Сообщается о новом процессе получения структур с вертикальными стенками в толстом слое макропористого кремния на подложке. Проблема фотолитографии решается путем создания рисунка с обратной стороны пластины. Врезультате кремниевая подложка сама служит маской, через которую удаляются определенные участки пористого слоя. Изготовлены узкие и высокие полоски макропористого кремния, ориентированные вдоль рядов макропор. Полученные структуры двумерного фотонного кристалла использовались для введения света в направлении, перпендикулярном оси каналов, и регистрации ИК спектров отражения.

Гетеропереходы на кристаллах p-CuIn3Se5 изготовлены методами магнетронного распыления мишени n-ZnO : Al и посадки естественно-сколотых тонких пластин n-GaSe на полированную поверхность пластин p-CuIn3Se5. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Обнаружен и обсуждается фотовольтаический эффект в созданных структурах. Показано, что полученные фоточувствительные гетеропереходы являются перспективными для создания селективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.

Изготовлены и исследованы фоточувствительные структуры на основе монокристаллов n-HgGa2S4. Сделан вывод о перспективах применения кристаллов HgGa2S4 в качестве фотодекторов естественного и линейного поляризованного излучения коротковолнового спектрального диапазона.

Исследованы центры захвата (ловушки), локализованные на границе Si/SiO2 и в объеме отсеченного слоя Si в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ), полученных методом сращивания и водородного расслоения. Для определения параметров центров была использована зарядовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Q-DLTS) с разверткой по временному окну при фиксированных значениях температуры. Такой метод позволяет исследовать ловушки вблизи середины запрещенной зоны Si при температурах, близких к комнатной. Показано, что плотность ловушек с непрерывным энергетическим спектром, локализованных на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в середине запрещенной зоны уменьшается более чем на 4порядка по сравнению с плотностью в максимуме, наблюдаемом при энергии активации Ea~ 0.2-0.3 эВ. Вотсеченном слое Si изготовленных структур КНИ обнаружены также центры захвата с энергией активации при комнатной температуре Ea=0.53 эВ, сечением захвата 10-19 см2 и концентрацией (0.7-1.7)· 1013 см-3. Предполагается, что данные центры захвата--- глубокие объемные уровни, индуцированные электрически активными примесями (дефектами) в отсеченном слое Si вблизи границы Si/SiO2.

Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 иCuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и новых полупроводников, сделан вывод о возможностях их применения в широкополосных фотопреобразователях неполяризованного излучения. PACS: 72.40.+v, 73.30.+y, 85.60.Gz

Методом термообработки кристаллов n-InSe в воздушной среде получены выпрямляющие фоточувствительные гетеропереходы n-Ox/n-InSe, где n-Ox--- собственный окиселInSe. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности впервые полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что в полученных гетеропереходах наблюдается широкополосная фоточувстительность и при наклонном падении линейно поляризованного излучения возникает фотоплеохроизм. Обсуждается природа обнаруженного фотоплеохроизма. Сделан вывод о возможностях применения изотипных структур Ox/InSe в качестве фотопреобразователей естественного и линейно поляризованного излучений. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 81.40.Tv, 81.65.Mq, 85.60.Dw

Коржебин А.с., Гуськов А.ф., Декусар А.в., Добровольский В.л., Егошин Е.а., Ким А.в., Крайнов К.а., Ловчев С.в., Мелехов С.в., Мустакимов Т.м., Пилас С.в., Ревин А.в., Серегин А.н., Серегин Д.в., Терешонок А.в., Чачин А.в., Чударев А.с., Шадрин И.а., Шкатов И.е. Проект: "Проект создания студенческой компьютерной сети в студгородке МИФИ" // Научная сессия МИФИ-1998. Т.7 Студенческие идеи, проекты, предложения, стр. 51-54

Михайлов Е.е. Преобразование частоты генерации полупроводниковых лазеров в коротковолновую область в резонансной среде за счет создания в ней усиления без инверсии // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 116-117

Афоняшин А.а. Создание современных информационных систем // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 22-25

Алексеева Е.г., Захаров А.с., Нащекин А.г., Метечко В.и. Создание информационной системы на основе INTERNET сервера МИФИ // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 25-27