Электронная структура основных собственных дефектов вSiO2 иSi3N4 рассчитана в кластерном приближении методом MINDO/3 и методом функционала плотности. Рассмотрены дефекты, представляющие интерес с точки зрения их способности захватывать электроны или дырки: трех- и двухкоординированный атомы кремния, однокоординированный атом кислорода и двухкоординированный атом азота. Для рассмотренных дефектов определен выигрыш в энергии при захвате электрона или дырки с учетом электронной и атомной релаксации. Экспериментальные рентгеновские спектры эмиссии для обоих материалов сравниваются с расчетными.

На основе модели диффузии фосфора вкремнии по дуальному парному механизму проведен количественный анализ влияния стоков, связанных со структурными дефектами. Показано, что учет стоков для собственных межузельных атомов приводит кзамедлению ускоренной диффузии фосфора вобласти малых концентраций на хвосте концентрационного профиля. Влияние стоков наиболее сильно выражено при положении максимума их концентрации вобласти максимума генерации собственных межузельных атомов внутри диффузионного слоя. Из сравнения расчетов сэкспериментальными данными определены параметры захвата собственных межузельных атомов на структурные дефекты, введенные диффузией фосфора иимплантацией электрически неактивных примесейGe иN.

На основе комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств, а также шумовых характеристик гетероструктур <собственный окисел>--p-InSe прослежена динамика формирования барьера в зависимости от температурных и временных режимов окисления. Установлено, что в структурах, окисленных на протяжении =<sssim30 мин при T=400oC, происходит формирование барьера. При увеличении времени окисления до60 мин барьер в основном сформирован, причем пленка окисла двухслойная с различным химическим составом на поверхности и на границе раздела. Наибольшие значения отношения сигнал/шум получены при полуторачасовом окислении базового материала (T=400oC) в основном из-за малых значений темнового тока, которые реализуются в таких структурах благодаря развитию достаточно однородной высокоомной прослойки. При окислении p-InSe более 100 мин состав окисла становится однородным, однако при этом изменяется тип проводимости базового полупроводника, что приводит к уменьшению высоты барьера, увеличению темнового тока и, как следствие, ухудшению фотоэлектрических параметров.

Сиспользованием методов сканирующей туннельной микроскопии обнаружено, что пленка собственного оксида эпитаксиального n-GaAs (100) образована плотно смыкающимися между собой нанокластерами, состоящими из оксидов Ga, As иизбыточного слояAs на интерфейсе Ga2O3 / n-GaAs. При этом фрактальная структура поверхности кластеров образована тремя уровнями подобных элементов зерновидной формы, пространственные размеры которых удовлетворяют соотношению 9:3:1. Втрехмерном случае на одном \glqq зерне\grqq может располагаться около6 меньших по размеру зерен. Было рассмотрено 2 возможных случая формирования фрактальной структуры кластеров. Впервом случае, когда потоки количества веществ As2O3 иAs по поверхности равны, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии As по поверхности кластера. Во втором, когда поток As превышает поток As2O3, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии Ga по поверхности кластера. Рост кластеров при нормальных условиях и, следовательно, увеличение толщины пленки оксида прекращаются, когда кластеры плотно смыкаются между собой. Это затрудняет диффузию реагентов через пленку оксида ипротекание химических реакций.

Квантово-химическим неэмпирическим методом ССП МО ЛКАО исследовано влияние индия и алюминия на свойства дефектного комплексаAsGa (мышьяк, замещающий галлий вузле кристаллической решетки) вквантовых точках на основе арсенида галлия. Показано, что дефектAsGa может существовать встабильном и метастабильном состояниях. Увеличение содержания индия или алюминия повышает вероятность формирования дефектаAsGa встабильном состоянии, причем данный эффект сильнее проявляется при введении вквантовые точки атомов индия. Энергия активации перехода между стабильным и метастабильным состояниями варьируется от0.886 до2.049 эВ взависимости от стехиометрического состава квантовых точек. Возникновение дефектаAsGa приводит кпоявлению взапрещенной зоне двух глубоких уровней.

На основе исследований кинетики фотоиндуцированного затухания люминесценции квантовых точек CdSxSe1-x, синтезированных в стеклянной матрице, и расчетов abinitio энергий химических связей на границе раздела фаз в кластере типа n(CdSe)--SiOx обоснован возможный механизм фотоотжига собственных дефектов квантовых точек с гексагональной структурой кристаллической решетки. Модель состоит в том, что индуцируемый светом разрыв связей Se--O со стороны анионной грани ведет к увеличению напряженности электрического поля внутри квантовой точки, под действием которого вакансии кадмия дифундируют к поверхности. Такая модель позволяет объяснить наблюдаемые при фотоотжиге эффекты деградации люминесценции и параметров нелинейных оптических устройств на их основе.

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических свойств и особенностей отжига (до800oC) радиационных дефектов в кристаллах InAs n- и p-типа проводимости, облученных электронами сэнергией ~ 2 МэВ интегральными потоками до D=1· 1019 см-2. Выполнены расчеты электронной структуры нерелаксированных дефектовVAs, VIn, AsIn иInAs. Обсуждается связь электрофизических свойств и положения уровня Ферми в облученном InAs с электронной структурой собственных дефектов и особенностями зонного спектра полупроводника.

Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией электронов и описывается диффузионной теорией для одного или двух типов носителей заряда. Большая концентрация ионизованных центров в области объемного заряда приводит к туннельному механизму пробоя в обратном направлении. Частотные зависимости комплексной проводимости определяются обменом носителями заряда между зоной проводимости и донором, определяющим тип проводимости материала, а также перезарядкой центров с большей энергией залегания. Получено хорошее согласие рассматриваемых явлений с теорией. PACS:71.55.Gs, 72.30.+q, 72.80.Ey, 73.20.At, 72.30.+q, 73.30.+y

Ершов А.л., Ходот А.е., Руднев И.а. Электрические потери в многожильных сверхпроводящих композитах BI(PB)-SR-CA-CU-O/AG в собственном поле переменного транспортного тока // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 29-32

Новикова И. Исследование спектра собственных мод кварцевого микрорезонатора // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 126-128