Рассматривается задача о многократном рассеянии частиц стохастическим фракталом --- совокупностью точечных мишеней (атомов), хаотически распределенных в пространстве с корреляционной функцией степенного типа. В малоугловом приближении найдены энергетическое и угловое распределения, обобщающие известные результаты Ферми, Ландау и Мольер. Аналитические результаты сопровождаются численными расчетами методом Монте-Карло.

На физическом уровне строгости проведено модельное рассмотрение физических процессов, реализующихся при электролитном нагреве металлического электрода, когда в его окрестности имеет место интенсивное испарение электролита. На основе принципа наименьшей скорости рассеяния энергии в неравновесных процессах Онзагера найдены доли тепловой энергии, выделяющейся в парогазовой оболочке при протекании тока между металлическим электродом, опущенным в электролит, и поверхностью электролита, идущие на нагревание и испарение электролита и на нагрев пара. Выяснилось, что температура пара электролита превышает ~ 1300 K. Получены аналитические выражения для таких характеристик процесса, как толщина паровой оболочки, давление пара электролита и скорость, с которой пар вытекает из разрядной зоны. Выяснилось, что полевое испарение с термической активацией отрицательных ионов с поверхности электролита не может обеспечить протекание в системе электрического тока с плотностью, фиксируемой в экспериментах, но обеспечивает генерацию свободных электронов у поверхности электролита, появляющихся при распаде ионов в актах столкновения с возбужденными молекулами.

Описан метод определения кинетических коэффициентов переноса ионов в газе: коэффициентов подвижности (K), продольной (DL) и поперечной (DT) диффузии как функций напряженности электрического поля (E) и температуры газа (T). Метод основан на измерении зависимостей приращения коэффициентов подвижности ионов от напряженности электрического поля при параметрическом задании температуры. Для положительных ионов анилина, пиридина, бензола, ортотолуидина, диметилметилфосфоната, N-метиланилина, N, N-диметиланилина, N, N-диэтиланилина и дифениламина (ДФА), образующихся при beta-ионизации в воздухе, определены кинетические коэффициенты переноса K(E,T), DL,T(E,T).

Предложена качественная модель гетерогенного переноса заряда между атомами в поликристаллических пленках или неоднородных наноструктурах типа полупроводник-диэлектрик, взаимодействующими с резонансным излучением и металлической поверхностью контакта. Определена вероятность процесса резонансной приконтактной фотоионизации в неоднородных твердотельных наноструктурах, что позволяет использовать данный процесс в нанотехнологиях для измерений и передачи информации.

С помощью кинетического уравнения для параксиального релятивистского электронного пучка, распространяющегося в плотных и разреженных газоплазменных средах продольно внешнему магнитному полю, получены уравнения переноса массы, импульса и энергии частиц поперечного сегмента пучка. Найдено вириальное уравнение, а также сформулировано условие динамического равновесия, обобщающее для рассматриваемых случаев известное условие Беннета.

Исследовано влияние напряженности электрического поля (

Определены эфективные заряды атомов для решеток соединений RBa2Cu3O7 (R --- иттрий или редкоземельный металл), Tl2Ba2Ca2Cu3O10 и Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3O10. Показано, что в RBa2Cu3O7 дырки делокализованы преимущественно в подрешетке цепочечного кислорода. Предложены две модели распределения зарядов в решетках соединений Tl2Ba2Ca2Cu3O10 и Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3O10, которые предполагают наличие дырок на кислородных узлах в плоскости Cu(2)--O, но отличаются заполненностью 3d-оболочки меди в узлах Cu(1). Не исключается, что заряды атомов Tl, Bi и Cu(1) в двух последних решетках могут быть управляемыми. Продемонстрировано качественное согласие полученных результатов с результатами холловских измерений концентрации дырок и ее температурной зависимости в исследованных соединениях.

