Методом оптической спектроскопии с наносекундным разрешением изучено влияние предыстории (наличия примесей, термической обработки) кристаллов CaF2 на процессы создания автолокализованных экситонов (АЭ) под действием импульса ускоренных электронов. Обнаружено нарушение условия дисперсности создания АЭ в номинально чистом, термически необработанном кристалле. Показано, что исходные дефекты структуры играют определяющую роль при создании первичной дефектности. Построена модель радиационного разупорядочения реального кристалла флюорита. Прослежена аналогия с процессами примесного и термического разупорядочения.

Предлагается построение единой иерархии структур молекул и твердых тел, образующихся в равновесных (идеальные кристаллы) или неравновесных условиях (реальные кристаллы, фрактально-упорядоченные кристаллические, квазикристаллические и аморфные твердые тела, а также апериодические на атомно-молекулярном уровне, но периодические на макроуровне композиционные твердотельные материалы). Это построение приводится на основе приложения теории алгебраических систем (группы, кольца и поля) к размножению в пространстве первоначальной структуры в зависимости от коэффициента (числа) инфляции, выражаемого в общем виде Q=(n+msqrt(l)sqrt. Приводятся примеры структур молекул и полимеров, описываемых группами или кольцами, фрактально-упорядоченных твердых тел, структуры которых описываются полями, а также твердых тел с затухающими или автоколебаниями состава, структуры которых описываются полями или периодическими кольцами из полей с комплексными коэффициентами размножения в пространстве.

Экспериментально исследована эволюция доменной структуры в LiNbO3 при переключении поляризации в электрическом поле. Особое внимание уделено процессам формирования регулярной доменной структуры, используемой в устройствах нелинейной оптики. Предложен новый метод, основанный на эффекте самопроизвольного обратного переключения, позволивший создать регулярную структуру с периодом 2.6 mum в LiNbO3 толщиной 0.5 mm.

Сообщается о создании на плоской подложке надмолекулярной структуры окисная пленка алюминия--адгезионный слой--наноалмаз--люцифераза. Показано, что фермент сохраняет каталитическую активность в данной структуре и она может рассматриваться как прототип люминесцентного биочипа для использования в биолюминесцентном анализе.

В области температур 360--400 K исследовано влияние времени освещения на релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H. Релаксация концентрации происходила по растянутой экспоненте (~exp(-(t/taur)beta)). В области исследованных температур и времен освещения (0.1--7.0 с) коэффициент beta=0.55-0.65, а энергия активации Ea температурной зависимости эффективного времени taur составляла 0.97--1.07 эВ. С ростом освещения наблюдалось слабое увеличение Ea и beta. Величина taur возрастала при увеличении времени освещения в соответствии с зависимостью, близкой к логарифмической. Проведено сопоставление полученных экспериментальных результатов с существующими микроскопическими моделями образования и отжига метастабильных дефектов в пленках a-Si : H.

Исследована роль частоты переменного тока, используемого для дрейфового получения динамических плазменных решеток из затравочных решеток отношения подвижностей электронов и дырок, созданных интерференционным световым полем. Показано, что возникающее с ростом частоты переменного тока фазовое рассогласование между ним и поддерживаемой им концентрационной решеткой приводит к существенному увеличению доли стационарной и изменяющейся с основной частотой компонент получающихся плазменных решеток по сравнению с рассмотреным ранее случаем низких частот.

Исследована релаксация темновой проводимости пленок a-Si : H, легированных бором, после их освещения в интервале температур 360-470 K. Показано, что выбор условий освещения пленок (времени освещения и температуры) позволяет на основании изучения релаксации проводимости независимо исследовать релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов типа оборванных связей и релаксацию концентрации метастабильных состояний, связанных с примесными атомами. Как в первом, так и во втором случае релаксация происходит по закону растянутой экспоненты. Определены основные параметры, характеризующие релаксацию, и их температурные зависимости. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели распределения энергий отжига, созданных светом метастабильных состояний.

Гетеропереходы получены путем механического прижима анодированных пластин 6H-SiC к пластинам слоистых полупроводников AIIIBVI (InSe и GaSe) при 300 K. Благодаря высокому совершенству поверхностей сколов образуется прочный и достаточно совершенный электрический контакт. Спектр фотоэдс гетеропереходов имеет вид широкой полосы. Длинноволновый ее край обусловлен узкозонной компонентой, коротковолновый--- поглощением в SiC.

Предложен новый технологический процесс формирования энергетического барьера на кристаллах теллурида кадмия и получены выпрямляющие фоточувствительные анизотипные и изотипные структуры на его основе. Исследованы и обсуждаются фотоэлектрические свойства полученных структур в зависимости от геометрии их освещения естественным и линейно поляризованным излучением. Сделан вывод о возможности применения новой технологии для создания на основе теллурида кадмия фотопреобразовательных структур различного назначения.

Созданы и исследованы первые фоточувствительные структуры на монокристаллах тройного соединения ZnIn2S4. По результатам измерений спектров оптического поглощения кристалов ZnIn2S4, стационарных ВАХ и фоточувствительности структур при T=300 K анализируются оптоэлектронные свойства соединения и полученных структур. Сделаны выводы о возможностях практического применения поверхностно-барьерных структур и гетеропереходов из ZnIn2S4 в качестве широкополосных фотодетекторов естественного излучения.