Проанализировано поведение вектора деформации u в массивных структурах, связанное с их собственным гравитационным полем. На примере Земли найдены характерные изменения радиальной компоненты ur в зависимости от физических свойств планеты. Вывод системы дифференциальных уравнений основан на методах вариационного исчисления.

Изучено влияние гидродинамических флуктуаций на шумы молекулярно-электронных преобразователей. Показано, что наряду с флуктуациями ламинарного течения существенный вклад в собственные шумы молекулярно-электронных систем вносят турбулентные пульсации. Предложен метод качественного и количественного расчета шума турбулентных пульсаций при обтекании поверхности электрода потоком жидкости. Получено количественное соотношение, связывающее среднеквадратичные пульсации давления с напором, а также выражение для полной спектральной плотности гидродинамического шума в молекулярно-электронном преобразователе.

Изучены квазиTE- и квазиTM-колебания в анизотропном шаре, погруженном в изотропную среду. Исследование системы уравнений Максвелла внутри шара приведено к рассмотрению двух связанных дифференциальных уравнений. Теоретический анализ проведен для малого параметра анизотропии. Найдено приближенное решение этой системы. При удовлетворении граничным условиям на поверхности шара получено дисперсионное уравнение, определяющее частоты резонансных колебаний. Исследовано влияние анизотропии на их спектральные характеристики.

Предложен метод определения собственных частот некоторых наноструктур (нанотрубок и нанокристаллов), основанный на измерении собственных частот \glqq большой системы\grqq, состоящей из вертикально ориентированного массива (решетки) одинаковых нанотрубок или нанокристаллов, выращенных на подложке на одинаковом расстоянии друг от друга. Показано, что по найденному спектру \glqq большой системы\grqq (решетка-подложка) и спектру подложки можно определить собственные частоты одного нанообъекта. Это позволяет по экспериментальным данным для \glqq больших систем\grqq определить собственные частоты нанообъектов, которые трудно непосредственно определить другим способом. Приведен пример расчета собственных частот решетки микро- или нанокристаллов из оксида цинка на подложке сапфира. PACS: 46.40.-f, 02-70.Dh, 68.65.-k

Развит единый метод описания спектров стационарной люминесценции флуктуационных состояний экситонов при слабом возбуждении в различных неупорядоченных системах. Показано, что бесфононная полоса люминесценции формируется "излучающими" состояниями флуктуационного хвоста плотности состояний, т. е. такими состояниями, для которых отсутствуют или маловероятны безызлучательные переходы. Рассчитанная с учетом взаимодействия с фононами форма спектров излучения хорошо согласуется с экспериментальными спектрами люминесценции alpha-Si : H и твердых растворов ZnSe(1-c)Tec и CdS( 1-c)Sec.

В ионных кристаллах исследована эффективность возбуждения и перезарядки собственных дефектов горячими носителями заряда при воздействии мощных оптических и электронных пучков. Установлена соразмерность сечения взаимодействия горячих электронов и дырок с собственными узлами кристаллической решетки и дефектами Fn-типа (n=1,2). Показано, что в окрестности F- и F2-центров потенциал внутрикристаллического поля близок к регулярному.

Генерация низкотемпературных термодоноров (ТД) в кремнии чувствительна к скорости охлаждения образцов (от температуры отжига до комнатной) и к атмосфере (воздух или вакуум). Этот эффект наиболее четко выражен в случае отжига при 500oC, заметен при 480oC, но почти отсутствует при 450oC. Результаты хорошо объясняются ускорением процесса генерации ТД в присутсвии собственных межузельных атомов кремния (Si). Эти атомы эмиттируются термодонорами и затем поглощаются стоками --- поверхностью образца и объемными микродефектами (вакансионными порами). При отжиге в вакууме основным стоком является поверхность. При отжиге на воздухе этот сток "пассивирован" благодаря окислению и/или загрязнению, и главным стоком становятся поры; в результате концентрация атомов SiI существенно возрастает и скорость генерации увеличивается. Быстрое охлаждение образцов приводит к частичной пассивации пор (вследствие их декодирования быстро диффундирующими примесями) и к дополнительному увеличению скорости генерации. Расчетные кинетические кривые, полученные в рамках данной модели, хорошо описывают эксперимент.

Представлены результаты исследования ЭПР сегнетоэлектрической 1.8/65/35 и антисегнетоэлектрической 2/95/5 оптически прозрачной керамики Pb1-yLayZr1-xTixO3 (PLZT) в широком температурном интервале (20--300 K) после облучения светом длиной волны 365--725 nm. Облучение ультрафиолетовым светом, энергия которого соответствует ширине запрещенной зоны этих материалов, при T

Исследована радикальная перестройка спектра собственных электромагнитных волн в анизотропных пластинах оптически двуосных и одноосных кристаллов при небольших отклонениях направления распространения от симметричной ориентации. Если сагиттальная плоскость и грани пластины являются плоскостями симметрии тензора диэлектрической проницаемости varepsilon, то существует четыре независимых семейства объемных собственных волн, каждое из которых характеризуется бесконечной последовательностью дисперсных кривых. Кривые независимых семейств пересекаются, образуя сетчатую структуру. В результате возмущений, при которых сагиттальная плоскость и грани пластины перестают быть плоскостями симметрии, происходит взаимодействие волн, принадлежащих различным семействам, возникают моды смешанных поляризаций, а дисперсионные кривые расталкиваются: точки пересечения исчезают. В окрестности таких точек даже небольшие изменения частоты приводят к резким изменениям поляризации волновых полей.

Тонкие пленки псевдоаморфного GaN (a-nc-GaN), а также его сплавов с индием InxGa1-xN (x=0.04 и 0.16) были приготовлены методом магнетронного распыления металлической мишени в плазме реактивной атмосферы смеси азота с аргoном. Пленки a-nc-GaN кодопировались акцепторной примесью Zn и набором РЗМ-примесей: Ce, Tb, Er, Sm и Eu. Спектры фотолюминесценции (ФЛ), возбуждаемой азотным лазером с длиной волны lambda=337 nm, были измерены для всех составов и набора примесей при комнатной температуре и 77 K. Показано, что псевдоаморфная (a-nc) матрица GaN имеет высокоэнергетический край ФЛ при тех же значениях энергии, что и кристаллический (эпитаксиальный) c-GaN. Акцепторная примесь Zn, как и в c-GaN стимулирует голубое излучение, однако спектр ФЛ существенно более размыт, температурное гашение ФЛ практически отсутствует. Введение In в количестве 16 at.% приводит к высокоинтенсивной ФЛ с размытым пиком при 2.1-2.2 eV; ФЛ сплава обнаруживает температурное гашение, составляющее 3-4 раза в интервале 77-300 K. Время спада ФЛ-ответа увеличивается до 50 mus. РЗМ-примеси входят в аморфную сетку GaN в виде трехвалентных ионов и дают узкополосные (за исключением Ce) спектры высокой интенсивности, что свидетельствует как о высокой растворимости РЗМ-примесей в a-nc-GaN, так и о формировании анионной подрешеткой GaN эффективного кристаллического поля с локальной симметрией, способствующей ослаблению правил запрета на внутрицентровые f-f-переходы.