Вибронный экситон с переносом заряда (ВЭПЗ) --- пара ян-теллеровских электронного и дырочного поляронов --- рассмотрен в качестве возможной причины появления фазы Мюллера в виртуальном сегнетоэлектрике SrTiO3 и "зеленой" люминесценции в виртуальном сегнетоэлектрике KTaO3. Две полосы "зеленой" люминесценции могут быть связаны с эмиссией с двух состояний характерного собственного дефекта --- ВЭПЗ, захваченного вакансией кислорода, и изолированного ВЭПЗ. В обоих случаях "зеленая" люминесценция соответствует рекомбинации электрона и дырки в ВЭПЗ, которая сопровождается эмиссией света. Свойства фазы Мюллера находят объяснение как результат смешивания нормального состояния и состояний ВЭПЗ-фазы при взаимодействии с поляризацией в мягкой матрице SrTiO3 в условиях псевдо-эффекта Яна--Теллера (ПЭЯТ) на мягкой TO-моде типа смещения. При этом ВЭПЗ-фаза, формирующая низколежащие возбужденные состояния, обладает степенями свободы типа "порядок--беспорядок", и при T=TQ~37 K в SrTiO3 находится существенно ниже точки сегнетоэлектрического фазового перехода типа порядок--беспорядок. Соответствующее понижение симметрии ВЭПЗ-фазы до полярной приводит к возможности длиннопериодической несоразмерной фазы в таких возбужденных состояниях, возникающей благодаря появлению инварианта Лифшица. При этом состояние валентной зоны, дающее максимальный вклад в ПЭЯТ, соответствует волновому вектору, равному критическому волновому вектору несоразмерной ВЭПЗ-фазы. При понижении температуры ПЭЯТ-искажение растет вплоть до температур ~ TQ, и впоследствии насыщается в соответствии с насыщением диэлектрической проницаемости. Основным предположением модели является соответствие температуры T=TQ узкой температурной области перехода от промежуточного к сильному ПЭЯТ в условиях реализации туннельных состояний по поляризации. Возникновение существенной примеси к основному состоянию состояний модулированной сегнетоэлектрической ВЭПЗ-фазы в условиях реализации туннельных состояний по поляризации при низких температурах позволяет объяснить основные свойства фазы Мюллера.

Неупорядоченные материалы (стекла и аморфные тела, расплавы, полимеры, биологические среды и т. д.) представляют собой важный класс объектов. Оказалось, что несмотря на хаос, с которым обычно ассоциируется их структура, для стекол и аморфных тел различной природы (полупроводниковых, диэлектрических, металлических) есть универсальный пространственный масштаб ~1 nm --- параметр порядка, который может сыграть для теории столь же важную роль, как элементарная ячейка для кристаллов. Беспорядок в неупорядоченных телах не абсолютный --- присущая кристаллам периодичность в расположении атомов сохраняется в пределах нескольких координационных сфер, а далее каким-то образом нарушается. Характер нарушения порядка позволяет отличить стекла от аморфных тел по виду функции корреляции структуры. Неоднородности, о которых идет речь, не экзотические единичные образования, не аналоги дефектов в кристаллах, а фрагменты, из которых целиком построены аморфные тела и стекла. Пространственная неоднородность неупорядоченных тел с характерным масштабом ~1 nm приводит к появлению универсальных характерных особенностей в колебательных свойствах, меняет механизм релаксации электронного возбуждения, определяет специфику переноса зарядов.

Обнаружено возникновение тока во внешней цепи при упругой деформации локальной области суперионного кристалла RbAg4I5. Изучена зависимость величины и знака деформационного тока от области приложения локальной нагрузки к образцу и исследованы временные характеристики процесса. Исследовано влияние упругой деформации на процессы, происходящие на гетеропереходе суперионный проводник--электрод и предложен механизм возникновения деформационного тока. Рассмотрено явление возникновения фотостимулированных токов при освещении локальной области суперионного проводника светом, соответствующим внутрицентровому возбуждению оптически активных центров. Показано, что поля упругих напряжений, возникающих вокруг фотовозбужденных центров, ответственны за возникновение фотостимулированных токов.