Ермаков Андрей Николаевич. СОЗДАНИЕ ИМПУЛЬСНОГО РАЗРЕЗНОГО МИКРОТРОНА НА ЭНЕРГИЮ ЭЛЕКТРОНОВ 70 МЭВ: Автореф. дис. канд. физико-математических наук : 01.04.20 / НИИЯФ МГУ, 2004

Для проведения физических экспериментов часто требуется создать в некоторой области кратковременное магнитное поле заданной однородности. При этом для импульсного питания магнитной системы используются различные нокопители энергии, в частности конденсаторные батареи. Наиболее простую конфигурацию такой магнитной системы образуют две одинаковые соосные электромагнитные катушки. Приводятся результаты оптимизации параметров такой системы с учетом требований на однородность поля.

Проведено моделирование процесса формирования упругонапряженных гетерокомпозиций типа InAs1-x-ySbxBiy/InSb и InAs1-x-ySbxBiy/InSbyBiy методом "капиллярной" ЖФЭ. Выявлены закономерности изменения ширины запрещенной зоны Eg и толщины d эпитаксиальных слоев от условий проведения процесса. Показано, что вследствие резкого возрастания скорости эпитаксиального осаждения с повышением температуры ЖФЭ успешный рост эпитаксиальных слоев докритической толщины возможен лишь до T

Обсуждается метод создания широкополосных акустооптических гиперзвуковых ячеек, основанный на использовании многоэлементных электроакустических преобразователей, представляющих собой структуры с частотно зависимым в общем случае сдвигом фазы на ячейку, а также с изменяющимся шагом между элементами. Показано, что описываемый метод позволяет создавать высокоэффективные брэгговские ячейки с полосой частот 3 GHz и более.

Проведено численное моделирование динамики поглощения диагностического СВЧ излучения в распадающейся азотной фотоплазме, созданной импульсным кольцевым скользящим разрядом. Показана возможность немонотонного изменения со временем коэффициента поглощения СВЧ излучения (что наблюдалось в большинстве экспериментальных работ) при рекомбинационном распаде плазмы. Причиной появления немонотонности являются газодинамические процессы, которые инициируются кольцевым скользящим разрядом и приводят к расширению плазменной области вдоль оси зондирующего СВЧ пучка.

Представлены экспериментальные исследования некоторых характеристик импульсного давления, создаваемого в жидкости с помощью металлической плазмы. Обсуждается вопрос увеличения длительности импульсного давления при помощи плазмохимической реакции.

Рассмотрены и установлены требования к диэлектрикам для решения задач накопления, хранения и регулируемого расходования в течение длительного времени электроэнергии с необходимой номинальной мощностью с помощью электрических конденсаторов.

В качестве плазмохимического реактора для получения водорода предложено использовать емкостной высокочастотный разряд во влажном воздухе.

Исследована зависимость скорости формирования и стирания фотоиндуцированной электрической доменной структуры рубина от спектрального состава облучающего нелазерного света. Обнаружено, что облучение в области ближнего ультрафиолета производит быстрое стирание доменной структуры. В предположении "конденсаторной" модели доменов определены зависимости плотности фототока и фотопроводимости от напряженности электрического поля доменов при облучении разного спектрального состава при 77 и 300 K. Оценена темновая проводимость рубина.

Представлены данные по изучению влияния температуры интервала 80-650 K на спектрально-кинетические характеристики люминесценции и переходного поглощения неактивированных кристаллов CsI при облучении импульсными электронными пучками (< E>=0.25 MeV, t1/2=15 ns, j=20 A/cm2). В структуре коротковолновой части спектров переходного поглощения при T=80-350 K выявлены особенности, указывающие на то, что ядерная подсистема автолокализованных экситонов (АЛЭ) за время их жизни до излучательной аннигиляции при T<= 80 K в CsI многократно трансформируется, попеременно занимая двух- и трехгалоидную ионную конфигурации. Установлено, что явления температурного роста выхода радиационных дефектов, F- и H-центров окраски, и тушения УФ-люминесценции в CsI возникают в одной температурной области (выше 350 K) и характеризуются одинаковыми значениями термической активации (~ 0.22 eV). Предполагается, что АЛЭ в кристалле CsI могут иметь как центральную, так и нецентральную конфигурации трехгалоидного ионного остова; высокотемпературное свечение кристаллов CsI связывается с излучательной аннигиляцией нецентрального АЛЭ со структурой (I-(I0I-e-) )*.