Рассмотрена система из двух различных изотропных диэлектрических пластин, параллельных друг другу и разделенных зазором. При достаточно большой величине зазора собственные электромагнитные волны в пластинах оказываются практически независимыми, а дисперсионные кривые исследуемой системы имеют множественные пересечения. При уменьшении величины зазора возникает взаимосвязь волновых полей, точки пересечения исчезают: кривые расталкиваются. Дисперсионные зависимости измененного спектра складываются из множества сопряженных участков изначально независимых ветвей, отвечающих разным пластинам. При плавном изменении частоты движению текущей точки вдоль отдельной дисперсионной кривой отвечает периодическое перемещение зон интенсивного волнового поля от пластины к пластине.

Проведено исследование собственных оптических состояний в одномерных разупорядоченных фотонных кристаллах. Установлено, что существует предельно допустимый уровень разупорядочения, до достижения которого вероятность появления собственного состояния в центре фотонной запрещенной зоны исчезающе мала. Порог достигается, когда относительная флуктуация оптических длин периодов структуры соответствует корню квадратному из одной трети относительной ширины запрещенной зоны. В зависимости коэффициента пропускания, усредненного по ансамблю структур, от флуктуации оптических длин периодов структуры имеется излом, соответствующий пороговой флуктуации.

Приводятся данные о темновой и фотопроводимости пленок a-Si : H, полученных различными методами в режиме "мягкого" осаждения. Показано, что независимо от температуры подложки, материал, полученный в этом режиме, является "собственным". Отклонения от режима мягкого осаждения приводят к получению псевдолегированного a-Si : H с повышенной плотностью дефектов (оборванных Si--Si-связей) и с негомогенной структурой. Дефекты в собственном и в псевдолегированном a-Si:H находятся, соответственно, в состояниях D0 и D+.

Исследованы спектральная и интегральная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках дисилицида хрома на кремнии толщиной1000 Angstrem в диапазоне энергий 0.5/1.6 эВ при комнатной температуре. Обнаружено, что максимум фотопроводимости наблюдается при энергии фотонов1.23 эВ, что соответствует области третьего межзонного перехода в дисилициде хрома с энергией 0.9/0.95 эВ. Пронализированы возможные причины слабого сигнала фотопроводимости в области края основного поглощения.

Исследованы электрофизические свойства слоев PbTe/KCl(KBr), выращенных методом модулированной ларезным ИК излучением эпитаксии, в области различных значений технологических параметров: плотности, мощности W лазерного излучения на мишени и температуры Ts подложки. Установелно, что температурная зависимость постоянной Холла RH(T) определяется донорными уровнями, один из которых находится в зоне проводнимости (Ed1), а второй Ed2--- в запрещенной зоне. Плотность состояний на уровнях и их энергетическое положение зависят от условий роста.

Проанализировано влияние диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs на интенсивность собственной люминесценции. Показано, что диффузия меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs может приводить как к повышению, так и понижению интенсивности собственной люминесценции. Получены аналитические соотношения, связывающие величину и знак эффекта с рекомбинационными параметрами указанных кристаллов, а также с интенсивностью возбуждения люминесценции.

Разработана модель электрически активных и нейтральных собственных точечных дефектов в SnO2. Термодинамический анализ равновесия собственных точечных дефектов позволил построить диаграмму состояния диоксида олова PO2-T-x. Разрешено противоречие между монополярной проводимостью n-типа и двухсторонней областью гомогенности фазы SnO2.

Комплексное исследование спектров катодолюминесценции, микроструктуры и микросостава, удельного сопротивления и присутствия кислорода позволило выявить зависимость электрических свойств и степени совершенства кристаллической решетки Cd1-xZnxTe от формы присутствия кислорода и типа собственных точечных дефектов. Обнаружено, что в зависимости от соотношения концентраций [Cd]m/[Zn] в кристаллах изменяется тип точечных дефектов и форма присутствия основной фоновой примеси--- кислорода. Определен оптимальный состав твердого раствора для создания датчиков ионизирующего излучения, при котором кристалл наиболее высокоомен: Cd0.77Zn0.23Te.

В работе представлены теоретические и экспериментальные исследования основных зонных параметров четырехкомпонентных твердых растворов HgCdMnTe и HgCdZnTe, в результате которых предлагаются эмпирические формулы для ширины запрещенной зоны и концентрации собственных носителей данных материалов в широком диапазоне температур и составов. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.

Исследованы спектры оптического поглощения, фотолюминесценция, эффект Холла в монокристаллах ZnSe : In. Установлено наличие электрически активных донорных центров InZn+, ответственных за примесное поглощение и электропроводность кристаллов. Показано, что компенсация проводимости в кристаллах ZnSe : In осуществляется вакансиями катионов. Доноры InZn+ и вакансии катионов образуют ассоциативные дефекты, ответственные за длинноволновую люминесценцию ZnSe : In. Высокая проводимость кристаллов (~ 5 Ом-1·см-1) достигается в результате отжига ZnSe : In в расплаве цинка, приводящего к экстракции катионных вакансий. Подвижность электронов в высокопроводящих кристаллах ограничена процессами рассеяния на LO-фононах и макродефектах, образующихся вследствие уменьшения растворимости индия в кристаллах при их отжиге в цинке.