Численно исследован электронный транспорт в гетероструктуре с туннельно-связанными квантовыми ямами в условиях сильной неодномерности потенциала в структуре. Рассчитаны вольт-амперные характеристики, распределение потенциала, подвижность и концентрация электронов в квантовых ямах. Численный метод основан на двумерном согласованном расчете квантовых и классических областей гетероструктуры. Впервые показано, что в таких гетероструктурах возможен эффект, аналогичный эффекту Ганна в однородном полупроводнике. Эффект обусловлен туннельным переходом электронов между квантовыми ямами с разной подвижностью и характеризуется образованием домена сильного поля и участком с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике.

Проведено исследование переноса носителей заряда вслоях пористого кремния методом измерения времени пролета врежиме сильной инжекции винтервале температур T=290-350 K и напряженности электрического поля F=(1.5-1.7)· 104 В/см. Получено, что значения дейфовых подвижностей электронов и дырок составляют mue~2· 10-3 см2/В· с и muh~ 6· 10-4 см2/В· с при T=292 K и F=4· 104 В/см. Установлена экспоненциальная зависимость дрейфовой подвижности от температуры сэнергией активации ~ 0.38 и ~ 0.41 эВ для электронов и дырок соответственно. Показано, что характер зависимостей от времени фототока, соответствующего дрейфу носителей заряда, и сверхлинейная зависимость времени пролета от величины, обратной приложенному кобразцу напряжению, позволяют использовать представления отоке, ограниченном пространственным зарядом, вусловиях аномального дисперсионного переноса. Экспериментальные данные объяснены вмодели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом схарактеристической энергией~0.03 эВ.

Представлены результаты исследования люминесценции CaGa2S4 : Eu2+, CaGa2S4 : Ce3+, CaGa2S4 : (Eu2+,Ce3+). Фотолюминесценция этих соединений обусловлена внутрицентровыми переходами ионовEu2+ иCe3+. Показано, что в CaGa2S4 : (Eu2+,Ce3+) происходит передача энергии от ионаCe3+ к ионуEu2+ и эффективность передачи энергии составляет0.43.

Предложена модель туннельно-резонансного переноса носителей заряда через дискретный ловушечный уровень в диэлектрике в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2. Необходимым требованием туннельно-резонансного переноса при приложении внешнего смещения к структуре является совпадение энергии носителей заряда в яме кремния с энергетическим положением уровня ловушек в диэлектрике. Показано, что заполнение ловушечных состояний в диэлектрике и нарушение условий туннельно-резонансного переноса носителей через уровень ловушек при превышении энергии носителей в яме уровня ловушек в диэлектрике приводит к спаду токопереноса через структуру и образованию области отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках периодических структур Si/CaF2. Врезультате моделирования данного эффекта было обнаружено, что преимуществами приборов на основе периодических структур кремний/диэлектрик являются широкий диапазон рабочих температур 77-300 K и возможность совмещения с кремниевой технологией изготовления интегральных схем.

Представлена новая точка зрения на магниточувствительность транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей. Показано, что традиционное объяснение этого механизма, основывающееся на отклонении диффузионного потока носителей магнитным полем, существенно некорректно. Аименно, ответственный за этот эффект член в уравнении непрерывности обращается в нуль и, таким образом, из традиционной теории следует отсутствие магниточувствительности при отсутствии электрического поля в базе. Этот факт проинтерпретирован физически как циркуляция возбужденных магнитным полем токов вдоль линий уровня в поле концентрации. Предлагаемая теория предполагает задание граничных условий третьего рода на коллекторном переходе вместо условий Дирихле. При этом абсолютная чувствительность определяется разностью концентраций инжектированных нисителей между наиболее удаленными точками коллектора.

Методом Монте-Карло проведено моделирование электронного транспорта вдвойных квантовых ямах гетероструктуры AlxGa1-xAs/GaAs/InyGa1-yAs всильном электрическом поле, лежащем вплоскости квантовых ям. Показано, что вусловиях междолинного Gamma-L-переноса электронов возникает инверсная заселенность между первой и второй подзонами размерного квантования Gamma-долины. Инверсная заселенность этих подзон возникает начиная сполей 4 кВ/см при 77 K и 5.5 кВ/см при 300 K. Оценка коэффициента усиления излучения всверхрешетке, содержащей такие квантовые ямы, дала значение порядка 100 см-1 для длины волны 12.6 мкм.

Рассмотрено влияние температуры на индуцированную давлением вдоль оси[111] поляризацию широкой полосы фотолюминесценции, связанной скомплексами VGaTeAs вGaAs : Te. Показано, что внекотором интервале температур вводимое давлением различие энергий активации термической эмиссии дырок для комплексов разной ориентации приводит крезкому увеличению интегральной поляризации излучения, вызванного рекомбинацией свободных электронов сдырками, локализованными на комплексах, по сравнению споляризацией этого излучения при более низкой температуре. Экспериметальные исследования при давлении10 кбар обнаружили подобное поведение поляризации вдиапазоне температур 140--190 K. Аппроксимация экспериментальных зависимостей расчетными кривыми показала применимость предложенной ранее модели совокупности дефектов, вызывающих рассматриваемую полосу люминесценции, атакже позволила уточнить их некоторые параметры иоценить изменение энергии активации термической эмиссии дырок сцентров разной ориентации под влиянием давления вдоль оси[111].

Теоретически изучено влияние резонансного электромагнитного импульса на когерентную динамику электрона в системе туннельно-связанных квнтовых точек, имеющей конфигурацию замкнутого кольца. Показана возможность селективного переноса электрона между двумя произвольными квантовыми точками. Найдено выражение для вероятности переноса как функции параметров квантовых точек и электромагнитного импульса. Показано, что эта вероятность может быть близка к единице. Обсуждаются факторы, влияющие на ее уменьшение в реальной системе. Полученные результаты могут быть использованы при разработке наноэлектронных устройств нового типа, предназначенных для операций с квантовыми битами.

Исследована гетероструктура n-CdS/p-CdTe, полученная последовательным выращиванием слоев CdS и CdTe методом электрохимического осаждения и сублимацией в закрытом объеме соответственно. Измеренные вольт-амперные характеристики интерпретируются в рамках модели генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли в обедненном слое диодной структуры. Достигнуто количественное совпадение теории с результатами эксперимента.

Исследованы электрические характеристики детекторов рентгеновского иgamma-излучения на основе CdTe с диодами Шоттки. Экспериментальные данные получены на диодах Al/p-CdTe с удельным сопротивлением подложки в пределах от102 до109 Ом·см (300 K). Полученные результаты интерпретируются в рамках теории генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли с учетом особенностей диода Шоттки. Показано, что в случае использования полуизолирующего CdTe наблюдаемые значительные прямые токи обусловлены инжекцией электронов в подложку.