Представлены результаты исследования электропроводности в системе нанокристаллический металл--полимер--металл в зависимости от температуры. Обнаружено, что при температурах структурных превращений нанокристаллических электродов происходит переход указанной системы в высокопроводящее состояние. Результаты интерпретируются в рамках модели зарядовой неустойчивости, возникающей в тонких пленках полимеров при изменении граничных условий. Настоящая работа выполнялась при частичной поддержке грантов РФФИ N 96-02-19208, 98-03-33322.

Проведен анализ большого количества экспериментальных данных по проводимости бора и высокобористых соединений в широком интервале температур. Показано, что температурную зависимость проводимости нет необходимости описывать, как это принято, суммой нескольких экспонент, соответствующих разным механизмам переноса заряда: от проводимости по нелокализованным состояниям при высоких температурах до прыжкового переноса по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми при низких температурах. В широком интервале температур проводимость подчиняется либо степенному, либо обратному аррениусовскому закону. Различие связано со структурными особенностями материалов, с глубиной пространственного потенциального рельефа и с участием или неучастием поляронов в переносе зарядов. Для ряда соединений наблюдался переход от степенной зависимости к обратному закону Аррениуса при повышении температуры. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-16697).

В рамках кластерного подхода рассмотрены особенности состояний и переходов с переносом заряда (ПЗ) O 2p->V 3d в октаэдрическом комплексе (VO6)9-. Вычислены приведенные матричные элементы оператора электродипольного перехода на многоэлектронных волновых функциях, соответствующих начальному и конечному состояниям при переходе с ПЗ. Параметризация результатов позволила вычислить относительные интенсивности разрешенных переходов с ПЗ без учета смешивания различных конфигураций одинаковой симметрии. В рамках теории Танабе--Сугано с учетом этого смешивания вычислены энергии многоэлектронных переходов с ПЗ и их действительные интенсивности. Моделирование оптического спектра LaVO3 показало наличие сложной, состоящей из 81 линии полосы переходов с ПЗ с главными максимумами при 6.3-7.3 eV и дополнительными максимумами в области ~3 и ~8-9 eV общей протяженностью ~10 eV. Результаты модельных расчетов согласуются с экспериментом и демонстрируют ограниченность широко распространенных представлений о простой структуре спектра переходов с ПЗ. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 04-02-96068.

В тонких пленках полиариленфталидов наблюдаются переходы из диэлектрического в высокопроводящее состояние. Настоящая работа посвящена исследованию температурной зависимости проводимости тонких пленок широкозонных полимерных диэлектриков, определению характера релаксации избыточного заряда и выявлению механизмов его переноса в области, предшествующей переходу в высокопроводящее состояние. Показано, что в пленочных образцах полиариленфталидов основным механизмом переноса заряда является прыжковый транспорт по ловушечным состояниям в запрещенной зоне. PACS: 73.61.-r

С использованием нового метода концентрационных импульсов проведены исследования транспорта водорода в трех полупроводниковых материалах, нанесенных в виде пленок на никелевые подложки. Предложены наиболее вероятные модели переноса. В графите диффузия водорода происходит в виде молекул и сопровождается обратным захватом, перенос осуществляется по микропорам между чешуйками графита; центрами захвата служат валентно ненасыщенные связи на границах чешуек. Диффузия в аморфном кремнии также сопровождается захватом, но происходит в атомарной форме по междоузлиям; центрами захвата служат валентно ненасыщенные Si-связи. В оксиде никеля, подобно графиту, диффузионный перенос идет в виде молекул, однако захвата водорода на валентно ненасыщенные связи обнаружено не было. Проведен сравнительный анализ свойств, проявляемых исследованными материалами по отношению к кислороду, для установления их корреляции со структурой и электронными свойствами полупроводников.

Приводятся результаты исследования образцов, полученных путем вырашивания методом жидкофазной эпитаксии пленок MnxHg1-xTe на подложке Cd0.96Zn0.04Te. Показано, что в результате диффузии кадмия из подложки образуется пленка CdxMnyHg1-x-yTe с варизонным слоем вблизи поверхности раздела < эпитаксиальная пленка >--подложка. Обнаружено проявление этой варизонности в явлениях переноса. Из результатов теоретического анализа температурных зависимостей концентрации свободных носителей и их подвижности определена температурная зависимость ширины запрещенной зоны Eg(T) в линейном приближении по T. Показано что использование усреднения полуэмпирических зависимостей для крайних по составу тройных соединений в рамках приближения виртуального кристалла может приводить к большим погрешностям при определении Eg(T) в конкретном полупроводнике.

Показано, что неравновесные носители заряда, возникающие при локальном оптическом воздействии на гетероструктуру с двумерным электронным газом, переносится в плоскости структуры на чрезвычайно большое расстояние от места возбуждения, которое значительно превосходит длину диффузии в объеме. Эффект обусловлен тем, что генерированные светом электроны и дырки разделяются встроенным электрическим полем гетероперехода к противоположным краям буферного слоя, где они переносятся по параллельным плоскостям. Расстояние, на которое распространяется неравновесная концентрация носителей, достигает больших значений благодаря: (1)высокой проводимости двумерных электронов, (2)барьера для рекомбинации электронов и дырок и (3)дрейфу дырок в электрическом поле, создаваемом зарядом неравновесных носителей в плоскости структуры.

В рамках модели сильных кулоновских корреляций исследуются кинетические явления в квантовой яме, содержащей примеси с переменной валентностью. Показано, что с увеличением содержания железа в квантовой яме кулоновские корреляции возрастают и приводят к упорядочению в системе примесей. В результате этого следует ожидать ослабления рассеяния 2d электронов на них, что должно приводить к значительному увеличению подвижности 2d электронов.

Теоретически показано, что в определенных условиях возможно создание мазера на эффекте циклотронного резонанса на основе материалов типа n-Ga1-xAlxAs. Рассматриваются низкие температуры и сильные скрещенные ( E normal H) поля, в которых электроны в нижней (легкой) долине зоны проводимости баллистическим образом пролетают ее, разогреваясь до энергии начала междолинного рассеянияvarepsilon0. Исследования проводились для состава твердого раствора 0

Представлены данные по электропроводности, термоэдс, а также эффектов Холла и Нернста--Эттингсгаузена в интервале температур от 77 до 400 K для твердого раствора PbTe--SnTe с большим содержанием In(3 ат%) при дополнительном легировании хлором и таллием. В частности, коэффициент Нернста--Эттингсгаузена обладает необычными для полупроводников типа AIVBVI свойствами: имеет положительный знак и быстро падает с ростом температуры. Экспериментальные данные обсуждаются на основе модели, в которой основным механизмом переноса является прыжковая проводимость по сильно локализованным электронным состояниям примеси In. Проводимость по делокализованным состояниям зоны проводимости вносит существенный вклад в эффекты, наблюдаемые в поперечном магнитном поле. Используемая модель дает удовлетворительное согласие с экспериментом, включая знак, величину и температурную зависимость коэффициента Нернста--Эттингсгаузена.