-штыревого типа длиной 1.25 m линейного протонного ускорителя. Экспериментально показано, что за счет изменения длительности ВЧ импульса в данной секции ускорителя можно получить примерно троекратное изменение энергии электронного пучка на выходе ускорителя без заметного уменьшения интенсивности пучка.

Развит метод восстановления зависимости поверхностного импеданса высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) от амплитуды переменного магнитного поля Zs(H) из измерений нелинейных радиофизических характеристик СВЧ резонаторов на основе ВТСП. Показано, что неоднородность структуры электромагнитного поля в резонаторе приводит к интегральным уравнениям для Zs(H). Получены соответствующие интегральные уравнения для некоторых типов резонаторов. Проанализированы погрешности традиционных методов, использующих алгебраические соотношения для Zs(H). Для восстановления зависимостей Zs(H) из интегральных уравнений применен метод регуляризации Тихонова, развитый в теории некорректных обратных задач. Выполнены численные эксперименты по восстановлению Zs(H), из которых определены требования к точностям и другим характеристикам экспериментальных данных.

Теоретически исследованы траектории и законы изменения величины и направления волнового вектора обратных поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ) различных частот, распространяющихся в структурах феррит--диэлектрик--металл с различными толщинами диэлектрического слоя, намагниченных линейно неоднородным постоянным полем. Показано, что распространение и прямых, и обратных ПМСВ независимо от толщины диэлектрика в структуре происходит в волноведущем канале, на одной границе которого имеет место зеркальное отражение ПМСВ, а на другой --- поворот направления распространения ПМСВ. Показано, что при распространении ПМСВ в неоднородном магнитном поле происходит преобразование прямой волны в обратную и при некоторых условиях преобразования обратной волны в прямую. Установлены особенности характеристик распространения обратных ПМСВ.

Разработан итерационный метод решения обратных задач динамической дифракции рентгеновских лучей на неоднородных по глубине кристаллических слоях. С помощью метода рассчитаны структурные характеристики InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb гетероэпитаксиальной системы.